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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 配置 fet 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
SSM6K810R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K810R，LXHF 0.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6K810 MOSFET （金属 o化物） 6-TSOP-F 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 100 v 3.5A（ta） 4.5V，10V 69mohm @ 2a，10v 2.5V @ 100µA 3.2 NC @ 4.5 V ±20V 430 pf @ 15 V - 1.5W（TA）
TK39J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W5，S1VQ 12.2700
RFQ
 ECAD 3287 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 TK39J60 MOSFET （金属 o化物） to-3p n（n） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 38.8A（TA） 10V 65mohm @ 19.4a，10v 3.7V @ 1.9mA 135 NC @ 10 V ±30V 4100 PF @ 300 V - 270W（TC）
RN1105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1105ACT（TPL3） -
RFQ
 ECAD 7215 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN1105 100兆 CST3 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA npn-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 2.2 kohms 47科姆斯
HN1C01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-gr，LF 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 HN1C01 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100NA（ICBO） 2 NPN （双） 250mv @ 10mA，100mA 200 @ 2mA，6v 80MHz
2SA1931,NETQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931，netq（m -
RFQ
 ECAD 6462 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SA1931 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 50 V 5 a 1µA（ICBO） PNP 400mv @ 200mA，2a 100 @ 1A，1V 60MHz
TK6P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6P65W，RQ 1.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK6P65 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 650 v 5.8A（ta） 10V 1.05OHM @ 2.9a，10V 3.5V @ 180µA 11 NC @ 10 V ±30V 390 pf @ 300 V - 60W（TC）
TPC8036-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage tpc8036-h te12l，QM -
RFQ
 ECAD 8992 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8036 MOSFET （金属 o化物） 8-SOP（5.5x6.0） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 18A（18A） 4.5V，10V 4.5MOHM @ 9A，10V 2.3V @ 1mA 49 NC @ 10 V ±20V 4600 PF @ 10 V - 1W（ta）
RN4985FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4985 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 2.2kohms 47kohms
TK4A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A53D（sta4，Q，m） -
RFQ
 ECAD 7821 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK4A53 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 525 v 4A（ta） 10V 1.7OHM @ 2A，10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±30V 490 pf @ 25 V - 35W（TC）
TK10P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10P60W，RVQ 3.0400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK10P60 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 9.7A（ta） 10V 430MOHM @ 4.9A，10V 3.7V @ 500µA 20 nc @ 10 V ±30V 700 pf @ 300 V - 80W（TC）
TK60S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK60S10N1L，LXHQ 1.5800
RFQ
 ECAD 1308 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK60S10 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 100 v 60a（ta） 6V，10V 6.11MOHM @ 30a，10v 3.5V @ 500µA 60 NC @ 10 V ±20V 4320 PF @ 10 V - 180W（TC）
HN3C51F-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-BL（TE85L，f -
RFQ
 ECAD 9019 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 HN3C51 300MW SM6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN （双） 300mv @ 1mA，10mA 350 @ 2mA，6v 100MHz
RN1102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV，L3XHF（ct 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1102 150兆 VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 50 @ 10mA，5V 10 kohms 10 kohms
SSM6P35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35FE，LM -
RFQ
 ECAD 2051 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6P35 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2（p 通道（双） 20V 100mA 8ohm @ 50mA，4V 1V @ 1mA - 12.2pf @ 3V -
TK90S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK90S06N1L，LXHQ 1.7200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK90S06 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 60 V 90A（ta） 4.5V，10V 3.3MOHM @ 45A，10V 2.5V @ 500µA 81 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 10 V - 157W（TC）
RN1412TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1412TE85LF 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1412 200兆 S-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250 MHz 22 KOHMS
RN1408,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1408，LF 0.1900
RFQ
 ECAD 3234 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1408 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 47科姆斯
TPCC8006-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage tpcc8006-h（TE12LQM -
RFQ
 ECAD 1620年 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 TPCC8006 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.3x3.3） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 22a（22a） 4.5V，10V 8mohm @ 11a，10v 2.3V @ 200µA 27 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 10 V - 700MW（TA），27W（27W）TC）
2SC5087YTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5087YTE85LF -
RFQ
 ECAD 9624 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 SC-61AA 2SC5087 150MW smq - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 13DB 12V 80mA NPN 120 @ 20mA，10v 7GHz 1.1db @ 1GHz
TPC8111(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8111（TE12L，Q，M） -
RFQ
 ECAD 7612 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8111 MOSFET （金属 o化物） 8-SOP（5.5x6.0） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 11a（11a） 4V，10V 12MOHM @ 5.5A，10V 2V @ 1mA 107 NC @ 10 V ±20V 5710 PF @ 10 V - 1W（ta）
2SA1680,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680，T6F j -
RFQ
 ECAD 4464 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1680 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 120 @ 100mA，2V 100MHz
TK8P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8P65W，RQ 1.9100
RFQ
 ECAD 8048 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 650 v 7.8A（ta） 10V 670MOHM @ 3.9A，10V 3.5V @ 300µA 16 NC @ 10 V ±30V 570 pf @ 300 V - 80W（TC）
TK55D10J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK55D10J1（Q） -
RFQ
 ECAD 9064 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TK55D10 MOSFET （金属 o化物） TO-220（W） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 55A（ta） 4.5V，10V 10.5MOHM @ 27a，10V 2.3V @ 1mA 110 NC @ 10 V ±20V 5700 PF @ 10 V - 140W（TC）
TPH6R30ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R30ANL，L1Q 1.1500
RFQ
 ECAD 7068 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Powervdfn TPH6R30 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 100 v 66A（TA），45A （TC） 4.5V，10V 6.3MOHM @ 22.5A，10V 2.5V @ 500µA 55 NC @ 10 V ±20V 4300 PF @ 50 V - 2.5W（ta），54W（TC）
TK6P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6P60W，RVQ 1.7400
RFQ
 ECAD 4404 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK6P60 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 6.2a（ta） 10V 820MOHM @ 3.1A，10V 3.7V @ 310µA 12 nc @ 10 V ±30V 390 pf @ 300 V - 60W（TC）
2SA1972,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1972，T6WNLF（j -
RFQ
 ECAD 9783 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1972 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 400 v 500 MA 10µA（ICBO） PNP 1V @ 10mA，100mA 140 @ 20mA，5V 35MHz
2SA1020-Y(T6TR,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y t6tr，A，f -
RFQ
 ECAD 1681年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1020 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
2SD2129,LS4ALPSQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2129，LS4ALPSQ （M -
RFQ
 ECAD 5024 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SD2129 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 100µA（ICBO） NPN 2V @ 12mA，3a 2000 @ 1.5A，3V -
RN2967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2967FE（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 6068 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN2967 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 47kohms
HN1B01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-gr，LF 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 HN1B01 200MW，210MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100NA（ICBO） NPN，PNP 250mv @ 10mA，100mA 200 @ 2mA，6v 150MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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196-LFBGA裸露的垫子

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