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2488）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） | 电压 -收集器发射器故障（最大） | 电流 -ic（IC）（最大） | 当前 -收集器截止（最大） | 晶体管类型 | vce 饱和度（最大） @ ib，ic | （HFE）（最小） @ ic，vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座（ -r1） | 电阻 -发射极底座（ r2） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RN1415，LXHF | 0.3400 |  | 6 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | RN1415 | 200兆 | S-Mini | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA，5mA | 50 @ 10mA，5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||
 | RN1111ACT（TPL3） | - | | 3758 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-101，SOT-883 | RN1111 | 100兆 | CST3 | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 V | 80 ma | 100NA（ICBO） | npn-预先偏见 | 150mv @ 250µA，5mA | 120 @ 1mA，5V | 10 kohms | ||||||||||||||||||
 | 2SC5233BTE85LF | - | | 8582 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | SC-70，SOT-323 | 2SC5233 | 100兆 | USM | - | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 500 MA | 100NA（ICBO） | NPN | 250mv @ 10mA，200mA | 500 @ 10mA，2V | 130MHz | ||||||||||||||||||
 | RN1109，lf（Ct | 0.2000 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-75，SOT-416 | RN1109 | 100兆 | SSM | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 100NA（ICBO） | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA，5mA | 70 @ 10mA，5V | 250 MHz | 47科姆斯 | 22 KOHMS | ||||||||||||||||
 | HN1C01FU-gr，LF | 0.3400 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | HN1C01 | 200MW | US6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 150mA | 100NA（ICBO） | 2 NPN （双） | 250mv @ 10mA，100mA | 200 @ 2mA，6v | 80MHz | |||||||||||||||||
 | SSM6P36FE，LM | 0.4300 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | SSM6P36 | MOSFET （金属 o化物） | 150MW | ES6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 330ma | 1.31OHM @ 100mA，4.5V | 1V @ 1mA | 1.2nc @ 4V | 43pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||
 | 2SA949-y t6shrp，FM | - | | 5283 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C（TJ） | 通过洞 | TO-226-3，TO-92-3 | 2SA949 | 800兆 | to-92mod | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 v | 50 mA | 100NA（ICBO） | PNP | 800mv @ 1mA，10a | 70 @ 10mA，5V | 120MHz | ||||||||||||||||||
| TTC1949-y，LF | 0.3100 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | TTC1949 | 200兆 | S-Mini | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 500 MA | 100NA（ICBO） | NPN | 400mv @ 50mA，500mA | 120 @ 100mA，1V | 100MHz | |||||||||||||||||
 | 2SC3138-y te85l，f） | - | | 5873 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 2SC3138 | 150兆 | TO-236 | - | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 200 v | 50 mA | 100NA（ICBO） | NPN | 500mv @ 1mA，10mA | 120 @ 10mA，3v | 100MHz | ||||||||||||||||||
 | TK3R1E04PL，S1X | 1.4400 | | 50 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosix-H | 管子 | 积极的 | 175°C（TJ） | 通过洞 | TO-220-3 | TK3R1E04 | MOSFET （金属 o化物） | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 40 V | 100A（TC） | 4.5V，10V | 3.8mohm @ 30a，4.5V | 2.4V @ 500µA | 63.4 NC @ 10 V | ±20V | 4670 pf @ 20 V | - | 87W（TC） | |||||||||||||
 | 2SA1618-y te85l，f） | 0.4700 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | SC-74A，SOT-753 | 2SA1618 | 300MW | SMV | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 150mA | 100NA（ICBO） | 2（PNP （双），共同发射器 | 300mv @ 10mA，100mA | 120 @ 2mA，6v | 80MHz | |||||||||||||||||
 | 2SC5549，T6F（j | - | | 5131 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C（TJ） | 通过洞 | TO-226-3，TO-92-3 | 2SC5549 | 900兆 | to-92mod | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 400 v | 1 a | 100µA（ICBO） | NPN | 1V @ 25mA，200mA | 20 @ 40mA，5V | - | ||||||||||||||||||
 | HN1B04FU-Y（t5l，f，t | - | | 1894年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | HN1B04 | 200MW | US6 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 150mA | 100NA（ICBO） | NPN，PNP | 250mv @ 10mA，100mA | 120 @ 2mA，6v | 150MHz | |||||||||||||||||
| RN2904FE，LF | 0.2600 | | 4593 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | RN2904 | 100MW | ES6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 PNP-） | 300mv @ 250µA，5mA | 80 @ 10mA，5V | 200MHz | 47kohms | 47kohms | ||||||||||||||||
| RN1113ACT（TPL3） | 0.3400 | | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-101，SOT-883 | RN1113 | 100兆 | CST3 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 V | 80 ma | 100NA（ICBO） | npn-预先偏见 | 150mv @ 250µA，5mA | 120 @ 1mA，5V | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||
| RN4906FE，LXHF（ct | 0.3800 | | 7 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | RN4906 | 100MW | ES6 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 npn，1 pnp- 预偏（二） | 300mv @ 250µA，5mA | 80 @ 10mA，5V | 200MHz，250MHz | 4.7kohms | 47kohms | |||||||||||||||||
| RN2903，LF | - | | 1909年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | RN2903 | 200MW | US6 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 PNP-） | 300mv @ 250µA，5mA | 70 @ 10mA，5V | 200MHz | 22KOHMS | 22KOHMS | |||||||||||||||||
| RN1967FE（TE85L，F） | - | | 7266 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | RN1967 | 100MW | ES6 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 100NA（ICBO） | 2 NPN- 预偏（双重） | 300mv @ 250µA，5mA | 80 @ 10mA，5V | 250MHz | 10KOHMS | 47kohms | |||||||||||||||||
 | HN1C01FYTE85LF | 0.3300 | | 3827 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | SC-74，SOT-457 | HN1C01 | 300MW | SM6 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 150mA | 100NA（ICBO） | 2 NPN （双） | 250mv @ 10mA，100mA | 120 @ 2mA，6v | 80MHz | |||||||||||||||||
 | RN2119MFV（TPL3） | 0.2700 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | RN2119 | 150兆 | VESM | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 100NA（ICBO） | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA，5mA | 120 @ 1mA，5V | 1 kohms | ||||||||||||||||||
| rn2963fe（te85l，f） | - | | 1154 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | RN2963 | 100MW | ES6 | - | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 100NA（ICBO） | 2 PNP-） | 300mv @ 250µA，5mA | 70 @ 10mA，5V | 200MHz | 22KOHMS | 22KOHMS | |||||||||||||||||
| 2SA965-y（M）（m） | - | | 9438 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C（TJ） | 通过洞 | TO-226-3，TO-92-3 | 2SA965 | 900兆 | to-92mod | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 v | 800 MA | 100NA（ICBO） | PNP | 1V @ 50mA，500mA | 80 @ 100mA，5V | 120MHz | ||||||||||||||||||
| RN1904，LXHF（ct | 0.3600 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | RN1904 | 200MW | US6 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN- 预偏（双重） | 300mv @ 250µA，5mA | 80 @ 10mA，5V | 250MHz | 47kohms | 47kohms | |||||||||||||||||
 | RN2108，LF（ct | 0.2000 | | 6863 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-75，SOT-416 | RN2108 | 100兆 | SSM | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA，5mA | 80 @ 10mA，5V | 200 MHz | 22 KOHMS | 47科姆斯 | ||||||||||||||||
 | 2SA1930，lbs2diaq（j | - | | 1334 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C（TJ） | 通过洞 | TO-220-3完整包 | 2SA1930 | 2 w | TO-220NIS | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 180 v | 2 a | 5µA（ICBO） | PNP | 1V @ 100mA，1a | 100 @ 100mA，5V | 200MHz | ||||||||||||||||||
 | TK10S04K3L （T6L1，NQ | - | | 6481 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosiv | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 175°C（TJ） | 表面安装 | TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 | TK10S04 | MOSFET （金属 o化物） | DPAK+ | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 40 V | 10a（10a） | 6V，10V | 28mohm @ 5a，10v | 3V @ 1mA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 410 pf @ 10 V | - | 25W（TC） | |||||||||||||
| SSM3K36MFV，L3F | 0.4000 | | 358 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosiii | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-723 | SSM3K36 | MOSFET （金属 o化物） | VESM | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | n通道 | 20 v | 500mA（ta） | 1.5V，5V | 630mohm @ 200ma，5v | 1V @ 1mA | 1.23 NC @ 4 V | ±10V | 46 pf @ 10 V | - | 150MW（TA） | |||||||||||||
| TK4P50D（t6rss-Q） | - | | 2672 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 | TK4P50 | MOSFET （金属 o化物） | D-pak | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | TK4P50DT6RSQ | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 500 v | 4A（ta） | 10V | 2ohm @ 2a，10v | 4.4V @ 1mA | 9 NC @ 10 V | ±30V | 380 pf @ 25 V | - | 80W（TC） |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
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