晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
RN1105ACT(TPL3)	-	询价	7215	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1105		100毫W	CST3	-		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000													50V	80毫安	500纳安	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	80@10mA，5V		2.2欧姆	47欧姆
SSM6N35AFE，LF	0.4000	询价	43	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6N35	MOSFET（金属O化物）	250毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）		20V	250mA（塔）		1.1欧姆@150mA，4.5V	1V@100μA	0.34nC@4.5V		36pF@10V	逻辑电平门，1.2V驱动
2SA1869-Y(JKT,Q,M)	-	询价	5990	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1869		10W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1													50V	3A	1μA（ICBO）	国民党	600mV@200mA，2A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TPCA8007-H(TE12L,Q	-	询价	8492	东芝半导体和存储	*	切带 (CT)	过时的				TPCA8007				下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000
2SC3665-Y,T2F(J	-	询价	2388	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC3665		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1													120V	800毫安	100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
SSM6P36FE,LM	0.4300	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6P36	MOSFET（金属O化物）	150毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 P 沟道（双）		20V	330毫安		1.31欧姆@100mA，4.5V	1V@1mA	1.2nC@4V		43pF@10V	逻辑电平门
2SD2206(T6CNO,A,F)	-	询价	7218	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SD2206		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													100伏	2A	10μA（ICBO）	NPN	1.5V@1mA，1A	2000 @ 1A，2V	100兆赫兹
SSM6L11TU(TE85L,F)	-	询价	8093	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6L11	MOSFET（金属O化物）	500毫W	六氯化铀	-		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道		20V	500毫安		145mOhm@250MA，4V	1.1V@100μA	-		268pF@10V	逻辑电平门
RN1318(TE85L,F)	0.2800	询价	第470章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1318		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	10欧姆
2SK2962(T6CANO,A,F	-	询价	8525	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SK2962			TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1				1A（Tj）
TK7A65D(STA4,Q,M)	2.2100	询价	50	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK7A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	7A（塔）	10V	980毫欧@3.5A，10V	4V@1mA	24nC@10V	±30V	1200pF@25V	-	45W（温度）
2SC2383-O,T6ALPF(M	-	询价	6758	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2383		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													160伏	1A	1μA（ICBO）	NPN	1.5V@50mA、500mA	60@200mA，5V	100兆赫兹
RN2606(TE85L,F)	0.4800	询价	910	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN2606		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
RN2902FE(T5L,F,T)	-	询价	3710	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2902		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	10k欧姆
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)	1.2600	询价	9068	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ8S06	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道	60V	8A（塔）	6V、10V	104mOhm@4A，10V	3V@1mA	19nC@10V	+10V，-20V	10V时为890pF	-	27W（温度）
2SC2229(TE6SAN1F,M	-	询价	3354	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2229		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													150伏	50毫安	100nA（ICBO）	NPN	500mV@1mA、10mA	70@10mA，5V	120兆赫
TK4P60D,RQ	0.9200	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	600伏	4A（塔）	10V	1.7欧姆@2A，10V	4.4V@1mA	12nC@10V	±30V	600pF@25V	-	100W（温度）
TPH2R903PL,L1Q	0.9400	询价	8110	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	70A（温度）	4.5V、10V	2.9毫欧@35A，10V	2.1V@200μA	26nC@10V	±20V	2300pF@15V	-	960mW（Ta）、81W（Tc）
2SC2229-Y(麻省理工学院,女,男)	-	询价	4110	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2229		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													150伏	50毫安	100nA（ICBO）	NPN	500mV@1mA、10mA	70@10mA，5V	120兆赫
2SC2655-Y,T6F(J	-	询价	7873	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
2SK3466(TE24L,Q)	-	询价	2985	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-97	2SK3466	MOSFET（金属O化物）		4-TFP (9.2x9.2)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道	500V	5A（塔）	10V	1.5欧姆@5A，10V	4V@1mA	17nC@10V	±30V	780pF@10V	-	50W（温度）
HN3C51F-BL(TE85L,F	-	询价	9019	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	HN3C51		300毫W	SM6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													120V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN（双）	300mV@1mA、10mA	350@2mA，6V	100兆赫兹
TK25V60X,LQ	2.5193	询价	9782	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	TK25V60	MOSFET（金属O化物）		4-DFN-EP (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	TK25V60XLQ	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	600伏	25A（塔）	10V	135毫欧@7.5A，10V	3.5V@1.2mA	40nC@10V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	180W（温度）
RN2507(TE85L,F)	0.4800	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74A、SOT-753	RN2507		300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
2SC2235-Y,T6KEHF(M	-	询价	6525	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													120V	800毫安	100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
2SC5359-O(Q)	3.4000	询价	74	东芝半导体和存储	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3PL	2SC5359		180W	TO-3P(L)	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0075	100													230伏	15A	5μA（ICBO）	NPN	3V@800mA，8A	80@1A，5V	30兆赫兹
SSM3J378R，LF	0.3800	询价	46	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J378	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	6A（塔）	1.5V、4.5V	29.8毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	12.8nC@4.5V	+6V、-8V	10V时为840pF	-	1W（塔）
TW083N65C,S1F	12.7900	询价	175	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-247-3		SiCFET（碳化硅）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	650伏	30A（温度）	18V	113毫欧@15A，18V	5V@600μA	28nC@18V	+25V，-10V	873 pF @ 400 V	-	111W（温度）
TK10P60W,RVQ	3.0400	询价	11	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK10P60	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	600伏	9.7A（塔）	10V	430毫欧@4.9A，10V	3.7V@500μA	20nC@10V	±30V	700 pF @ 300 V	-	80W（温度）
TTA006B,Q	0.6200	询价	103	东芝半导体和存储	-	托盘	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3			1.5W	TO-126N	下载		1（无限制）	264-TTA006BQ	EAR99	8541.29.0095	250													230伏	1A	200nA（ICBO）	国民党	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	70兆赫兹

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²