晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
RN2418,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2418		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安			500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	10欧姆
RN4604(TE85L,F)	0.4800	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN4604		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安			100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	47k欧姆
HN2A01FE-Y(TE85L,F	-	询价	4533	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN2A01		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	150毫安			100nA（ICBO）	2 PNP（双）	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
HN1B01FU-GR,LF	0.3400	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1B01		200毫W、210毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	150毫安			100nA（ICBO）	NPN、PNP	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	150兆赫
TK650A60F,S4X	1.3400	询价	48	东芝半导体和存储	U-MOSIX	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK650A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	11A（塔）	10V	650mOhm@5.5A，10V	4V@1.16mA	34nC@10V	±30V	1320 pF @ 300 V	-	45W（温度）
RN4985FE,LXHF(CT	0.3800	询价	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4985		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安			500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
RN4990(T5L,F,T)	-	询价	4976	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4990		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安			100μA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫、200兆赫	4.7k欧姆	-
2SC2713-BL,LF	0.3100	询价	17号	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC2713		150毫W	TO-236	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													120V	100毫安			100nA（ICBO）	NPN	300mV@1mA、10mA	350@2mA，6V	100兆赫兹
2SA1162-O,LF	0.1700	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1162		150毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	150毫安			100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
TBC857B、LM	0.1600	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TBC857		320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	150毫安			30nA（ICBO）	国民党	650mV@100mA、5mA	210@2mA，5V	80兆赫
RN1901FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1901		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安			500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
RN2101MFV,L3F(CT	0.1800	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2101		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	8,000													50V	100毫安			500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
TK6A60D(STA4,Q,M)	-	询价	7254	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK6A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TK6A60DSTA4QM	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	600伏	6A（塔）	10V	1.25欧姆@3A，10V	4V@1mA	16nC@10V	±30V	800pF@25V	-	40W（温度）
TW027Z65C,S1F	20.2700	询价	120	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-247-4		SiC（碳化硅结晶体管）		TO-247-4L(X)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	650伏	58A（温度）	18V	38毫欧@29A，18V	5V@3mA	65nC@18V	+25V，-10V	2288 pF @ 400 V	-	156W（温度）
RN2132MFV，L3F	0.1800	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2132		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000													50V	100毫安			100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		200欧姆
RN4910FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4910		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安			100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫、250兆赫	4.7k欧姆	-
2SA949-Y(T6SHRP,FM	-	询价	5283	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA949		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													150伏	50毫安			100nA（ICBO）	国民党	800mV@1mA，10A	70@10mA，5V	120兆赫
RN2316，LF	0.1800	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2316		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安			500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	10欧姆
TK7S10N1Z,LXHQ	0.8900	询价	7428	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK7S10	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	100伏	7A（塔）	10V	48毫欧@3.5A，10V	4V@100μA	10V时为7.1nC	±20V	470pF@10V	-	50W（温度）
TDTA143E,LM	0.1800	询价	7152	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TDTA143		320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安			500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆
RN4984FE,LXHF(CT	0.3800	询价	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4984		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安			500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
TK12A60D(STA4,Q,M)	3.0200	询价	45	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK12A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	12A（塔）	10V	550mOhm@6A，10V	4V@1mA	38nC@10V	±30V	1800pF@25V	-	45W（温度）
2SK2962(T6CANO,F,M	-	询价	2604	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SK2962			TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1				1A（Tj）
2SK2145-Y(TE85L,F)	0.6800	询价	26	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-74A、SOT-753	2SK2145		300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		2 个 N 沟道（双）								13pF@10V					1.2毫安@10伏	200毫伏@100纳安
2SC2482(T6TOJS,F,M	-	询价	3501	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2482		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1													300伏	100毫安			1μA（ICBO）	NPN	1V@1mA、10mA	30@20mA，10V	50兆赫
SSM3J117TU，LF	0.3700	询价	第366章	东芝半导体和存储	U-MOSII	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J117	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	30V	2A（塔）	4V、10V	117毫欧@1A，10V	2.6V@1mA		±20V	280pF@15V	-	500毫W（塔）
RN1708，LF	0.3000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN1708		200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安			500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	47k欧姆
SSM6N62TU，LF	0.4200	询价	12	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6N62	MOSFET（金属O化物）	500毫W（塔）	六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		20V	800mA（塔）		85毫欧@800mA，4.5V	1V@1mA	2nC@4.5V		177pF@10V	逻辑电平门，1.2V驱动
RN2902FE,LXHF(CT	0.3800	询价	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2902		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安			500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	10k欧姆
RN1961(TE85L,F)	0.4600	询价	35	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1961		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安			100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²