晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
SSM3K44FS,LF	0.2800	询价	24	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-75、SOT-416	SSM3K44	MOSFET（金属O化物）		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		30V	100mA（塔）	2.5V、4V	4欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	8.5pF@3V	-	150毫W（塔）
TK65G10N1,RQ	-	询价	7711	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	TK65G10	MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		100伏	65A（塔）	10V	4.5毫欧@32.5A，10V	4V@1mA	10V时为81nC	±20V	5400pF@50V	-	156W（温度）
SSM6P41FE(TE85L,F)	0.4200	询价	22	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6P41	MOSFET（金属O化物）	150毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 P 沟道（双）			20V	720毫安		300毫欧@400毫安，4.5伏	1V@1mA	1.76nC@4.5V		110pF@10V	逻辑电平门
MT3S20P(TE12L,F)	-	询价	2879	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	MT3S20		1.8W	PW-MINI	-	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1,000			16.5分贝											12V	80毫安		NPN		100@50mA，5V	7GHz			1.45dB@1GHz
SSM6J50TU,LF	0.3900	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6J50	MOSFET（金属O化物）		六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		20V	2.5A（塔）	2V、4.5V	64毫欧@1.5A，4.5V	1.2V@200μA		±10V	800pF@10V	-	500毫W（塔）
RN2711JE(TE85L,F)	0.4700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-553	RN2711		100毫W	ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000														50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10k欧姆	-
TK20V60W5,LVQ	3.0900	询价	133	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	TK20V60	MOSFET（金属O化物）		4-DFN-EP (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		600伏	20A（塔）	10V	190毫欧@10A，10V	4.5V@1mA	55nC@10V	±30V	1800 pF @ 300 V	-	156W（温度）
TK5A53D(STA4,Q,M)	1.3700	询价	50	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK5A53	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		525伏	5A（塔）	10V	1.5欧姆@2.5A，10V	4.4V@1mA	11nC@10V	±30V	540pF@25V	-	35W（温度）
TPN4R203NC，L1Q	0.4595	询价	第1481章	东芝半导体和存储	U-MOSVIII	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN4R203	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	23A（塔）	4.5V、10V	4.2毫欧@11.5A，10V	2.3V@200μA	24nC@10V	±20V	1370pF@15V	-	700mW（Ta）、22W（Tc）
TK13A60D(STA4,Q,M)	-	询价	6841	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK13A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		600伏	13A（塔）	10V	430毫欧@6.5A，10V	4V@1mA	40nC@10V	±30V	2300pF@25V	-	50W（温度）
RN1116MFV，L3F	0.1800	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1116		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	8,000														50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	10欧姆
RN2963FE(TE85L,F)	-	询价	第1154章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2963		100毫W	ES6	-		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000														50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	22k欧姆
TK155U65Z,RQ	3.4000	询价	3	东芝半导体和存储	DTMOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	8-PowerSFN		MOSFET（金属O化物）		收费	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		650伏	18A（塔）	10V	155mOhm@9A，10V	4V@730μA	29nC@10V	±30V	1635pF@300V	-	150W（温度）
2SA1680,T6SCMDF(J	-	询价	3084	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1680		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1														50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	120@100mA，2V	100兆赫兹
2SK2266(TE24R,Q)	-	询价	2638	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SK2266	MOSFET（金属O化物）		TO-220SM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		60V	45A（塔）	4V、10V	30毫欧@25A，10V	2V@1mA	60nC@10V	±20V	1800pF@10V	-	65W（温度）
2SA1020-Y(女、男)	-	询价	9152	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1														50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN4611(TE85L,F)	0.0865	询价	3988	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN4611		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	100毫安	100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10k欧姆	-
RN1408,LF	0.1900	询价	3234	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1408		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	47欧姆
RN1406,LXHF	0.0645	询价	7373	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1406		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	47欧姆
TPH1R306P1,L1Q	2.4900	询价	3131	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH1R306	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		60V	100A（温度）	4.5V、10V	1.28毫欧@50A，10V	2.5V@1mA	91nC@10V	±20V	8100pF@30V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）
RN1104,LXHF(CT	0.3300	询价	4	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1104		100毫W	SSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	47欧姆
XPQR3004PB,LXHQ	6.7900	询价	2	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerBSFN	XPQR3004	MOSFET（金属O化物）		L-TOGL™	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道		40V	400A（塔）	6V、10V	0.3毫欧@200A，10V	3V@1mA	295nC@10V	±20V	26910pF@10V	-	750W（温度）
SSM3J14TTE85LF	-	询价	8348	东芝半导体和存储	U-MOSII	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3J14	MOSFET（金属O化物）		TSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		30V	2.7A（塔）	4V、10V	85毫欧@1.35A，10V	-		±20V	15V时为413pF	-	700毫W（塔）
2SC3324-BL(TE85L,F	-	询价	9331	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC3324		150毫W	TO-236	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000														120V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN	300mV@1mA、10mA	350@2mA，6V	100兆赫兹
TK430A60F,S4X(S	-	询价	5192	东芝半导体和存储	U-MOSIX	大部分	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载			EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		600伏	13A（塔）	10V	430毫欧@6.5A，10V	4V@1.75mA	48nC@10V	±30V	1940 pF @ 300 V	-	45W（温度）
RN1906FE(T5L,F,T)	-	询价	2896	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1906		100毫W	ES6	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000														50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
2SC3668-Y,T2F(J	-	询价	3546	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC3668		1W	MSTM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	1														50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TK31J60W,S1VQ	9.3800	询价	15	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	TK31J60	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	25		N沟道		600伏	30.8A（塔）	10V	88毫欧@15.4A，10V	3.7V@1.5mA	86nC@10V	±30V	3000 pF @ 300 V	-	230W（温度）
TK40S10K3Z(T6L1,NQ	-	询价	6132	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK40S10	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		100伏	40A（塔）	10V	18毫欧@20A，10V	4V@1mA	61nC@10V	±20V	10V时为3110pF	-	93W（温度）
TK39J60W5,S1VQ	12.2700	询价	3287	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	TK39J60	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	25		N沟道		600伏	38.8A（塔）	10V	65毫欧@19.4A，10V	3.7V@1.9mA	135nC@10V	±30V	4100 pF @ 300 V	-	270W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²