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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SD1223（TE16L1，NQ）	0.9000	RFQ	1484	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SD1223		1 w	PW-MOLD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000													80 V	4 a	20µA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 6mA，3a	1000 @ 3A，2V	-
2SJ360（f）	-	RFQ	6856	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SJ360	MOSFET （金属 o化物）		PW-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	100		P通道	60 V	1A（1A）	4V，10V	730mohm @ 500mA，10v	2V @ 1mA	6.5 NC @ 10 V	±20V	155 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
2SJ360（TE12L，F）	-	RFQ	7247	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SJ360	MOSFET （金属 o化物）		PW-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1,000		P通道	60 V	1A（1A）	4V，10V	730mohm @ 500mA，10v	2V @ 1mA	6.5 NC @ 10 V	±20V	155 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
2SJ380（f）	-	RFQ	1045	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SJ380	MOSFET （金属 o化物）		TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		P通道	100 v	12a（12a）	4V，10V	210mohm @ 6a，10v	2V @ 1mA	48 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 10 V	-	35W（TC）
2SJ610（TE16L1，NQ）	-	RFQ	7676	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SJ610	MOSFET （金属 o化物）		PW-MOLD	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	250 v	2A（TA）	10V	2.55ohm @ 1A，10V	3.5V @ 1mA	24 NC @ 10 V	±20V	381 PF @ 10 V	-	20W（TA）
2SK2544（f）	-	RFQ	7521	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2SK2544	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	6a（6a）	10V	1.25OHM @ 3A，10V	4V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±30V	1300 pf @ 10 V	-	80W（TC）
2SK2845（TE16L1，Q）	-	RFQ	5146	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SK2845	MOSFET （金属 o化物）		PW-MOLD	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	900 v	1A（1A）	10V	9ohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
2SK3342（TE16L1，NQ）	-	RFQ	3368	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SK3342	MOSFET （金属 o化物）		PW-MOLD	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	250 v	4.5A（ta）	10V	1欧姆 @ 2.5A，10V	3.5V @ 1mA	10 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 10 V	-	20W（TC）
2SK3662（f）	-	RFQ	1045	东芝半导体和存储	U-Mosiii	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK3662	MOSFET （金属 o化物）		TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	35A（TA）	4V，10V	12.5MOHM @ 18A，10V	2.5V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	5120 PF @ 10 V	-	35W（TC）
2SK3700（f）	2.5200	RFQ	100	东芝半导体和存储	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SK3700	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	900 v	5A（5A）		2.5OHM @ 3A，10V	4V @ 1mA	28 NC @ 10 V		1150 pf @ 25 V	-	150W（TC）
2SK3844（Q）	-	RFQ	6308	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK3844	MOSFET （金属 o化物）		TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	45A（TA）	10V	5.8MOHM @ 23A，10V	4V @ 1mA	196 NC @ 10 V	±20V	12400 PF @ 10 V	-	45W（TC）
2SK4017（Q）	-	RFQ	1117	东芝半导体和存储	U-Mosiii	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	2SK4017	MOSFET （金属 o化物）		PW-mold2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	200		n通道	60 V	5A（5A）	4V，10V	100mohm @ 2.5a，10v	2.5V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	730 pf @ 10 V	-	20W（TC）
TPC8207（TE12L）	-	RFQ	4725	东芝半导体和存储	-	Digi-Reel®	过时的		表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	TPC8207	MOSFET （金属 o化物）	750MW	8-SOP（5.5x6.0）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	6a		20mohm @ 4.8A，4V	1.2V @ 200µA	22nc @ 5V		2010pf @ 10V	逻辑级别门
tpca8010-h te12l，q	-	RFQ	9297	东芝半导体和存储	π-MOSV	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8010	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	5.5A（ta）	10V	450MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 1mA	10 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）
SSM3J353F，LF	0.4900	RFQ	3	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J353	MOSFET （金属 o化物）		S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	2A（TA）	4V，10V	150MOHM @ 2A，10V	2.2V @ 250µA	3.4 NC @ 4.5 V	+20V，-25V	159 pf @ 15 V	-	600MW（TA）
SSM3J56ACT，L3F	0.3900	RFQ	32	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SC-101，SOT-883	SSM3J56	MOSFET （金属 o化物）		CST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000		P通道	20 v	1.4a（ta）	1.2V，4.5V	390MOHM @ 800mA，4.5V	1V @ 1mA	1.6 NC @ 4.5 V	±8V	100 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
RN1117MFV，L3F	0.1800	RFQ	7	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	RN1117		150兆	VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	8,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	10 kohms	4.7科姆斯
SSM3J351R，LF	0.4300	RFQ	162	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3J351	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	3.5A（ta）	4V，10V	134mohm @ 1A，10V	2V @ 1mA	15.1 NC @ 10 V	+10V，-20V	660 pf @ 10 V	-	2W（TA）
SSM3K15ACTC，L3F	0.3200	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SC-101，SOT-883	SSM3K15	MOSFET （金属 o化物）		CST3C	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	30 V	（100mA）（TA）	2.5V，4V	3.6OHM @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA		±20V	13.5 pf @ 3 V	-	500MW（TA）
TK290P60Y，RQ	1.7400	RFQ	1946年	东芝半导体和存储	DTMOSV	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK290P60	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	11.5A（TC）	10V	290MOHM @ 5.8A，10V	4V @ 450µA	25 NC @ 10 V	±30V	730 PF @ 300 V	-	100W（TC）
TK290P65Y，RQ	1.9500	RFQ	7937	东芝半导体和存储	DTMOSV	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK290P65	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	650 v	11.5A（TC）	10V	290MOHM @ 5.8A，10V	4V @ 450µA	25 NC @ 10 V	±30V	730 PF @ 300 V	-	100W（TC）
TK380P65Y，RQ	1.7300	RFQ	2	东芝半导体和存储	DTMOSV	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK380P65	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	650 v	9.7a（TC）	10V	380MOHM @ 4.9A，10V	4V @ 360µA	20 nc @ 10 V	±30V	590 pf @ 300 V	-	80W（TC）
TK560P65Y，RQ	1.3300	RFQ	3	东芝半导体和存储	DTMOSV	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK560P65	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	650 v	7A（TC）	10V	560MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 240µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 300 V	-	60W（TC）
TK560A60Y，S4X	1.5300	RFQ	1059	东芝半导体和存储	DTMOSV	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK560A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	不适用		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	7A（TC）	10V	560MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 240µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 300 V	-	30W
TK560A65Y，S4X	1.5700	RFQ	12	东芝半导体和存储	DTMOSV	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK560A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	不适用		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	7A（TC）	10V	560MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 240µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 300 V	-	30W
SSM3J358R，LF	0.4700	RFQ	3	东芝半导体和存储	U-Mosvii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3J358	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	6a（6a）	1.8V，8V	22.1mohm @ 6a，8v	1V @ 1mA	38.5 NC @ 8 V	±10V	1331 PF @ 10 V	-	1W（ta）
SSM3K345R，LF	0.4300	RFQ	8	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3K345	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	4A（ta）	1.5V，4.5V	33MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	3.6 NC @ 4.5 V	±8V	410 pf @ 10 V	-	1W（ta）
SSM3K35AMFV，L3F	0.2300	RFQ	239	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	SSM3K35	MOSFET （金属 o化物）		VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000		n通道	20 v	250mA（ta）	1.2V，4.5V	1.1OHM @ 150mA，4.5V	1V @ 100µA	0.34 NC @ 4.5 V	±10V	36 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
RN2104MFV，L3F	-	RFQ	2607	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	RN2104		150兆	VESM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	RN2104MFVL3F	Ear99	8541.21.0075	8,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
TK3R1P04PL，RQ	1.1600	RFQ	14	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK3R1P04	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	58A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 29A，10V	2.4V @ 500µA	60 NC @ 10 V	±20V	4670 pf @ 20 V	-	87W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²