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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
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TPN3300ANH，LQ	0.9000	RFQ	7	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN3300	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.3x3.3）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	9.4A（TC）	10V	33mohm @ 4.7A，10V	4V @ 100µA	11 NC @ 10 V	±20V	880 pf @ 50 V	-	700MW（TA），27W（27W）TC）
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RN4989（TE85L，F）	0.3400	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4989		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250MHz，200MHz	47kohms	22KOHMS
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tpc8092，lq（s	-	RFQ	8376	东芝半导体和存储	U-Mosvii	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8092	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	15A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 7.5A，10V	2.3V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 10 V	-	1W（ta）
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2SC4738-Y，LF	0.2000	RFQ	8	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	2SC4738		100兆	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
tpca8010-h te12l，q	-	RFQ	9297	东芝半导体和存储	π-MOSV	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8010	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	5.5A（ta）	10V	450MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 1mA	10 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）
SSM6L14FE（TE85L，F）	0.4300	RFQ	35	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6L14	MOSFET （金属 o化物）	150MW（TA）	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000	n和p通道		20V	800mA（ta），720mA（ta）		240MOHM @ 500mA，4.5V，300MOHM @ 400mA，4.5V	1V @ 1mA	2NC @ 4.5V，1.76NC @ 4.5V		90pf @ 10V，110pf @ 10V	逻辑级别门，1.5V
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TJ20S04M3L （T6L1，NQ	1.3300	RFQ	9822	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TJ20S04	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	20A（TA）	6V，10V	22.2MOHM @ 10A，10V	3V @ 1mA	37 NC @ 10 V	+10V，-20V	1850 pf @ 10 V	-	41W（TC）
2SC5171 lbs2matq，m	-	RFQ	8910	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SC5171		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1													180 v	2 a	5µA（ICBO）	NPN	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	200MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²