晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
TK5A53D(STA4,Q,M)	1.3700	询价	50	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK5A53	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		525伏	5A（塔）	10V	1.5欧姆@2.5A，10V	4.4V@1mA	11nC@10V	±30V	540pF@25V	-	35W（温度）
TK20V60W5,LVQ	3.0900	询价	133	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	TK20V60	MOSFET（金属O化物）		4-DFN-EP (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道		600伏	20A（塔）	10V	190毫欧@10A，10V	4.5V@1mA	55nC@10V	±30V	1800 pF @ 300 V	-	156W（温度）
TPN4R303NL,L1Q	0.8900	询价	4	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN4R303	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000	N沟道		30V	40A（温度）	4.5V、10V	4.3毫欧@20A，10V	2.3V@200μA	14.8nC@10V	±20V	1400pF@15V	-	700mW（Ta）、34W（Tc）
TK25S06N1L,LQ	1.0300	询价	5833	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK25S06	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000	N沟道		60V	25A（塔）	4.5V、10V	18.5毫欧@12.5A，10V	2.5V@100μA	15nC@10V	±20V	10V时为855pF	-	57W（温度）
RN4903,LF(CT	0.2800	询价	3539	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4903		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	22k欧姆	22k欧姆
HN4C06J-BL(TE85L,F	0.1088	询价	3999	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	150°C（太焦）	表面贴装	SC-74A、SOT-753	HN4C06		300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													120V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN（双）共发射极	300mV@1mA、10mA	200@2mA，6V	100兆赫兹
RN2111,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2111		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10欧姆
2SC5088-O(TE85L,F)	-	询价	8450	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	SC-82A、SOT-343	2SC5088		100毫W	南昆士兰大学	-		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		18分贝											12V	80毫安		NPN		80@20mA，10V	7GHz			1dB@500MHz
SSM6K361NU，LF	0.4500	询价	27	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6K361	MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道		100伏	3.5A（塔）	4.5V、10V	69毫欧@2A，10V	2.5V@100μA	3.2nC@4.5V	±20V	15V时为430pF	-	1.25W（塔）
RN2427TE85LF	0.4200	询价	4924	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2427		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	800毫安	500纳安	PNP - 预偏置	250mV@1mA、50mA	90@100mA，1V	200兆赫	2.2欧姆	10欧姆
RN1905(T5L,F,T)	0.3400	询价	51	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1905		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
SSM3K44FS,LF	0.2800	询价	24	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-75、SOT-416	SSM3K44	MOSFET（金属O化物）		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道		30V	100mA（塔）	2.5V、4V	4欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	8.5pF@3V	-	150毫W（塔）
2SA1020-Y,T6NSF(J	-	询价	2103	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	2SA1020-YT6NSF(J	EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
2SA1837,WNLF(J	-	询价	5431	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1837		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1													230伏	1A	1μA（ICBO）	国民党	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	70兆赫兹
2SA1428-O,T2CLAF(J	-	询价	6034	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SA1428		900毫W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TK62J60W,S1VQ	16.3700	询价	20	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	TK62J60	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	25	N沟道		600伏	61.8A（塔）	10V	38毫欧@30.9A，10V	3.7V@3.1mA	180nC@10V	±30V	6500 pF @ 300 V	-	400W（温度）
2SA1588-GR，LF	0.2700	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SA1588		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													30V	500毫安	100nA（ICBO）	国民党	250毫伏@10毫安，100毫安	200@100mA，1V	200兆赫
2SC4116-Y，LF	0.1800	询价	25	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC4116		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	150毫安	100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
2SD2695,T6F(米	-	询价	9931	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SD2695		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													60V	2A	10μA（ICBO）	NPN	1.5V@1mA，1A	2000 @ 1A，2V	100兆赫兹
TK13A60D(STA4,Q,M)	-	询价	6841	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK13A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道		600伏	13A（塔）	10V	430毫欧@6.5A，10V	4V@1mA	40nC@10V	±30V	2300pF@25V	-	50W（温度）
RN1116MFV，L3F	0.1800	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1116		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	8,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	10欧姆
RN2963FE(TE85L,F)	-	询价	第1154章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2963		100毫W	ES6	-		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	22k欧姆
SSM3K357R，LF	0.4000	询价	82	东芝半导体和存储	π-MOSV	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3K357	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道		60V	650mA（塔）	3V、5V	1.8欧姆@150mA，5V	2V@1mA	1.5nC@5V	±12V	60pF@12V	-	1W（塔）
RN2904，LF	-	询价	6480	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2904		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
2SC4213BTE85LF	0.4400	询价	15	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC4213		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													20V	300毫安	100nA（ICBO）	NPN	100mV@3mA，30A	350@4mA，2V	30兆赫兹
MT3S111(TE85L,F)	0.6300	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MT3S111		700毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000		12分贝											6V	100毫安		NPN		200@30mA，5V	11.5GHz			1.2dB@1GHz
RN2105ACT(TPL3)	0.0527	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2105		100毫W	CST3	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000													50V	80毫安	500纳安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	80@10mA，5V		2.2欧姆	47欧姆
TPHR9203PL1,LQ	1.7200	询价	19	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerTDFN		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5.75)	-		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000	N沟道		30V	150A（温度）	4.5V、10V	0.92毫欧@50A，10V	2.1V@500μA	10V时为81nC	±20V	7540pF@15V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）
2SC5201(T6村田FM	-	询价	5065	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC5201		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	2SC5201T6村田FM	EAR99	8541.21.0095	1													600伏	50毫安	1μA（ICBO）	NPN	1V@500mA、20mA	100@20mA，5V	-
HN4A51JTE85LF	0.4500	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-74A、SOT-753	HN4A51		300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													120V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP（双）	300mV@1mA、10mA	200@2mA，6V	100兆赫兹

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²