晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
RN1904,LXHF(CT	0.3600	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1904			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安					500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	47k欧姆
RN1117(TE85L,F)	0.3900	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1117			100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安					500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	4.7欧姆
RN1908FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1908			100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000															50V	100毫安					500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	47k欧姆
RN1102CT(TPL3)	-	询价	2266	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1102			50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000															20V	50毫安					500纳安	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	60@10mA，5V		10欧姆	10欧姆
RN2908,LF(CT	0.2700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2908			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安					500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	47k欧姆
2SA1586-Y(T5LND,F)	-	询价	5318	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323				100毫W	SC-70	下载		1（无限制）	264-2SA1586-Y(T5LNDF)TR	EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	150毫安					100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
GT8G133(TE12L,Q)	-	询价	4443	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	GT8G133	标准		600毫W	8-TSSOP	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		-												-	400V		150A	2.9V@4V，150A	-	1.7微秒/2微秒
SSM3K7002KF，LF	0.3300	询价	31	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3K7002		MOSFET（金属O化物）		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道			60V	400mA（塔）	4.5V、10V	1.5欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	0.6nC@4.5V	±20V	40pF@10V	-	270毫W（塔）
RN2304(TE85L,F)	-	询价	1220	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2304			100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	47欧姆
RN2115MFV,L3F	0.2000	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2115			150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000															50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	50@10mA，5V		2.2欧姆	10欧姆
RN2112CT(TPL3)	-	询价	9368	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2112			50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000															20V	50毫安					100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	300@1mA，5V		22欧姆
TK33S10N1Z,LQ	1.5500	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK33S10		MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000	N沟道			100伏	33A（塔）	10V	9.7毫欧@16.5A，10V	4V@500μA	28nC@10V	±20V	2050pF@10V	-	125W（温度）
HN3C10FUTE85LF	0.5600	询价	101	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN3C10			200毫W	美国6号	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			11.5分贝												12V	80毫安						2 NPN（双）		80@20mA，10V	7GHz			1.1dB@1GHz
RN2404，LF	0.0289	询价	6844	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2404			200毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	47欧姆
RN49A2,LF(CT	0.2700	询价	64	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN49A2			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安					100μA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
2SC3138-Y(TE85L,F)	-	询价	5873	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC3138			150毫W	TO-236	-		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000															200V	50毫安					100nA（ICBO）	NPN	500mV@1mA、10mA	120@10mA，3V	100兆赫兹
RN2119MFV(TPL3)	0.2700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2119			150毫W	VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000															50V	100毫安					100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		1欧姆
RN2963(TE85L,F)	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2963			200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安					100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	22k欧姆
TPCC8067-H,LQ(S	-	询价	6291	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCC8067		MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道			30V	9A（塔）	4.5V、10V	25毫欧@4.5A，10V	2.3V@100μA	9.5nC@10V	±20V	690pF@10V	-	700mW（Ta）、15W（Tc）
SSM3K36MFV，L3F	0.4000	询价	第358章	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	SSM3K36		MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000	N沟道			20V	500mA（塔）	1.5V、5V	630mOhm@200mA，5V	1V@1mA	1.23nC@4V	±10V	10V时为46pF	-	150毫W（塔）
TJ50S06M3L(T6L1,NQ	1.9400	询价	1	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ50S06		MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000	P沟道			60V	50A（塔）	6V、10V	13.8毫欧@25A，10V	3V@1mA	124nC@10V	+10V，-20V	6290pF@10V	-	90W（温度）
TK7A50D(STA4,Q,M)	1.5000	询价	9633	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK7A50		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道			500V	7A（塔）	10V	1.22欧姆@3.5A，10V	4.4V@1mA	12nC@10V	±30V	600pF@25V	-	35W（温度）
RN2102CT(TPL3)	-	询价	9019	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2102			50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000															20V	50毫安					500纳安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	60@10mA，5V		10欧姆	10欧姆
TK100E06N1,S1X	2.7500	询价	30	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK100E06		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道			60V	100A（塔）	10V	2.3毫欧@50A，10V	4V@1mA	140nC@10V	±20V	10500pF@30V	-	255W（温度）
RN1306,LF	0.1900	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1306			100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安					500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	47欧姆
2SK3128(Q)	-	询价	4970	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	2SK3128		MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道			30V	60A（塔）	10V	12毫欧@30A，10V	3V@1mA	66nC@10V	±20V	2300pF@10V	-	150W（温度）
2SA1618-Y(TE85L,F)	0.4700	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-74A、SOT-753	2SA1618			300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	150毫安					100nA（ICBO）	2 PNP（双）匹配，共极输出	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
RN1305,LF	0.2700	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1305			100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安					500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	47欧姆
RN2309(TE85L,F)	0.2700	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2309			100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	22欧姆
2SA965-Y,T6KOJPF(J	-	询价	5039	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA965			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1															120V	800毫安					100nA（ICBO）	国民党	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²