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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
TK35S04K3L （T6L1，NQ	1.4100	RFQ	5894	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	TK35S04	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	40 V	35A（TA）	6V，10V	10.3MOHM @ 17.5A，10V	3V @ 1mA	28 NC @ 10 V	±20V	1370 pf @ 10 V	-	58W（TC）
TK14C65W，S1Q	-	RFQ	2199	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	TK14C65	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	13.7A（TA）	10V	250mohm @ 6.9a，10v	3.5V @ 690µA	35 NC @ 10 V	±30V	1300 PF @ 300 V	-	130W（TC）
TK9J90E，S1E	2.7900	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK9J90	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	900 v	9a（9a）	10V	1.3OHM @ 4.5A，10V	4V @ 900µA	46 NC @ 10 V	±30V	2000 pf @ 25 V	-	250W（TC）
TK12A80W，S4X	3.1200	RFQ	4351	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK12A80	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	不适用		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	11.5A（TA）	10V	450MOHM @ 5.8A，10V	4V @ 570µA	23 NC @ 10 V	±20V	1400 PF @ 300 V	-	45W（TC）
TK6A60D（sta4，Q，m）	-	RFQ	7254	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK6A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	TK6A60DSTA4QM	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	6a（6a）	10V	1.25OHM @ 3A，10V	4V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±30V	800 pf @ 25 V	-	40W（TC）
RN4604（TE85L，F）	0.4800	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-74，SOT-457	RN4604		300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000												50V	100mA	100NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	47kohms	47kohms
2SC5233BTE85LF	-	RFQ	8582	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC5233		100兆	USM	-		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000												12 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，200mA	500 @ 10mA，2V	130MHz
2SC5201（te6，f，m）	-	RFQ	1063	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC5201		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1												600 v	50 mA	1µA（ICBO）	NPN	1V @ 500mA，20mA	100 @ 20mA，5V	-
TK40P03M1（T6RDS-Q）	-	RFQ	6022	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	TK40P03	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	TK40P03M1T6RDSQ	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	30 V	40a（ta）	4.5V，10V	10.8mohm @ 20a，10v	2.3V @ 100µA	17.5 NC @ 10 V	±20V	1150 pf @ 10 V	-	-
2SJ377（TE16R1，NQ）	-	RFQ	5182	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	2SJ377	MOSFET （金属 o化物）		PW-MOLD	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000	P通道	60 V	5A（5A）	4V，10V	190mohm @ 2.5a，10v	2V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±20V	630 pf @ 10 V	-	20W（TC）
SSM3J130TU，LF	0.4600	RFQ	166	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3J130	MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	4.4a（ta）	1.5V，4.5V	25.8mohm @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	24.8 NC @ 4.5 V	±8V	1800 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
TK8R2A06PL，S4X	1.0200	RFQ	1381	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK8R2A06	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	不适用		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	11.4mohm @ 8a，4.5V	2.5V @ 300µA	28.4 NC @ 10 V	±20V	1990 pf @ 25 V	-	36W（TC）
SSM3K329R，LF	0.4300	RFQ	28	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3K329	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	3.5A（ta）	1.8V，4V	126mohm @ 1A，4V	1V @ 1mA	1.5 NC @ 4 V	±12V	123 pf @ 15 V	-	1W（ta）
TK12A50E，S5X	-	RFQ	5246	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK12A50	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	12a（12a）	10V	520MOHM @ 6A，10V	4V @ 1.2mA	40 NC @ 10 V	±30V	1300 pf @ 25 V	-	45W（TC）
2SK2917（f）	-	RFQ	7510	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SK2917	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	18A（18A）	10V	270MOHM @ 10a，10v	4V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	3720 PF @ 10 V	-	90W（TC）
SSM3J65CTC，L3F	0.3900	RFQ	29	东芝半导体和存储	U-Mosvii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SC-101，SOT-883	SSM3J65	MOSFET （金属 o化物）		CST3C	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000	P通道	20 v	700mA（TA）	1.2V，4.5V	500MOHM @ 500mA，4.5V	1V @ 1mA		±10V	48 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
SSM3J15FV，L3F	0.2300	RFQ	55	东芝半导体和存储	π-mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	SSM3J15	MOSFET （金属 o化物）		VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000	P通道	30 V	（100mA）（TA）	2.5V，4V	12ohm @ 10mA，4V	1.7V @ 100µA		±20V	9.1 PF @ 3 V	-	150MW（TA）
TPH4R003NL，L1Q	1.0700	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH4R003	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 20a，10v	2.3V @ 200µA	14.8 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 15 V	-	1.6W（TA），36W（tc）
TK31E60X，S1X	5.6700	RFQ	40	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK31E60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	30.8A（TA）	10V	88mohm @ 9.4a，10V	3.5V @ 1.5mA	65 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	230W（TC）
RN1112 （T5L，F，T）	-	RFQ	1237	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN1112		100兆	SSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000												50 V	100 ma	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250 MHz	22 KOHMS
SSM3K59CTB，L3F	0.4200	RFQ	2492	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	SSM3K59	MOSFET （金属 o化物）		CST3B	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	10,000	n通道	40 V	2A（TA）	1.8V，8V	215MOHM @ 1A，8V	1.2V @ 1mA	1.1 NC @ 4.2 V	±12V	130 pf @ 10 V	-	1W（ta）
TK12J60U（f）	-	RFQ	9902	东芝半导体和存储	dtmosii	托盘	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK12J60	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	12a（12a）	10V	400mohm @ 6a，10v	5V @ 1mA	14 NC @ 10 V	±30V	720 PF @ 10 V	-	144W（TC）
2SK3132（Q）	-	RFQ	6621	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	to-3pl	2SK3132	MOSFET （金属 o化物）		到3p（l）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	500 v	50a（ta）	10V	95mohm @ 25a，10v	3.4V @ 1mA	280 NC @ 10 V	±30V	11000 PF @ 10 V	-	250W（TC）
TK4P50D（t6rss-Q）	-	RFQ	2672	东芝半导体和存储	π-mosvii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	TK4P50	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	TK4P50DT6RSQ	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	500 v	4A（ta）	10V	2ohm @ 2a，10v	4.4V @ 1mA	9 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 25 V	-	80W（TC）
2SA1930，lbs2diaq（j	-	RFQ	1334	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1930		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1												180 v	2 a	5µA（ICBO）	PNP	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	200MHz
SSM3K36MFV，L3F	0.4000	RFQ	358	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	SSM3K36	MOSFET （金属 o化物）		VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000	n通道	20 v	500mA（ta）	1.5V，5V	630mohm @ 200ma，5v	1V @ 1mA	1.23 NC @ 4 V	±10V	46 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
TK10S04K3L （T6L1，NQ	-	RFQ	6481	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	TK10S04	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	40 V	10a（10a）	6V，10V	28mohm @ 5a，10v	3V @ 1mA	10 NC @ 10 V	±20V	410 pf @ 10 V	-	25W（TC）
HN1C01FYTE85LF	0.3300	RFQ	3827	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	HN1C01		300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000												50V	150mA	100NA（ICBO）	2 NPN （双）	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
RN4990FE，LF（ct	0.2600	RFQ	6683	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4990		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000												50V	100mA	100NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz，200MHz	4.7kohms	-
TPC8A02-H te12L，Q）	-	RFQ	8737	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	TPC8A02	MOSFET （金属 o化物）		8-SOP（5.5x6.0）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	16A（TA）	4.5V，10V	5.6mohm @ 8a，10v	2.3V @ 1mA	34 NC @ 10 V	±20V	1970 pf @ 10 V	-	1W（ta）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²