晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
RN1305,LXHF	0.3900	询价	6080	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1305		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	47欧姆
TPH4R003NL,L1Q	1.0700	询价	4	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH4R003	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	40A（温度）	4.5V、10V	4mOhm@20A，10V	2.3V@200μA	14.8nC@10V	±20V	1400pF@15V	-	1.6W（Ta）、36W（Tc）
RN1412TE85LF	0.3000	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1412		200毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	22欧姆
TPCA8036-H(TE12L,Q	-	询价	8612	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8036	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	38A（塔）	4.5V、10V	4.2毫欧@19A，10V	2.3V@500μA	50nC@10V	±20V	4600pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
TK55D10J1(Q)	-	询价	9064	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK55D10	MOSFET（金属O化物）		TO-220(W)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100V	55A（塔）	4.5V、10V	10.5毫欧@27A，10V	2.3V@1mA	110nC@10V	±20V	5700pF@10V	-	140W（温度）
TK39N60W,S1VF	5.5100	询价	7989	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK39N60	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	600伏	38.8A（塔）	10V	65毫欧@19.4A，10V	3.7V@1.9mA	110nC@10V	±30V	4100 pF @ 300 V	-	270W（温度）
TPCF8A01(TE85L)	-	询价	1987年	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	TPCF8A01	MOSFET（金属O化物）		VS-8 (2.9x1.5)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000		N沟道	20V	3A（塔）	2V、4.5V	49毫欧@1.5A，4.5V	1.2V@200μA	7.5nC@5V	±12V	590pF@10V	肖特基分散（隔离）	330毫W（塔）
2SA1182-GR,LF	0.3200	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1182		150毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000													30V	500毫安	100nA（ICBO）	国民党	250毫伏@10毫安，100毫安	200@100mA，1V	200兆赫
2SB1495,Q(米	-	询价	9800	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SB1495		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1													100V	3A	10μA（ICBO）	国民党	1.5V@1.5mA，1.5A	2000 @ 2A、2V	-
2SA1020-Y(T6TR,A,F	-	询价	第1681章	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
HN1C03FU-A(TE85L,F	0.4400	询价	9755	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1C03		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000													20V	300毫安	100nA（ICBO）	2 NPN（双）	100毫伏@3毫安，30毫安	200@4mA，2V	30兆赫兹
RN2131MFV，L3F	0.1800	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2131		150毫W	VESM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	8,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		100欧姆
RN4986FE,LF(CT	0.2600	询价	4319	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4986		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
TK14C65W,S1Q	-	询价	2199	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	TK14C65	MOSFET（金属O化物）		I2PAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	13.7A（塔）	10V	250毫欧@6.9A，10V	3.5V@690μA	35nC@10V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	130W（温度）
2SA965-Y(女,男)	-	询价	9438	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA965		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1													120V	800毫安	100nA（ICBO）	国民党	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
TPC8115(TE12L,Q,M)	-	询价	7961	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8115	MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	10A（塔）	1.8V、4.5V	10毫欧@5A，4.5V	1.2V@200μA	115nC@5V	±8V	9130pF@10V	-	1W（塔）
SSM6N39TU,LF	0.4900	询价	7160	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6N39	MOSFET（金属O化物）	500毫W	六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		20V	1.6A（塔）		119毫欧@1A，4V	1V@1mA	7.5nC@4V		260pF@10V	-
RN1106ACT(TPL3)	-	询价	第1344章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1106		100毫W	CST3	-		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000													50V	80毫安	500纳安	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	80@10mA，5V		4.7欧姆	47欧姆
RN1115,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1115		100毫W	SSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	10欧姆
2SA1837(LBSAN,F,M)	-	询价	2923	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1837		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	1													230伏	1A	1μA（ICBO）	国民党	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	70兆赫兹
RN1905,LF(CT	0.2800	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1905		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
RN2511(TE85L,F)	0.0865	询价	5376	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74A、SOT-753	RN2511		300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10k欧姆	-
TPCA8128,LQ(CM	-	询价	6650	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8128	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	34A（塔）	4.5V、10V	4.8毫欧@17A，10V	2V@500μA	115nC@10V	+20V，-25V	4800pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
TK22A65X5,S5X	4.1200	询价	78	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK22A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	22A（塔）	10V	160毫欧@11A，10V	4.5V@1.1mA	50nC@10V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	45W（温度）
TDTC143E,LM	0.1800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TDTC143		320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆
RN1611(TE85L,F)	0.4700	询价	325	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN1611		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10k欧姆	-
RN2107,LF(CT	0.2300	询价	55	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2107		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	47欧姆
RN2961(TE85L,F)	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2961		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
2SA1955FVBTPL3Z	0.1200	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	2SA1955		100毫W	VESM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	8,000													12V	400毫安	100nA（ICBO）	国民党	250mV@10mA、200mA	300@10mA，2V	130兆赫
2SC2655-Y(T6ND2,AF	-	询价	3741	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²