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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
TPCC8001-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage tpcc8001-h（TE12LQM -
RFQ
 ECAD 4160 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSV-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 TPCC8001 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.3x3.3） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 22a（22a） 4.5V，10V 8.3mohm @ 11a，10v 2.5V @ 1mA 27 NC @ 10 V ±20V 2500 pf @ 10 V - 700MW（TA），30W（TC）
2SB1457(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457（t6cno，A，f） -
RFQ
 ECAD 2426 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SB1457 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 100 v 2 a 10µA（ICBO） PNP 1.5V @ 1mA，1a 2000 @ 1A，2V 50MHz
RN2903FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2903fe（te85l，f） 0.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN2903 100MW ES6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200MHz 22KOHMS 22KOHMS
TK20A60W,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60W，S5VX 2.9800
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK20A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 20A（TA） 10V 155mohm @ 10a，10v 3.7V @ 1mA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 PF @ 300 V - 45W（TC）
RN1305,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1305，LF 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1305 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 47科姆斯
RN1902T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902T5LFT -
RFQ
 ECAD 4506 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1902 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250MHz 10KOHMS 10KOHMS
SSM6L11TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L11TU（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 8093 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6L11 MOSFET （金属 o化物） 500MW UF6 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 500mA 145MOHM @ 250mA，4V 1.1V @ 100µA - 268pf @ 10V 逻辑级别门
2SK2967(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2967（f） -
RFQ
 ECAD 8942 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 2SK2967 MOSFET （金属 o化物） to-3p n（n） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 30a（TA） 10V 68mohm @ 15a，10v 3.5V @ 1mA 132 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 10 V - 150W（TC）
TK750A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK750A60F，S4X 1.7600
RFQ
 ECAD 968 0.00000000 东芝半导体和存储 u-mosix 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 TK750A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 10a（10a） 10V 750MOHM @ 5A，10V 4V @ 1mA 30 NC @ 10 V ±30V 1130 PF @ 300 V - 40W（TC）
2SA2056(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2056（TE85L，F） 0.1275
RFQ
 ECAD 9013 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SA2056 625兆 TSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 2 a 100NA（ICBO） PNP 200mv @ 33mA，1a 200 @ 300mA，2V -
RN4905T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905T5 0.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4905 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
2SD2129,LS4ALPSQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2129，LS4ALPSQ （M -
RFQ
 ECAD 5024 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SD2129 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 100µA（ICBO） NPN 2V @ 12mA，3a 2000 @ 1.5A，3V -
2SC3328-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3328-Y，HOF （M -
RFQ
 ECAD 3114 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC3328 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 80 V 2 a 1µA（ICBO） NPN 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
RN49A2,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn49a2，lf（ct 0.2700
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN49A2 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 47kohms 47kohms
RN2112,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2112，LF（ct 0.2000
RFQ
 ECAD 6252 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN2112 100兆 SSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200 MHz 22 KOHMS
RN2105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105CT（tpl3） -
RFQ
 ECAD 2702 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2105 50兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 120 @ 10mA，5V 2.2 kohms 47科姆斯
TPCC8006-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage tpcc8006-h（TE12LQM -
RFQ
 ECAD 1620年 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 TPCC8006 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.3x3.3） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 22a（22a） 4.5V，10V 8mohm @ 11a，10v 2.3V @ 200µA 27 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 10 V - 700MW（TA），27W（27W）TC）
TPC8A02-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A02-H te12L，Q） -
RFQ
 ECAD 8737 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8A02 MOSFET （金属 o化物） 8-SOP（5.5x6.0） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 16A（TA） 4.5V，10V 5.6mohm @ 8a，10v 2.3V @ 1mA 34 NC @ 10 V ±20V 1970 pf @ 10 V - 1W（ta）
TK12A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A53D（sta4，Q，m） 2.5900
RFQ
 ECAD 4943 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK12A53 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 525 v 12a（12a） 10V 580MOHM @ 6A，10V 4V @ 1mA 25 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 25 V - 45W（TC）
RN2903,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2903，LF -
RFQ
 ECAD 1909年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2903 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200MHz 22KOHMS 22KOHMS
RN2303,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2303，LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN2303 100兆 SC-70 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
TW060N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW060N120C，S1F 19.8400
RFQ
 ECAD 4984 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-247-3 sicfet （碳化硅） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 36a（TC） 18V 78mohm @ 18a，18v 5V @ 4.2mA 46 NC @ 18 V +25V，-10V 1530 PF @ 800 V - 170W（TC）
RN2103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103MFV，L3XHF（ct 0.3400
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2103 150兆 VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
TK19A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK19A50W，S5X 2.7800
RFQ
 ECAD 9378 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 18.5a（ta） 10V 190mohm @ 7.9a，10v 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 V - 40W（TC）
RN4904,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4904，LF 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4904 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 47kohms
2SA1225-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1225-y Q） -
RFQ
 ECAD 5342 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SA1225 1 w PW-MOLD - （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 200 160 v 1.5 a 1µA（ICBO） PNP 1.5V @ 50mA，500mA 120 @ 100mA，5V 100MHz
TK6A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A60D（sta4，Q，m） -
RFQ
 ECAD 7254 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK6A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TK6A60DSTA4QM Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 6a（6a） 10V 1.25OHM @ 3A，10V 4V @ 1mA 16 NC @ 10 V ±30V 800 pf @ 25 V - 40W（TC）
TK12P60W,RVQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W，RVQ（s -
RFQ
 ECAD 2958 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK12P60 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TK12P60WRVQ s Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 11.5A（TA） 10V 340MOHM @ 5.8A，10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 pf @ 300 V - 100W（TC）
TPH2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2900ENH，L1Q 2.5800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPH2900 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 200 v 33A（TA） 10V 29mohm @ 16.5a，10v 4V @ 1mA 22 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 100 V - 78W（TC）
SSM6J414TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J414TU，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6J414 MOSFET （金属 o化物） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 6a（6a） 1.5V，4.5V 22.5MOHM @ 6A，4.5V 1V @ 1mA 23.1 NC @ 4.5 V ±8V 1650 pf @ 10 V - 1W（ta）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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