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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 fet 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
RN2910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2910 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2910 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200MHz 4.7kohms -
RN2961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2961 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN2962(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2962（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2962 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 10KOHMS
RN2967(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2967（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2967 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 47kohms
RN2969(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2969（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2969 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 22KOHMS
RN4608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4608（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN4608 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 22KOHMS 47kohms
RN4610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4610（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN4610 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200MHz 4.7kohms -
RN4611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4611（TE85L，F） 0.0865
RFQ
 ECAD 3988 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN4611 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200MHz 10KOHMS -
RN4903(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4903 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 4486 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4903 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200MHz 22KOHMS 22KOHMS
RN4910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4910 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 1644年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4910 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200MHz 4.7kohms -
HN1C01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-Y，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 9838 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 HN1C01 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100NA（ICBO） 2 NPN （双） 250mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 80MHz
HN2C01FE-GR(T5L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2C01FE-gr（t5l，f） -
RFQ
 ECAD 1551年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 HN2C01 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100NA（ICBO） 2 NPN （双） 250mv @ 10mA，100mA 200 @ 2mA，6v 60MHz
2SC2859-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2859-O（TE85L，f） -
RFQ
 ECAD 7051 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SC2859 150兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 500 MA 100NA（ICBO） NPN 250mv @ 10mA，100mA 70 @ 100mA，1V 300MHz
RN1102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1102CT（tpl3） -
RFQ
 ECAD 2266 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN1102 50兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 500NA npn-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 60 @ 10mA，5V 10 kohms 10 kohms
RN1105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1105ACT（TPL3） -
RFQ
 ECAD 7215 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN1105 100兆 CST3 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA npn-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 2.2 kohms 47科姆斯
HN2A01FE-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN2A01FE-y te85l，f -
RFQ
 ECAD 4533 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 HN2A01 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100NA（ICBO） 2 PNP （双） 300mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 80MHz
2SA1588-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1588-gr，LF 0.2700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SA1588 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 500 MA 100NA（ICBO） PNP 250mv @ 10mA，100mA 200 @ 100mA，1V 200MHz
RN2102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2102CT （TPL3） -
RFQ
 ECAD 9019 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2102 50兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 60 @ 10mA，5V 10 kohms 10 kohms
RN2105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105CT（tpl3） -
RFQ
 ECAD 2702 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2105 50兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 120 @ 10mA，5V 2.2 kohms 47科姆斯
RN2111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2111CT（tpl3） -
RFQ
 ECAD 9861 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2111 50兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 300 @ 1mA，5v 10 kohms
RN2112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2112CT（tpl3） -
RFQ
 ECAD 9368 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2112 50兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 300 @ 1mA，5v 22 KOHMS
RN2103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2103ACT（TPL3） 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2103 100兆 CST3 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 22 KOHMS 22 KOHMS
RN2104ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104ACT（TPL3） -
RFQ
 ECAD 9312 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2104 100兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 47科姆斯 47科姆斯
RN2105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105ACT（TPL3） 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2105 100兆 CST3 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 2.2 kohms 47科姆斯
MT3S20P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20P（TE12L，F） -
RFQ
 ECAD 2879 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA MT3S20 1.8W PW-Mini - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,000 16.5db 12V 80mA NPN 100 @ 50mA，5V 7GHz 1.45db @ 1GHz
2SC5088-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5088-O（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 8450 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 SC-82A，SOT-343 2SC5088 100MW USQ - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 18db 12V 80mA NPN 80 @ 20mA，10v 7GHz 1dB @ 500MHz
RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1702JE（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-553 RN1702 100MW ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（NPN- 预偏（双重）（）（） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250MHz 10KOHMS 10KOHMS
RN1901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901，LF（ct 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1901 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 250MHz 4.7kohms 1KOHMS
TK14E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK14E65W，S1X 3.0500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TK14E65 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 13.7A（TA） 10V 250mohm @ 6.9a，10v 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 V ±30V 1300 PF @ 300 V - 130W（TC）
TK20A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60W5，S5VX 3.2700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK20A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 20A（TA） 10V 175mohm @ 10a，10v 4.5V @ 1mA 55 NC @ 10 V ±30V 1800 PF @ 300 V - 45W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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