晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
SSM6L13TU(T5L,F,T)	-	询价	3054	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6L13	MOSFET（金属O化物）	500毫W	六氯化铀	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道		20V	800mA（塔）		143mOhm @ 600mA, 4V, 234mOhm @ 600mA, 4V	1V@1mA	-		10V时为268pF，10V时为250pF	逻辑电平门，1.8V驱动
TK56E12N1,S1X	1.6800	询价	7085	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK56E12	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	120V	56A（塔）	10V	7毫欧@28A，10V	4V@1mA	69nC@10V	±20V	4200pF@60V	-	168W（温度）
2SC5549,T6F(J	-	询价	5131	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC5549		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1													400V	1A	100μA（ICBO）	NPN	1V@25mA、200mA	20@40mA，5V	-
T2N7002AK,LM	0.1500	询价	29	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	T2N7002	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	60V	200mA（塔）	4.5V、10V	3.9欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	0.35nC@4.5V	±20V	17pF@10V	-	320毫W（塔）
SSM6P39TU,LF	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6P39	MOSFET（金属O化物）	500毫W（塔）	六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）		20V	1.5A（塔）		213毫欧@1A，4V	1V@1mA	6.4nC@4V		250pF@10V	逻辑电平门，1.8V驱动
SSM6N36FE,LM	0.4300	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6N36	MOSFET（金属O化物）	150毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）		20V	500毫安		630mOhm@200mA，5V	1V@1mA	1.23nC@4V		46pF@10V	逻辑电平门
RN2507(TE85L,F)	0.4800	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74A、SOT-753	RN2507		300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
TK4R1A10PL,S4X	2.0400	询价	40	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-220-3全包	TK4R1A10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100伏	80A（温度）	4.5V、10V	4.1毫欧@40A，10V	2.5V@1mA	10V时为104nC	±20V	6320pF@50V	-	54W（温度）
2SK2993(TE24L,Q)	-	询价	9210	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SK2993	MOSFET（金属O化物）		TO-220SM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	250伏	20A（塔）	10V	105毫欧@10A、10V	3.5V@1mA	100nC@10V	±20V	4000pF@10V	-	100W（温度）
2SC5198-O(S1,E	-	询价	4257	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	2SC5198		100W	TO-3P(N)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC5198-O(S1E	EAR99	8541.29.0075	25													140伏	10A	5μA（ICBO）	NPN	2V@700mA，7A	55@1A，5V	30兆赫兹
TK17A65W,S5X	2.9800	询价	45	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK17A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	17.3A（塔）	10V	200毫欧@8.7A，10V	3.5V@900μA	45nC@10V	±30V	1800 pF @ 300 V	-	45W（温度）
TPC8213-H(TE12LQ,M	-	询价	7881	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8213	MOSFET（金属O化物）	450毫W	8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		60V	5A		50毫欧@2.5A，10V	2.3V@1mA	11nC@10V		625pF@10V	逻辑电平门
RN2413TE85LF	0.2900	询价	4597	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2413		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	47欧姆
RN2418,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2418		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	10欧姆
RN4604(TE85L,F)	0.4800	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN4604		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	47k欧姆
HN2A01FE-Y(TE85L,F	-	询价	4533	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN2A01		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	150毫安	100nA（ICBO）	2 PNP（双）	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
HN1B01FU-GR,LF	0.3400	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1B01		200毫W、210毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	150毫安	100nA（ICBO）	NPN、PNP	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	150兆赫
TK650A60F,S4X	1.3400	询价	48	东芝半导体和存储	U-MOSIX	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK650A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	11A（塔）	10V	650mOhm@5.5A，10V	4V@1.16mA	34nC@10V	±30V	1320 pF @ 300 V	-	45W（温度）
RN4985FE,LXHF(CT	0.3800	询价	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4985		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
RN4990(T5L,F,T)	-	询价	4976	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4990		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100μA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫、200兆赫	4.7k欧姆	-
2SC2713-BL,LF	0.3100	询价	17号	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC2713		150毫W	TO-236	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													120V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN	300mV@1mA、10mA	350@2mA，6V	100兆赫兹
2SA1162-O,LF	0.1700	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1162		150毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	150毫安	100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
TBC857B、LM	0.1600	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TBC857		320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	150毫安	30nA（ICBO）	国民党	650mV@100mA、5mA	210@2mA，5V	80兆赫
RN1901FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1901		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
RN2101MFV,L3F(CT	0.1800	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2101		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	8,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
TK6A60D(STA4,Q,M)	-	询价	7254	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK6A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TK6A60DSTA4QM	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	600伏	6A（塔）	10V	1.25欧姆@3A，10V	4V@1mA	16nC@10V	±30V	800pF@25V	-	40W（温度）
RN1401,LF	0.2200	询价	19	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1401		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
TW027Z65C,S1F	20.2700	询价	120	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-247-4		SiC（碳化硅结晶体管）		TO-247-4L(X)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	650伏	58A（温度）	18V	38毫欧@29A，18V	5V@3mA	65nC@18V	+25V，-10V	2288 pF @ 400 V	-	156W（温度）
RN2132MFV，L3F	0.1800	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2132		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		200欧姆
RN4910FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4910		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫、250兆赫	4.7k欧姆	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²