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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 场效应管类型 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 噪声系数(dB Typ @ f)
TK5A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A53D(STA4,Q,M) 1.3700
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ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 π-MOSVII 管子 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 TK5A53 MOSFET(金属O化物) TO-220SIS 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 525伏 5A(塔) 10V 1.5欧姆@2.5A,10V 4.4V@1mA 11nC@10V ±30V 540pF@25V - 35W(温度)
TK20V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20V60W5,LVQ 3.0900
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ECAD 133 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSIV 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 4-VSFN 裸露焊盘 TK20V60 MOSFET(金属O化物) 4-DFN-EP (8x8) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 600伏 20A(塔) 10V 190毫欧@10A,10V 4.5V@1mA 55nC@10V ±30V 1800 pF @ 300 V - 156W(温度)
TPN4R303NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R303NL,L1Q 0.8900
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ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSVIII-H 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN TPN4R303 MOSFET(金属O化物) 8-TSON 高级 (3.1x3.1) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 5,000 N沟道 30V 40A(温度) 4.5V、10V 4.3毫欧@20A,10V 2.3V@200μA 14.8nC@10V ±20V 1400pF@15V - 700mW(Ta)、34W(Tc)
TK25S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25S06N1L,LQ 1.0300
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ECAD 5833 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSVIII-H 卷带式 (TR) 的积极 175℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 TK25S06 MOSFET(金属O化物) DPAK+ - 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,000 N沟道 60V 25A(塔) 4.5V、10V 18.5毫欧@12.5A,10V 2.5V@100μA 15nC@10V ±20V 10V时为855pF - 57W(温度)
RN4903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903,LF(CT 0.2800
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ECAD 3539 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 RN4903 200毫W 美国6号 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100毫安 500纳安 1 NPN、1 PNP - 预偏置(双) 300mV@250μA,5mA 70@10mA,5V 200兆赫、250兆赫 22k欧姆 22k欧姆
HN4C06J-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN4C06J-BL(TE85L,F 0.1088
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ECAD 3999 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74A、SOT-753 HN4C06 300毫W SMV 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 100毫安 100nA(ICBO) 2 NPN(双)共发射极 300mV@1mA、10mA 200@2mA,6V 100兆赫兹
RN2111,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2111,LXHF(CT 0.3300
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ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-75、SOT-416 RN2111 100毫W SSM 下载 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 100nA(ICBO) PNP - 预偏置 300mV@250μA,5mA 120@1mA,5V 200兆赫 10欧姆
2SC5088-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5088-O(TE85L,F) -
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ECAD 8450 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 125°C(太焦) 表面贴装 SC-82A、SOT-343 2SC5088 100毫W 南昆士兰大学 - 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 3,000 18分贝 12V 80毫安 NPN 80@20mA,10V 7GHz 1dB@500MHz
SSM6K361NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K361NU,LF 0.4500
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ECAD 27 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSVIII-H 卷带式 (TR) 的积极 150℃ 表面贴装 6-WDFN 裸露焊盘 SSM6K361 MOSFET(金属O化物) 6-UDFNB (2x2) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 100伏 3.5A(塔) 4.5V、10V 69毫欧@2A,10V 2.5V@100μA 3.2nC@4.5V ±20V 15V时为430pF - 1.25W(塔)
RN2427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2427TE85LF 0.4200
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ECAD 4924 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 RN2427 200毫W S-迷你型 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 800毫安 500纳安 PNP - 预偏置 250mV@1mA、50mA 90@100mA,1V 200兆赫 2.2欧姆 10欧姆
RN1905(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1905(T5L,F,T) 0.3400
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ECAD 51 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 RN1905 200毫W 美国6号 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 500纳安 2 NPN - 预偏置(双) 300mV@250μA,5mA 80@10mA,5V 250兆赫 2.2k欧姆 47k欧姆
SSM3K44FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K44FS,LF 0.2800
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ECAD 24 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150℃ 表面贴装 SC-75、SOT-416 SSM3K44 MOSFET(金属O化物) SSM 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 30V 100mA(塔) 2.5V、4V 4欧姆@10mA,4V 1.5V@100μA ±20V 8.5pF@3V - 150毫W(塔)
2SA1020-Y,T6NSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y,T6NSF(J -
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ECAD 2103 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 2SA1020 900毫W TO-92MOD 下载 1(无限制) 2SA1020-YT6NSF(J EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) 国民党 500mV@50mA,1A 70@500mA,2V 100兆赫兹
2SA1837,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837,WNLF(J -
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ECAD 5431 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 2SA1837 2W TO-220NIS 下载 1(无限制) EAR99 8541.29.0075 1 230伏 1A 1μA(ICBO) 国民党 1.5V@50mA、500mA 100@100mA,5V 70兆赫兹
2SA1428-O,T2CLAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-O,T2CLAF(J -
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ECAD 6034 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 SC-71 2SA1428 900毫W MSTM 下载 1(无限制) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) 国民党 500mV@50mA,1A 70@500mA,2V 100兆赫兹
TK62J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK62J60W,S1VQ 16.3700
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ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSIV 管子 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 TK62J60 MOSFET(金属O化物) TO-3P(N) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 25 N沟道 600伏 61.8A(塔) 10V 38毫欧@30.9A,10V 3.7V@3.1mA 180nC@10V ±30V 6500 pF @ 300 V - 400W(温度)
2SA1588-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1588-GR,LF 0.2700
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ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 125°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 2SA1588 100毫W SC-70 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 500毫安 100nA(ICBO) 国民党 250毫伏@10毫安,100毫安 200@100mA,1V 200兆赫
2SC4116-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-Y,LF 0.1800
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ECAD 25 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 125°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 2SC4116 100毫W SC-70 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150毫安 100nA(ICBO) NPN 250毫伏@10毫安,100毫安 120@2mA,6V 80兆赫
2SD2695,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695,T6F(米 -
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ECAD 9931 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 2SD2695 900毫W TO-92MOD 下载 1(无限制) EAR99 8541.21.0075 1 60V 2A 10μA(ICBO) NPN 1.5V@1mA,1A 2000 @ 1A,2V 100兆赫兹
TK13A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A60D(STA4,Q,M) -
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ECAD 6841 0.00000000 东芝半导体和存储 π-MOSVII 管子 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 TK13A60 MOSFET(金属O化物) TO-220SIS 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 600伏 13A(塔) 10V 430毫欧@6.5A,10V 4V@1mA 40nC@10V ±30V 2300pF@25V - 50W(温度)
RN1116MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1116MFV,L3F 0.1800
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ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOT-723 RN1116 150毫W VESM 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100毫安 500纳安 NPN - 预偏置 300mV@250μA,5mA 50@10mA,5V 250兆赫 4.7欧姆 10欧姆
RN2963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2963FE(TE85L,F) -
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ECAD 第1154章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SOT-563、SOT-666 RN2963 100毫W ES6 - 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100毫安 100nA(ICBO) 2 PNP - 预偏置(双) 300mV@250μA,5mA 70@10mA,5V 200兆赫 22k欧姆 22k欧姆
SSM3K357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K357R,LF 0.4000
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ECAD 82 0.00000000 东芝半导体和存储 π-MOSV 卷带式 (TR) 的积极 150℃ 表面贴装 SOT-23-3 读写 SSM3K357 MOSFET(金属O化物) SOT-23F 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 60V 650mA(塔) 3V、5V 1.8欧姆@150mA,5V 2V@1mA 1.5nC@5V ±12V 60pF@12V - 1W(塔)
RN2904,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2904,LF -
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ECAD 6480 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 RN2904 200毫W 美国6号 下载 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 500纳安 2 PNP - 预偏置(双) 300mV@250μA,5mA 80@10mA,5V 200兆赫 47k欧姆 47k欧姆
2SC4213BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213BTE85LF 0.4400
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ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 125°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 2SC4213 100毫W SC-70 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 3,000 20V 300毫安 100nA(ICBO) NPN 100mV@3mA,30A 350@4mA,2V 30兆赫兹
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111(TE85L,F) 0.6300
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ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MT3S111 700毫W S-迷你型 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0075 3,000 12分贝 6V 100毫安 NPN 200@30mA,5V 11.5GHz 1.2dB@1GHz
RN2105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105ACT(TPL3) 0.0527
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ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-101、SOT-883 RN2105 100毫W CST3 - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 80毫安 500纳安 PNP - 预偏置 150mV@250μA,5mA 80@10mA,5V 2.2欧姆 47欧姆
TPHR9203PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9203PL1,LQ 1.7200
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ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSIX-H 卷带式 (TR) 的积极 175℃ 表面贴装 8-PowerTDFN MOSFET(金属O化物) 8-SOP 高级 (5x5.75) - 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 5,000 N沟道 30V 150A(温度) 4.5V、10V 0.92毫欧@50A,10V 2.1V@500μA 10V时为81nC ±20V 7540pF@15V - 960mW(Ta)、170W(Tc)
2SC5201(T6MURATAFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201(T6村田FM -
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ECAD 5065 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 2SC5201 900毫W TO-92MOD 下载 1(无限制) 2SC5201T6村田FM EAR99 8541.21.0095 1 600伏 50毫安 1μA(ICBO) NPN 1V@500mA、20mA 100@20mA,5V -
HN4A51JTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN4A51JTE85LF 0.4500
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ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74A、SOT-753 HN4A51 300毫W SMV 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 100毫安 100nA(ICBO) 2 PNP(双) 300mV@1mA、10mA 200@2mA,6V 100兆赫兹
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库