晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
RN2969(TE85L,F)	0.4700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2969		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
2SC5930(TPF2,F,M)	-	询价	9534	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC5930		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1													600伏	1A	100μA（ICBO）	NPN	1V@75mA、600mA	40@200mA，5V	-
HN1C01FE-GR,LF	0.3000	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN1C01		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	150毫安	100nA（ICBO）	2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
2SC3668-O,T2CLAF(J	-	询价	9779	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC3668		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TK40P03M1(T6RDS-Q)	-	询价	6022	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK40P03	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TK40P03M1T6RDSQ	EAR99	8541.29.0095	2,000	N沟道		30V	40A（塔）	4.5V、10V	10.8毫欧@20A，10V	2.3V@100μA	17.5nC@10V	±20V	1150pF@10V	-	-
SSM3K72CFS,LF	0.2000	询价	133	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	SSM3K72	MOSFET（金属O化物）		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道		60V	170毫安（塔）	4.5V、10V	3.9欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	0.35nC@4.5V	±20V	17pF@10V	-	150毫W（塔）
RN2101,LF(CT	0.2000	询价	2719	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2101		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
2SC2655-Y,WNLF(J	-	询价	1986年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
2SK3466(TE24L,Q)	-	询价	2985	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-97	2SK3466	MOSFET（金属O化物）		4-TFP (9.2x9.2)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1,500人	N沟道		500V	5A（塔）	10V	1.5欧姆@5A，10V	4V@1mA	17nC@10V	±30V	780pF@10V	-	50W（温度）
2SC2655-Y(天气预报,F,M)	-	询价	8275	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
HN3C51F-BL(TE85L,F	-	询价	9019	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	HN3C51		300毫W	SM6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													120V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN（双）	300mV@1mA、10mA	350@2mA，6V	100兆赫兹
2SA1163-GR,LF	0.3000	询价	16	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1163		150毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													120V	100毫安	100nA（ICBO）	国民党	300mV@1mA、10mA	200@2mA，6V	100兆赫兹
2SC5108-Y,LF	-	询价	8584	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	2SC5108		100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		11分贝											10V	30毫安		NPN		120@5mA，5V	6GHz			-
2SA1162-Y,LF	0.1800	询价	1595	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1162		150毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	150毫安	100μA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
RN2107CT(TPL3)	-	询价	2801	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2107		50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000													20V	50毫安	500纳安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@10mA，5V		10欧姆	47欧姆
2SA1225-Y(Q)	-	询价	5342	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SA1225		1W	PW-模具	-		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	200													160伏	1.5A	1μA（ICBO）	国民党	1.5V@50mA、500mA	120@100mA，5V	100兆赫兹
2SC2229-Y,F(J	-	询价	5348	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2229		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													150伏	50毫安	100nA（ICBO）	NPN	500mV@1mA、10mA	70@10mA，5V	120兆赫
RN1441ATE85LF	-	询价	5685	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1441		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													20V	300毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	100毫伏@3毫安，30毫安	200@4mA，2V	30兆赫	5.6欧姆
RN1112(T5L,F,T)	-	询价	第1237章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1112		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	22欧姆
RN2904，LF	-	询价	6480	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2904		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
2SA1020-Y(T6TOJ,FM	-	询价	9874	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN2967(TE85L,F)	0.4700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2967		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
2SA949-Y(T6ONK1,FM	-	询价	8591	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA949		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													150伏	50毫安	100nA（ICBO）	国民党	800mV@1mA，10A	70@10mA，5V	120兆赫
RN1102MFV,L3F	0.2400	询价	30	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1102		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	50@10mA，5V		10欧姆	10欧姆
TK25V60X,LQ	2.5193	询价	9782	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	TK25V60	MOSFET（金属O化物）		4-DFN-EP (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	TK25V60XLQ	EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道		600伏	25A（塔）	10V	135毫欧@7.5A，10V	3.5V@1.2mA	40nC@10V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	180W（温度）
TPHR6503PL,L1Q	2.0600	询价	51	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPHR6503	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000	N沟道		30V	150A（温度）	4.5V、10V	0.65mOhm@50A，10V	2.1V@1mA	110nC@10V	±20V	10000pF@15V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）
TK65E10N1,S1X	2.9200	询价	6537	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK65E10	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		100V	148A（塔）	10V	4.8毫欧@32.5A，10V	4V@1mA	10V时为81nC	±20V	5400pF@50V	-	192W（温度）
2SK2967(女)	-	询价	8942	东芝半导体和存储	-	托盘	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	2SK2967	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		250伏	30A（塔）	10V	68毫欧@15A，10V	3.5V@1mA	132nC@10V	±20V	5400pF@10V	-	150W（温度）
SSM3J356R,LXHF	0.4900	询价	7563	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写		MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-SSM3J356R，LXHFCT	EAR99	8541.29.0095	3,000	P沟道		60V	2A（塔）	4V、10V	300mOhm@1A，10V	2V@1mA	10V时为8.3nC	+10V，-20V	10V时为330pF	-	1W（塔）
RN2703JE(TE85L,F)	0.4700	询价	31	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-553	RN2703		100毫W	ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	22k欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²