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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
MT3S20P（TE12L，F）	-	RFQ	2879	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	MT3S20		1.8W	PW-Mini	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		16.5db											12V	80mA				NPN		100 @ 50mA，5V	7GHz			1.45db @ 1GHz
TDTC144E，LM	0.1800	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TDTC144		320兆W	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma			500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	77 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯
2SC2229-O（米蒂夫，M）	-	RFQ	1047	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2229		800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1													150 v	50 mA			100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	70 @ 10mA，5V	120MHz
2SC4915-O，LF	0.5000	RFQ	9220	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	2SC4915		100MW	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		17db〜23dB											30V	20mA				NPN		70 @ 1mA，6v	550MHz			2.3db〜5dB @ 100MHz
TK60S10N1L，LXHQ	1.5800	RFQ	1308	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK60S10	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道		100 v	60a（ta）	6V，10V	6.11MOHM @ 30a，10v	3.5V @ 500µA	60 NC @ 10 V	±20V	4320 PF @ 10 V	-	180W（TC）
RN2301，LF	0.1800	RFQ	8	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	RN2301		100兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma			500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
HN1B01FU-gr，LF	0.3400	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	HN1B01		200MW，210MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													50V	150mA			100NA（ICBO）	NPN，PNP	250mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	150MHz
TPHR9003NL，L1Q	2.2100	RFQ	3	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPHR9003	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道		30 V	60a（TC）	4.5V，10V	0.9MOHM @ 30a，10v	2.3V @ 1mA	74 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 15 V	-	1.6W（TA），78W（tc）
RN1111ACT（TPL3）	-	RFQ	3758	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-101，SOT-883	RN1111		100兆	CST3	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000													50 V	80 ma			100NA（ICBO）	npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V		10 kohms
RN1113ACT（TPL3）	0.3400	RFQ	9	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-101，SOT-883	RN1113		100兆	CST3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000													50 V	80 ma			100NA（ICBO）	npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V		47科姆斯
HN3C10FUTE85LF	0.5600	RFQ	101	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	HN3C10		200MW	US6	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		11.5db											12V	80mA				2 NPN （双）		80 @ 20mA，10v	7GHz			1.1db @ 1GHz
2SK2266（TE24R，Q）	-	RFQ	2638	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SK2266	MOSFET （金属 o化物）		TO-220SM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		60 V	45A（TA）	4V，10V	30mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	60 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 10 V	-	65W（TC）
RN4606（TE85L，F）	0.3800	RFQ	7	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-74，SOT-457	RN4606		300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA			100µA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz，250MHz	4.7kohms	47kohms
RN1441ATE85LF	-	RFQ	5685	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1441		200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													20 v	300 MA			100NA（ICBO）	npn-预先偏见	100mv @ 3mA，30mA	200 @ 4mA，2V	30 MHz	5.6科姆斯
2SC3665-y，T2F（j	-	RFQ	2388	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SC3665		1 w	MSTM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1													120 v	800 MA			100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
RN4909，LF（ct	0.2800	RFQ	3137	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4909		200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													50V	100mA			500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200MHz，250MHz	47kohms	22KOHMS
RN1311，LXHF	0.3900	RFQ	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	RN1311		100兆	SC-70	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma			100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
2SC4213-A te85l，f）	0.0742	RFQ	4305	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC4213		100兆	SC-70	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													20 v	300 MA			100NA（ICBO）	NPN	100mv @ 3mA，30a	200 @ 4mA，2V	30MHz
rn4986fe，lf（Ct	0.2600	RFQ	4319	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4986		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA			500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz，200MHz	4.7kohms	47kohms
RN4990 （T5L，F，T）	-	RFQ	4976	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4990		200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA			100µA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz，200MHz	4.7kohms	-
SSM6J401TU，LF	0.4900	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6J401	MOSFET （金属 o化物）		UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道		30 V	2.5a（ta）	4V，10V	73mohm @ 2a，10v	2.6V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±20V	730 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
RN2303，LXHF	0.3900	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	RN2303		100兆	SC-70	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma			500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
2SC3324-bl（TE85L，f	-	RFQ	9331	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SC3324		150兆	TO-236	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													120 v	100 ma			100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 1mA，10mA	350 @ 2mA，6v	100MHz
RN2107CT（TPL3）	-	RFQ	2801	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-101，SOT-883	RN2107		50兆	CST3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000													20 v	50 mA			500NA	pnp-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	120 @ 10mA，5V		10 kohms	47科姆斯
2SK2145-y te85l，f）	0.6800	RFQ	26	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	2SK2145		300兆	SMV	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）									13pf @ 10V					1.2 ma @ 10 V	200 mv @ 100 na
SSM3J378R，LF	0.3800	RFQ	46	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3J378	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道		20 v	6a（6a）	1.5V，4.5V	29.8mohm @ 3A，4.5V	1V @ 1mA	12.8 NC @ 4.5 V	+6V，-8V	840 pf @ 10 V	-	1W（ta）
TPC8067-H，LQ（s	-	RFQ	9337	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8067	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		30 V	9a（9a）	4.5V，10V	25mohm @ 4.5A，10V	2.3V @ 100µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	690 pf @ 10 V	-	1W（ta）
tpca8052-h（T2L1，VM	1.1300	RFQ	19	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8052	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）	264-TPCA8052-H t2l1vmtr	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道		40 V	20A（TA）	4.5V，10V	11.3mohm @ 10a，10v	2.3V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	2110 PF @ 10 V	-	1.6W（TA），30W（TC）
RN4905FE，LF（ct	0.2700	RFQ	2228	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4905		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA			100NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	2.2kohms	47kohms
RN2111CT（tpl3）	-	RFQ	9861	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-101，SOT-883	RN2111		50兆	CST3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000													20 v	50 mA			100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	300 @ 1mA，5v		10 kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²