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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
SSM6J512NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J512NU，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6J512 MOSFET （金属 o化物） 6-udfnb（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 12 v 10a（10a） 1.8V，8V 16.2MOHM @ 4A，8V 1V @ 1mA 19.5 NC @ 4.5 V ±10V 1400 pf @ 6 V - 1.25W（TA）
TK9A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK9A60D（sta4，Q，m） 2.0200
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK9A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 9a（9a） 10V 830MOHM @ 4.5A，10V 4V @ 1mA 24 NC @ 10 V ±30V 1200 pf @ 25 V - 45W（TC）
TPCA8051-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8051-H （T2L1，VM -
RFQ
 ECAD 9874 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPCA8051 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 80 V 28a（28a） 4.5V，10V 9.4mohm @ 14a，10v 2.3V @ 1mA 91 NC @ 10 V ±20V 7540 pf @ 10 V - 1.6W（ta），45W（tc）
RN1406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1406，LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 7373 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1406 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
RN1111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1111MFV，L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 1755年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1111 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 10 kohms
TBC857B,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBC857B，LM 0.1600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TBC857 320兆W SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 30na（icbo） PNP 650mv @ 100mA，5mA 210 @ 2mA，5V 80MHz
RN1401,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1401，LF 0.2200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1401 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
RN4901FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901FE，LF（ct 0.2400
RFQ
 ECAD 350 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4901 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 200MHz，250MHz 4.7kohms 4.7kohms
2SA1837(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837（f，m） -
RFQ
 ECAD 5940 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SA1837 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 500 230 v 1 a 1µA（ICBO） PNP 1.5V @ 50mA，500mA 100 @ 100mA，5V 70MHz
2SC4793,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793，WNLF（j -
RFQ
 ECAD 2420 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SC4793 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA（ICBO） NPN 1.5V @ 50mA，500mA 100 @ 100mA，5V 100MHz
RN4902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902FE，LF（ct 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4902 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 10KOHMS 10KOHMS
2SC3324-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324-bl（TE85L，f -
RFQ
 ECAD 9331 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SC3324 150兆 TO-236 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 ma 100NA（ICBO） NPN 300mv @ 1mA，10mA 350 @ 2mA，6v 100MHz
RN1109ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1109ACT（TPL3） -
RFQ
 ECAD 1006 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN1109 100兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA npn-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 47科姆斯 22 KOHMS
TPH2R903PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R903PL，L1Q 0.9400
RFQ
 ECAD 8110 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 70A（TC） 4.5V，10V 2.9MOHM @ 35A，10V 2.1V @ 200µA 26 NC @ 10 V ±20V 2300 pf @ 15 V - （960MW）（TA），81W（TC）
RN4608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4608（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN4608 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 22KOHMS 47kohms
ULN2803APG,CN Toshiba Semiconductor and Storage ULN2803APG，CN -
RFQ
 ECAD 1735年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 18 浸（0.300英寸，7.62mm） ULN2803 1.47W 18浸 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 800 50V 500mA - 8 npn达灵顿 1.6V @ 500µA，350mA 1000 @ 350mA，2V -
RN2130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2130MFV，L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 1257 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2130 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 100 @ 10mA，5v 100 kohms 100 kohms
RN1106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1106ACT（TPL3） -
RFQ
 ECAD 1344 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN1106 100兆 CST3 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA npn-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 4.7科姆斯 47科姆斯
RN1964TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1964TE85LF 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1964 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 47kohms 47kohms
XPH3R114MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH3R114MC，L1XHQ 2.2500
RFQ
 ECAD 2968 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn XPH3R114 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 40 V 100A（TA） 4.5V，10V 3.1MOHM @ 50a，10v 2.1V @ 1mA 230 NC @ 10 V +10V，-20V 9500 PF @ 10 V - 960MW（TA），170W（tc）
2SC4881,LS1SUMIF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4881，LS1SUMIF （m -
RFQ
 ECAD 5712 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SC4881 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 50 V 5 a 1µA（ICBO） NPN 400MV @ 125mA，2.5a 100 @ 1A，1V 100MHz
TK39J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W5，S1VQ 12.2700
RFQ
 ECAD 3287 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 TK39J60 MOSFET （金属 o化物） to-3p n（n） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 38.8A（TA） 10V 65mohm @ 19.4a，10v 3.7V @ 1.9mA 135 NC @ 10 V ±30V 4100 PF @ 300 V - 270W（TC）
TPCC8067-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8067-H，LQ s -
RFQ
 ECAD 6291 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPCC8067 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.1x3.1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 9a（9a） 4.5V，10V 25mohm @ 4.5A，10V 2.3V @ 100µA 9.5 NC @ 10 V ±20V 690 pf @ 10 V - 700MW（TA），15W（（（（（（（（（（（
2SA1972,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1972，T6WNLF（j -
RFQ
 ECAD 9783 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1972 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 400 v 500 MA 10µA（ICBO） PNP 1V @ 10mA，100mA 140 @ 20mA，5V 35MHz
RN2303,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2303，LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN2303 100兆 SC-70 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
RN1905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905，LF（ct 0.2800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1905 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
2SA2056(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2056（TE85L，F） 0.1275
RFQ
 ECAD 9013 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SA2056 625兆 TSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 2 a 100NA（ICBO） PNP 200mv @ 33mA，1a 200 @ 300mA，2V -
2SA1225-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1225-y Q） -
RFQ
 ECAD 5342 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SA1225 1 w PW-MOLD - （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 200 160 v 1.5 a 1µA（ICBO） PNP 1.5V @ 50mA，500mA 120 @ 100mA，5V 100MHz
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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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