晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SC6026MFV-Y,L3F	0.1900	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	2SC6026		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000													50V	150毫安	100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	60兆赫
RN2709，LF	0.3100	询价	8528	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN2709		200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
SSM6K518NU，LF	0.4100	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6K518	MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	6A（塔）	1.5V、4.5V	33毫欧@4A，4.5V	1V@1mA	3.6nC@4.5V	±8V	10V时为410pF	-	1.25W（塔）
2SA2154MFVGR，L3F	0.1900	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	2SA2154		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000													50V	150毫安	100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
XPW6R30ANB,L1XHQ	1.9800	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	XPW6R30	MOSFET（金属O化物）		8-DSOP 高级	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	100V	45A（塔）	6V、10V	6.3毫欧@22.5A，10V	3.5V@500μA	52nC@10V	±20V	10V时为3240pF	-	960mW（Ta）、132W（Tc）
SSM6P35FE(TE85L,F)	0.4400	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6P35	MOSFET（金属O化物）	150毫W	ES6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 P 沟道（双）		20V	100毫安		8欧姆@50mA，4V	1V@1mA	-		12.2pF@3V	逻辑电平门
RN4902FE(TE85L,F)	-	询价	4313	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4902		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	10k欧姆
TPN1200APL,L1Q	0.8500	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN		MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	100V	40A（温度）	4.5V、10V	11.5毫欧@20A，10V	2.5V@300μA	24nC@10V	±20V	1855pF@50V	-	630mW（Ta）、104W（Tc）
TK9P65W,RQ	0.8760	询价	2610	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK9P65	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	650伏	9.3A（塔）	10V	560毫欧@4.6A，10V	3.5V@350μA	20nC@10V	±30V	700 pF @ 300 V	-	80W（温度）
RN1403,LF	0.2200	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1403		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	22欧姆
RN2109,LF(CT	0.2000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2109		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	22欧姆
TK16N60W,S1VF	4.1900	询价	7281	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK16N60	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	600伏	15.8A（塔）	10V	190毫欧@7.9A，10V	3.7V@790μA	38nC@10V	±30V	1350 pF @ 300 V	-	130W（温度）
RN2106,LF(CT	0.2000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2106		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	47欧姆
TK7A60W,S4VX	1.9200	询价	1040	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK7A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	7A（塔）	10V	600毫欧@3.5A，10V	3.7V@350μA	15nC@10V	±30V	490 pF @ 300 V	-	30W（温度）
TK1R4F04PB,LXGQ	2.7300	询价	第885章	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	TK1R4F04	MOSFET（金属O化物）		TO-220SM(W)	下载		3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	40V	160A（塔）	6V、10V	1.9毫欧@80A，6V	3V@500μA	10V时为103nC	±20V	5500pF@10V	-	205W（温度）
SSM6K217FE,LF	0.3700	询价	37	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6K217	MOSFET（金属O化物）		ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000		N沟道	40V	1.8A（塔）	1.8V、8V	195mOhm@1A，8V	1.2V@1mA	1.1nC@4.2V	±12V	130pF@10V	-	500毫W（塔）
RN1903,LXHF(CT	0.3600	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1903		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	22k欧姆
TK2P90E,RQ	1.1900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	900伏	2A（塔）	10V	5.9欧姆@1A，10V	4V@200μA	12nC@10V	±30V	500pF@25V	-	80W（温度）
RN2115,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2115		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	2.2欧姆	10欧姆
TK3R2A10PL,S4X	2.9400	询价	99	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-220-3全包	TK3R2A10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100V	100A（温度）	4.5V、10V	3.2毫欧@50A，10V	2.5V@1mA	161nC@10V	±20V	9500pF@50V	-	54W（温度）
TK35N65W5,S1F	9.0900	询价	7466	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK35N65	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	650伏	35A（塔）	10V	95毫欧@17.5A，10V	4.5V@2.1mA	115nC@10V	±30V	4100 pF @ 300 V	-	270W（温度）
TPH9R00CQH,LQ	2.0000	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）	264-TPH9R00CQHLQTR	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	150伏	64A（温度）	8V、10V	9毫欧@32A，10V	4.3V@1mA	44nC@10V	±20V	5400pF@75V	-	960mW（Ta）、210W（Tc）
RN2409,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2409		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	22欧姆
RN2101,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2101		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
RN2404,LXHF	0.0645	询价	7148	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2404		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	47欧姆
2SC6100，低频	0.5300	询价	42	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	2SC6100		500毫W	UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	2.5安	100nA（ICBO）	NPN	140mV@20mA，1A	400@300mA，2V	-
RN4984,LXHF(CT	0.4400	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4984		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
TK40S06N1L,LXHQ	1.0700	询价	20	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK40S06	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	60V	40A（塔）	4.5V、10V	18毫欧@20A，10V	2.5V@200μA	26nC@10V	±20V	1650pF@10V	-	88.2W（温度）
RN2424(TE85L,F)	0.4100	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2424		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	800毫安	500纳安	PNP - 预偏置	250mV@1mA、50mA	90@100mA，1V	200兆赫	10欧姆	10欧姆
TK30E06N1,S1X	0.9400	询价	6995	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK30E06	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	60V	43A（塔）	10V	15毫欧@15A，10V	4V@200μA	16nC@10V	±20V	1050pF@30V	-	53W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²