晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
TW048Z65C,S1F	14.4200	询价	120	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-247-4		SiC（碳化硅结晶体管）		TO-247-4L(X)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	30	N沟道	650伏	40A（温度）	18V	69毫欧@20A，18V	5V@1.6mA	41nC@18V	+25V，-10V	1362 pF @ 400 V	-	132W（温度）
SSM3K357R，LF	0.4000	询价	82	东芝半导体和存储	π-MOSV	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3K357	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道	60V	650mA（塔）	3V、5V	1.8欧姆@150mA，5V	2V@1mA	1.5nC@5V	±12V	60pF@12V	-	1W（塔）
2SK3132(Q)	-	询价	6621	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3PL	2SK3132	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(L)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	25	N沟道	500V	50A（塔）	10V	95毫欧@25A，10V	3.4V@1mA	280nC@10V	±30V	11000pF@10V	-	250W（温度）
2SC3325-Y,LF	0.3200	询价	61	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC3325		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000												50V	500毫安	100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	120@100mA，1V	300兆赫
RN1901,LF(CT	0.2600	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1901		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000												50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	1千欧姆
TPC8033-H(TE12LQM)	-	询价	5341	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8033	MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道	30V	17A（塔）		5.3毫欧@8.5A，10V	2.5V@1mA	42nC@10V		3713pF@10V	-	-
TTC011B,Q	0.6300	询价	27	东芝半导体和存储	-	托盘	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3			1.5W	TO-126N	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	250												230伏	1A	200nA（ICBO）	NPN	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	100兆赫兹
2SA1428-Y,T2F(J	-	询价	9599	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SA1428		900毫W	MSTM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1												50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN1703JE(TE85L,F)	0.4700	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-553	RN1703		100毫W	ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000												50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	22k欧姆
TK13A50D(STA4,Q,M)	3.0300	询价	7833	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK13A50	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50	N沟道	500V	13A（塔）	10V	400毫欧@6.5A，10V	4V@1mA	38nC@10V	±30V	1800pF@25V	-	45W（温度）
RN2310，LF	0.1700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2310		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000												50V	100毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7欧姆
HN1C01FU-Y,LF	0.2600	询价	39	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1C01		200毫W	美国6号	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000												50V	150毫安	100nA（ICBO）	2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
2SA2056(TE85L,F)	0.1275	询价	9013	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA2056		625毫W	TSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000												50V	2A	100nA（ICBO）	国民党	200mV@33mA，1A	200@300mA，2V	-
RN1906,LXHF(CT	0.3600	询价	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1906		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000												50V	100毫安	500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
RN4909,LF(CT	0.2800	询价	3137	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4909		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000												50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	47k欧姆	22k欧姆
SSM3J371R，LXHF	0.4000	询价	3	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写		MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000	P沟道	20V	4A（塔）	1.5V、4.5V	55mOhm@3A，4.5V	1V@1mA	10.4nC@4.5V	+6V、-8V	630pF@10V	-	1W（塔）
2SK2963(TE12L,F)	-	询价	5608	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	2SK2963	MOSFET（金属O化物）		PW-MINI	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	1,000	N沟道	100V	1A（塔）	4V、10V	700毫欧@500mA，10V	2V@1mA	6.3nC@10V	±20V	140pF@10V	-	500毫W（塔）
RN1318(TE85L,F)	0.2800	询价	第470章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1318		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000												50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	10欧姆
RN4608(TE85L,F)	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN4608		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000												50V	100毫安	100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	47k欧姆
2SC4116-Y，LF	0.1800	询价	25	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC4116		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000												50V	150毫安	100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
RN1404S，LF	-	询价	8748	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1404		200毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000												50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	47欧姆
RN2602(TE85L,F)	0.4700	询价	3213	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN2602		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000												50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	10k欧姆
RN2311,LXHF	0.3900	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2311		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000												50V	100毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10欧姆
SSM3K303T(TE85L,F)	-	询价	5500	东芝半导体和存储	π-MOSVII	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3K303	MOSFET（金属O化物）		TSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道	30V	2.9A（塔）	4V、10V	83毫欧@1.5A，10V	2.6V@1mA	3.3nC@4V	±20V	180pF@10V	-	700毫W（塔）
RN1303,LXHF	0.3900	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1303		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000												50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	22欧姆
TK10S04K3L(T6L1,NQ	-	询价	6481	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK10S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000	N沟道	40V	10A（塔）	6V、10V	28毫欧@5A，10V	3V@1mA	10nC@10V	±20V	10V时为410pF	-	25W（温度）
TK49N65W5,S1F	11.8200	询价	45	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-247-3	TK49N65	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	30	N沟道	650伏	49.2A（塔）	10V	57毫欧@24.6A，10V	4.5V@2.5mA	185nC@10V	±30V	6500 pF @ 300 V	-	400W（温度）
RN4909,LXHF(CT	0.4400	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4909		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000												50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	47k欧姆	22k欧姆
RN2417(TE85L,F)	0.2800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2417		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000												50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	4.7欧姆
TDTC123J,LM	0.1800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TDTC123		320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000												50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²