晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	应用领域	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
XPN6R706NC,L1XHQ	1.4200	询价	29	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃		表面贴装	8-PowerVDFN	XPN6R706	MOSFET（金属O化物）		8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		60V	40A（塔）	4.5V、10V	6.7毫欧@20A，10V	2.5V@300μA	35nC@10V	±20V	2000pF@10V	-	840mW（Ta）、100W（Tc）
TK7R0E08QM,S1X	1.4500	询价	172	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	管子	的积极		175℃		通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		80V	64A（温度）	6V、10V	7毫欧@32A，10V	3.5V@500μA	39nC@10V	±20V	2700pF@40V	-	87W（温度）
TDTC144E,LM	0.1800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TDTC144		320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	77@5mA，5V	250兆赫	47欧姆
TPCP8F01(TE85L,F,M	-	询价	3838	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	20V		负载开关	表面贴装	8-SMD，写入	TPCP8			PS-8	下载	符合RoHS标准		TPCP8F01(TE85LFM	EAR99	8541.21.0095	3,000			3A														PNP、N沟道
TTA1713-GR,LF	0.3100	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TTA1713		200毫W	S-迷你型	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000														45V	500毫安	100nA（ICBO）	国民党	400毫伏@50毫安，500毫安	180@100mA，1V	80兆赫
TJ40S04M3L(T6L1,NQ	1.7200	询价	1939年	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		175°C（太焦）		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ40S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道		40V	40A（塔）	6V、10V	9.1毫欧@20A，10V	3V@1mA	83nC@10V	+10V，-20V	10V时为4140pF	-	68W（温度）
2SA1680,T6F(J	-	询价	4464	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1680		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1														50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	120@100mA，2V	100兆赫兹
SSM3K121TU	-	询价	6715	东芝半导体和存储	-	大部分	的积极		150℃		表面贴装	3-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		UFM	下载			264-SSM3K121TU	EAR99	8541.21.0095	1		N沟道		20V	3.2A（塔）	1.5V、4V	48毫欧@2A、4V	1V@1mA	5.9nC@4V	±10V	400pF@10V	-	500毫W（塔）
2SD2206(T6CNO,A,F)	-	询价	7218	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SD2206		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1														100V	2A	10μA（ICBO）	NPN	1.5V@1mA、1A	2000 @ 1A，2V	100兆赫兹
RN4986FE,LF(CT	0.2600	询价	4319	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4986		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000														50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
SSM6N39TU,LF	0.4900	询价	7160	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃		表面贴装	6-SMD，写入	SSM6N39	MOSFET（金属O化物）	500毫W	六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			20V	1.6A（塔）		119毫欧@1A，4V	1V@1mA	7.5nC@4V		260pF@10V	-
RN2131MFV，L3F	0.1800	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SOT-723	RN2131		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000														50V	100毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		100欧姆
TPC8115(TE12L,Q,M)	-	询价	7961	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）		表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8115	MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		20V	10A（塔）	1.8V、4.5V	10毫欧@5A，4.5V	1.2V@200μA	115nC@5V	±8V	9130pF@10V	-	1W（塔）
TK90S06N1L,LXHQ	1.7200	询价	9	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK90S06	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		60V	90A（塔）	4.5V、10V	3.3毫欧@45A，10V	2.5V@500μA	10V时为81nC	±20V	5400pF@10V	-	157W（温度）
TPCA8057-H,LQ(M	-	询价	第1274章	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）		表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8057	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	42A（塔）	4.5V、10V	2.6毫欧@21A，10V	2.3V@500μA	61nC@10V	±20V	5200pF@10V	-	1.6W（Ta）、57W（Tc）
SSM6K361NU，LF	0.4500	询价	27	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		150℃		表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6K361	MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100V	3.5A（塔）	4.5V、10V	69毫欧@2A，10V	2.5V@100μA	3.2nC@4.5V	±20V	15V时为430pF	-	1.25W（塔）
TPH1500CNH1,LQ	1.6600	询价	9158	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃		表面贴装	8-PowerTDFN	TPH1500	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5.75)	下载		1（无限制）				5,000		N沟道		150伏	74A（Ta）、38A（Tc）	10V	15.4毫欧@19A，10V	4V@1mA		±20V	2200pF@75V	-	2.5W（Ta）、170W（Tc）
RN1107,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1107		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	47欧姆
SSM6L35FU(TE85L,F)	0.4000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6L35	MOSFET（金属O化物）	200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道			20V	180毫安、100毫安		3欧姆@50mA，4V	1V@1mA	-		9.5pF@3V	逻辑电平门，1.2V驱动
RN2105CT(TPL3)	-	询价	2702	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的				表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2105		50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000														20V	50毫安	500纳安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@10mA，5V		2.2欧姆	47欧姆
2SC2235-Y,T6USNF(M	-	询价	4600	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1														120V	800毫安	100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
2SC2713-GR，LF	0.3000	询价	8061	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC2713		150毫W	TO-236	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000														120V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN	300mV@1mA、10mA	200@2mA，6V	100兆赫兹
TTC008(Q)	0.8400	询价	6705	东芝半导体和存储	-	大部分	的积极		150°C（太焦）		通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	TTC008		1.1W	PW-模具2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TTC008Q	EAR99	8541.29.0095	200														285V	1.5A	10μA（ICBO）	NPN	1V@62.5mA、500mA	80@1mA，5V	-
TK62J60W,S1VQ	16.3700	询价	20	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极		150°C（太焦）		通孔	TO-3P-3、SC-65-3	TK62J60	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	25		N沟道		600伏	61.8A（塔）	10V	38毫欧@30.9A，10V	3.7V@3.1mA	180nC@10V	±30V	6500 pF @ 300 V	-	400W（温度）
2SA1428-O,T2CLAF(J	-	询价	6034	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	SC-71	2SA1428		900毫W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1														50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
2SC3328-Y,HOF(M	-	询价	3114	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC3328		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1														80V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN2302,LXHF	0.3900	询价	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2302		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	10欧姆
RN4990FE,LF(CT	0.2600	询价	6683	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4990		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000														50V	100毫安	100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫、200兆赫	4.7k欧姆	-
HN1C01FE-Y,LF	0.3000	询价	9838	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）		表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN1C01		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000														50V	150毫安	100nA（ICBO）	2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
2SA1020-Y,T6NSF(J	-	询价	2103	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	2SA1020-YT6NSF(J	EAR99	8541.21.0075	1														50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²