晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
2SK879-GR(TE85L,F)	0.4200	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SK879		100毫W	USM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道									8.2pF@10V					2.6毫安@10伏	400毫伏@100纳安
RN2305,LXHF	0.3900	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2305		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	100毫安			500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2欧姆	47欧姆
TK8A45DA(STA4,Q,M)	1.6400	询价	6704	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	-	通孔	TO-220-3全包	TK8A45	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		450伏	7.5A（温度）		-	-				-	-
HN1C01FU-GR,LF	0.3400	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1C01		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	150毫安			100nA（ICBO）	2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
SSM5H08TU,LF	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD（5 英尺），浅浅	SSM5H08	MOSFET（金属O化物）		超短波病毒	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		20V	1.5A（塔）	2.5V、4V	160mOhm@750mA，4V	1.1V@100μA		±12V	125pF@10V	肖特基分散（隔离）	500毫W（塔）
TK750A60F,S4X	1.7600	询价	968	东芝半导体和存储	U-MOSIX	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK750A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	10A（塔）	10V	750mOhm@5A，10V	4V@1mA	30nC@10V	±30V	1130 pF @ 300 V	-	40W（温度）
TPCP8401(TE85L,F)	-	询价	5604	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	TPCP8401	MOSFET（金属O化物）	1W	PS-8 (2.9x2.4)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道			20V、12V	100毫安，5.5安		3欧姆@10mA，4V	1.1V@100μA	-		9.3pF@3V	逻辑电平门
RN4981FE,LXHF(CT	0.3800	询价	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4981		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000														50V	100毫安			500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
2SC3672-O(T2ASH,FM	-	询价	7881	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC3672		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1														300伏	100毫安			100nA（ICBO）	NPN	500mV@2mA、20mA	30@20mA，10V	80兆赫
SSM3K15AFS，LF	0.2800	询价	107	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	SSM3K15	MOSFET（金属O化物）		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		30V	100mA（塔）	2.5V、4V	3.6欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	13.5pF@3V	-	100毫W（塔）
RN1109ACT(TPL3)	-	询价	1006	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1109		100毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000														50V	80毫安			500纳安	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	70@10mA，5V		47欧姆	22欧姆
RN2101CT(TPL3)	-	询价	5357	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2101		50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000														20V	50毫安			500纳安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	30@10mA，5V		4.7欧姆	4.7欧姆
TPH5200FNH,L1Q	2.9500	询价	11	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH5200	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		250伏	26A（温度）	10V	52毫欧@13A，10V	4V@1mA	22nC@10V	±20V	2200 pF @ 100 V	-	78W（温度）
SSM3J35AFS，LF	0.2600	询价	15	东芝半导体和存储	U-MOSVII	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-75、SOT-416	SSM3J35	MOSFET（金属O化物）		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		20V	250mA（塔）	1.2V、4.5V	1.4欧姆@150mA，4.5V	1V@100μA		±10V	10V时为42pF	-	150毫W（塔）
SSM3J332R，LF	0.4500	询价	181	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J332	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	6A（塔）	1.8V、10V	42mOhm@5A，10V	1.2V@1mA	8.2nC@4.5V	±12V	560pF@15V	-	1W（塔）
RN1406,LF	0.2200	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1406		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	100毫安			500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	47欧姆
2SA1972,T6WNLF(J	-	询价	9783	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1972		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1														400V	500毫安			10μA（ICBO）	国民党	1V@10mA，100mA	140@20mA，5V	35兆赫
SSM6J825R，LF	0.4400	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6J825	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	4A（塔）	4V、10V	45mOhm@4A，10V	2V@250μA	6.2nC@4.5V	+10V，-20V	492pF@10V	-	1.5W（塔）
TDTA114Y,LM	0.1800	询价	8079	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TDTA114		320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	100毫安			500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	90@5mA，5V	250兆赫	10欧姆	10欧姆
RN2911FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2911		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000														50V	100毫安			100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10k欧姆	-
MT3S111P(TE12L,F)	0.3863	询价	3458	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	MT3S111		1W	PW-MINI	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1,000			10.5分贝											6V	100毫安				NPN		200@30mA，5V	8GHz			1.25dB@1GHz
RN2962FE(TE85L,F)	-	询价	8234	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2962		100毫W	ES6	-		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000														50V	100毫安			100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	1千欧姆
TPC8035-H(TE12L,QM	-	询价	2642	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8035	MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	18A（塔）	4.5V、10V	3.2毫欧@9A，10V	2.3V@1mA	82nC@10V	±20V	7800pF@10V	-	1W（塔）
2SA2215，低频	0.5000	询价	4593	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	2SA2215		500毫W	UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000														20V	2.5安			100nA（ICBO）	国民党	190mV@53mA，1.6A	200@500mA，2V	-
SSM3J15FU,LF	0.2500	询价	68	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	SSM3J15	MOSFET（金属O化物）		USM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		30V	100mA（塔）	2.5V、4V	12欧姆@10mA，4V	1.7V@100μA		±20V	9.1pF@3V	-	150毫W（塔）
RN2415(TE85L,F)	0.2800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2415		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	100毫安			500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	2.2欧姆	10欧姆
RN2902,LXHF(CT	0.4400	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2902		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	100毫安			500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	10k欧姆
RN2130MFV,L3F	0.2000	询价	第1257章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2130		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000														50V	100毫安			100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	100@10mA，5V		100欧姆	100欧姆
TK2R4E08QM,S1X	3.1800	询价	196	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	管子	的积极	175℃	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		80V	120A（温度）	6V、10V	2.44毫欧@50A，10V	3.5V@2.2mA	178nC@10V	±20V	13000pF@40V	-	300W（温度）
RN1901,LF(CT	0.2600	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1901		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	100毫安			100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	1千欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²