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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
2SC6135，LF	0.4700	RFQ	41	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	2SC6135			500兆	UFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000																	50 V	1 a	100NA（ICBO）	NPN	120mv @ 6mA，300mA	400 @ 100mA，2V	-
RN2105ACT（TPL3）	0.0527	RFQ	10	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	RN2105			100兆	CST3	-	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	10,000																	50 V	80 ma	500NA	pnp-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V		2.2 kohms	47科姆斯
RN2108MFV，L3F	0.2000	RFQ	3075	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	RN2108			150兆	VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	8,000																	50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V		22 KOHMS	47科姆斯
RN1963（TE85L，F）	0.4700	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1963			200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000																	50V	100mA	100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250MHz	22KOHMS	22KOHMS
2SC3138-y te85l，f）	-	RFQ	5873	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SC3138			150兆	TO-236	-		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	3,000																	200 v	50 mA	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	120 @ 10mA，3v	100MHz
2SA1313-O（TE85L，f）	0.0592	RFQ	6639	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SA1313			200兆	S-Mini	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	3,000																	50 V	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 100mA，1V	200MHz
2SC5087YTE85LF	-	RFQ	9624	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）	表面安装	SC-61AA	2SC5087			150MW	smq	-	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000					13DB												12V	80mA		NPN		120 @ 20mA，10v	7GHz			1.1db @ 1GHz
TK56E12N1，S1X	1.6800	RFQ	7085	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK56E12		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				120 v	56a（ta）	10V	7mohm @ 28a，10v	4V @ 1mA	69 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 60 V	-	168W（TC）
RN2111CT（tpl3）	-	RFQ	9861	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-101，SOT-883	RN2111			50兆	CST3	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	10,000																	20 v	50 mA	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	300 @ 1mA，5v		10 kohms
SSM6J424TU，LF	0.4700	RFQ	3	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6J424		MOSFET （金属 o化物）		UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道				20 v	6a（6a）	1.5V，4.5V	22.5MOHM @ 6A，4.5V	1V @ 1mA	23.1 NC @ 4.5 V	+6V，-8V	1650 pf @ 10 V	-	1W（ta）
2SC2655-Y，T6F j	-	RFQ	7873	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2655			900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	1																	50 V	2 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
RN4606（TE85L，F）	0.3800	RFQ	7	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-74，SOT-457	RN4606			300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000																	50V	100mA	100µA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz，250MHz	4.7kohms	47kohms
TK12J60U（f）	-	RFQ	9902	东芝半导体和存储	dtmosii	托盘	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK12J60		MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				600 v	12a（12a）	10V	400mohm @ 6a，10v	5V @ 1mA	14 NC @ 10 V	±30V	720 PF @ 10 V	-	144W（TC）
2SC3324-bl（TE85L，f	-	RFQ	9331	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SC3324			150兆	TO-236	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	3,000																	120 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 1mA，10mA	350 @ 2mA，6v	100MHz
RN4910 （T5L，F，T）	-	RFQ	1644年	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4910			200MW	US6	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000																	50V	100mA	100NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200MHz	4.7kohms	-
SSM6N36FE，LM	0.4300	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6N36		MOSFET （金属 o化物）	150MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	4,000	2 n 通道（双）					20V	500mA		630mohm @ 200ma，5v	1V @ 1mA	1.23nc @ 4V		46pf @ 10V	逻辑级别门
RN1906FE （T5L，F，T）	-	RFQ	2896	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1906			100MW	ES6	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	4,000																	50V	100mA	100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	4.7kohms	47kohms
2SK2854（TE12L，F）	-	RFQ	5398	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	10 v			TO-243AA	2SK2854	849MHz	MOSFET		PW-Mini	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		500mA	23dBMW	-											-
2SK3565（Q，M）	-	RFQ	8070	东芝半导体和存储	π-mosiv	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK3565		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				900 v	5A（5A）	10V	2.5OHM @ 3A，10V	4V @ 1mA	28 NC @ 10 V	±30V	1150 pf @ 25 V	-	45W（TC）
SSM6J401TU，LF	0.4900	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6J401		MOSFET （金属 o化物）		UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道				30 V	2.5a（ta）	4V，10V	73mohm @ 2a，10v	2.6V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±20V	730 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
2SC2655-y t6nd2，af	-	RFQ	3741	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2655			900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	1																	50 V	2 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
2SJ438（植物，A，Q）	-	RFQ	3224	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			通过洞	TO-220-3完整包	2SJ438				TO-220NIS	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	1							5A（TJ）
SSM6J414TU，LF	0.4900	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6J414		MOSFET （金属 o化物）		UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道				20 v	6a（6a）	1.5V，4.5V	22.5MOHM @ 6A，4.5V	1V @ 1mA	23.1 NC @ 4.5 V	±8V	1650 pf @ 10 V	-	1W（ta）
TK17A65W，S5X	2.9800	RFQ	45	东芝半导体和存储	-	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK17A65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				650 v	17.3a（ta）	10V	200mohm @ 8.7a，10v	3.5V @ 900µA	45 NC @ 10 V	±30V	1800 PF @ 300 V	-	45W（TC）
RN4906，LXHF（ct	0.4400	RFQ	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4906			200MW	US6	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000																	50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz，250MHz	4.7kohms	47kohms
TK65E10N1，S1X	2.9200	RFQ	6537	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK65E10		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				100 v	148a（ta）	10V	4.8mohm @ 32.5a，10v	4V @ 1mA	81 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 50 V	-	192W（TC）
2SC4116-y，LF	0.1800	RFQ	25	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC4116			100兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000																	50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
2SC2705-y te6，f，m）	-	RFQ	4824	东芝半导体和存储	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2705			800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	3,000																	150 v	50 mA	100NA（ICBO）	NPN	1V @ 1mA，10mA	120 @ 10mA，5V	200MHz
RN1402S，LF	-	RFQ	4581	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1402			200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	3,000																	50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
2SA1382，T6MIBF（j。	-	RFQ	4486	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1382			900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	1																	50 V	2 a	100NA（ICBO）	PNP	500MV @ 33mA，1a	150 @ 500mA，2V	110MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²