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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 配置 fet 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电压 -故障（ v br（br）GSS） 电流 -idss） @ vds（vgs = 0） 电压 -截止（ -vgs Off） @ ID 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f） （ID） - 最大
RN49A2,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn49a2，lf（ct 0.2700
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN49A2 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 47kohms 47kohms
SSM3J14TTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J14TTE85LF -
RFQ
 ECAD 8348 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSII 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3J14 MOSFET （金属 o化物） TSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 2.7a（ta） 4V，10V 85mohm @ 1.35a，10v - ±20V 413 PF @ 15 V - 700MW（TA）
SSM6N16FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FUTE85LF 0.5000
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6N16 MOSFET （金属 o化物） 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 100mA 3ohm @ 10mA，4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3V -
2SC3265-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3265-y，LF 0.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SC3265 200兆 TO-236 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 25 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 400mv @ 20mA，500mA 160 @ 100mA，1V 120MHz
2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-gr （TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SK209 150兆 SC-59 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 13pf @ 10V 50 V 14 mA @ 10 V 1.5 V @ 100 na 14 ma
RN1105MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1105MFV，L3F -
RFQ
 ECAD 5453 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1105 150兆 VESM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 80 @ 10mA，5V 2.2 kohms 47科姆斯
RN1507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1507（TE85L，F） 0.3500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74A，SOT-753 RN1507 300MW SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 10KOHMS 47kohms
RN1903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903，LF（ct 0.2700
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1903 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 22KOHMS
RN4606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4606（TE85L，F） 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN4606 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz，250MHz 4.7kohms 47kohms
RN4990(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4990 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 4976 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4990 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250MHz，200MHz 4.7kohms -
SSM3J118TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J118TU（TE85L） 0.4000
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSII 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 SSM3J118 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 1.4a（ta） 4V，10V 240MOHM @ 650mA，10V - ±20V 137 pf @ 15 V - 500MW（TA）
SSM3J15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT（TPL3） -
RFQ
 ECAD 1272 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-101，SOT-883 SSM3J15 MOSFET （金属 o化物） CST3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 P通道 30 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 12ohm @ 10mA，4V - ±20V 9.1 PF @ 3 V - 100mW（TA）
SSM3K301T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K301T（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 3756 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3K301 MOSFET （金属 o化物） TSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 3.5A（ta） 1.8V，4V 56mohm @ 2a，4v - 4.8 NC @ 4 V ±12V 320 pf @ 10 V - 700MW（TA）
SSM3K310T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K310T（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 6188 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3K310 MOSFET （金属 o化物） TSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 5A（5A） 1.5V，4V 28mohm @ 4A，4V - 14.8 NC @ 4 V ±10V 1120 PF @ 10 V - 700MW（TA）
SSM3K7002BF,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BF，LF -
RFQ
 ECAD 3538 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3K7002 MOSFET （金属 o化物） SC-59 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 200ma（ta） 4.5V，10V 2.1ohm @ 500mA，10v - ±20V 17 pf @ 25 V - 200mw（ta）
SSM6L11TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L11TU（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 8093 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6L11 MOSFET （金属 o化物） 500MW UF6 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 500mA 145MOHM @ 250mA，4V 1.1V @ 100µA - 268pf @ 10V 逻辑级别门
SSM6L35FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FU（TE85L，F） 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6L35 MOSFET （金属 o化物） 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 180mA，100mA 3ohm @ 50mA，4V 1V @ 1mA - 9.5pf @ 3V 逻辑级别门，1.2V驱动器
SSM6J771G,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J771G，LF 0.6700
RFQ
 ECAD 4667 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-ufbga，WLCSP SSM6J771 MOSFET （金属 o化物） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 5A（5A） 2.5V，8.5V 31MOHM @ 3A，8.5V 1.2V @ 1mA 9.8 NC @ 4.5 V ±12V 870 pf @ 10 V - 1.2W（TA）
TK39A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK39A60W，S4VX 9.7500
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK39A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 38.8A（TA） 10V 65mohm @ 19.4a，10v 3.7V @ 1.9mA 110 NC @ 10 V ±30V 4100 PF @ 300 V - 50W（TC）
TK10Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10Q60W，S1VQ 3.0600
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK TK10Q60 MOSFET （金属 o化物） 我帕克 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 600 v 9.7A（ta） 10V 430MOHM @ 4.9A，10V 3.7V @ 500µA 20 nc @ 10 V ±30V 700 pf @ 300 V - 80W（TC）
TK20A60W,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60W，S5VX 2.9800
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK20A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 20A（TA） 10V 155mohm @ 10a，10v 3.7V @ 1mA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 PF @ 300 V - 45W（TC）
TK20N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK20N60W，S1VF 6.4300
RFQ
 ECAD 8750 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 TK20N60 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 20A（TA） 10V 155mohm @ 10a，10v 3.7V @ 1mA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 PF @ 300 V - 165W（TC）
TPN8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN8R903NL，LQ 0.7400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPN8R903 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.1x3.1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 20A（TC） 4.5V，10V 8.9MOHM @ 10a，10v 2.3V @ 100µA 9.8 NC @ 4.5 V ±20V 820 pf @ 15 V - 700MW（TA），22W（22W）TC）
TPH6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R003NL，LQ 0.9300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPH6R003 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 38A（TC） 4.5V，10V 6mohm @ 19a，10v 2.3V @ 200µA 17 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 15 V - 1.6W（TA），34W（tc）
2SC5108-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5108-Y，LF -
RFQ
 ECAD 8584 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 2SC5108 100MW SSM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 11DB 10V 30mA NPN 120 @ 5mA，5V 6GHz -
RN1502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1502（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74A，SOT-753 RN1502 300MW SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250MHz 10KOHMS 10KOHMS
2SA1298-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1298-Y，LF 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SA1298 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 25 v 800 MA 100NA（ICBO） PNP 400mv @ 20mA，500mA 160 @ 100mA，1V 120MHz
RN1706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1706JE（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 8712 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 积极的 表面安装 SOT-553 RN1706 100MW ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（NPN- 预偏（双重）（）（） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
RN1703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1703JE（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-553 RN1703 100MW ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（NPN- 预偏（双重）（）（） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 22KOHMS
RN1508(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1508（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74A，SOT-753 RN1508 300MW SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（NPN- 预偏（双重）（）（） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 47kohms
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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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