晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
SSM6L807R，LF	0.5200	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6L807	MOSFET（金属O化物）	1.4W（塔）	6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道		30V	4A（塔）		39.1毫欧@2A，4.5V	1V@1mA	4.5V时为3.2nC，4.5V时为6.74nC		15V时为310pF，10V时为480pF	标准
2SK2009TE85LF	0.5600	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SK2009	MOSFET（金属O化物）		SC-59-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	30V	200mA（塔）	2.5V	2欧姆@50MA，2.5V	1.5V@100μA		±20V	70pF@3V	-	200毫W（塔）
RN2108(T5L,F,T)	0.2800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2108		100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	22欧姆	47欧姆
TK090A65Z,S4X	4.7900	询价	2	东芝半导体和存储	DTMOSVI	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK090A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	30A（塔）	10V	90毫欧@15A，10V	4V@1.27mA	47nC@10V	±30V	2780 pF @ 300 V	-	45W（温度）
HN1C01FYTE85LF	0.3300	询价	3827	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	HN1C01		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	150毫安	100nA（ICBO）	2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
TK60S10N1L,LXHQ	1.5800	询价	1308	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK60S10	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	100伏	60A（塔）	6V、10V	6.11毫欧@30A，10V	3.5V@500μA	60nC@10V	±20V	4320pF@10V	-	180W（温度）
2SC5201,F(J	-	询价	5246	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC5201		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	1													600伏	50毫安	1μA（ICBO）	NPN	1V@500mA、20mA	100@20mA，5V	-
2SA1020-Y(T6CN,A,F	-	询价	6615	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TPH2R608NH,L1Q	1.5400	询价	14	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH2R608	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	75V	150A（温度）	10V	2.6毫欧@50A，10V	4V@1mA	72nC@10V	±20V	6000pF@37.5V	-	142W（温度）
HN4K03JUTE85LF	-	询价	2107	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	HN4K03	MOSFET（金属O化物）		5-SSOP	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	20V	100mA（塔）	2.5V	12欧姆@10mA，2.5V	-		10V	8.5pF@3V	-	200毫W（塔）
2SK3565(Q,M)	-	询价	8070	东芝半导体和存储	π-MOSIV	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SK3565	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	900伏	5A（塔）	10V	2.5欧姆@3A，10V	4V@1mA	28nC@10V	±30V	1150pF@25V	-	45W（温度）
2SC4213-A(TE85L,F)	0.0742	询价	4305	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC4213		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000													20V	300毫安	100nA（ICBO）	NPN	100mV@3mA，30A	200@4mA，2V	30兆赫兹
SSM6J771G，LF	0.6700	询价	4667	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-UFBGA、WLCSP	SSM6J771	MOSFET（金属O化物）			下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	5A（塔）	2.5V、8.5V	31毫欧@3A，8.5V	1.2V@1mA	9.8nC@4.5V	±12V	10V时为870pF	-	1.2W（塔）
2SA965-O,F(J	-	询价	9399	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA965		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1													120V	800毫安	100nA（ICBO）	国民党	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
RN1308,LF	0.1800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1308		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	47欧姆
RN2111CT(TPL3)	-	询价	9861	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2111		50毫W	CST3	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000													20V	50毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	300@1mA，5V		10欧姆
TK12A80W,S4X	3.1200	询价	4351	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK12A80	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	800V	11.5A（塔）	10V	450毫欧@5.8A，10V	4V@570μA	23nC@10V	±20V	1400 pF @ 300 V	-	45W（温度）
TTC015B,Q	0.6600	询价	5712	东芝半导体和存储	-	托盘	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3			1.5W	TO-126N	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	250													80V	2A	100nA（ICBO）	NPN	500mV@100mA，1A	100@500mA，2V	150兆赫
TPCA8057-H,LQ(M	-	询价	第1274章	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8057	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	42A（塔）	4.5V、10V	2.6毫欧@21A，10V	2.3V@500μA	61nC@10V	±20V	5200pF@10V	-	1.6W（Ta）、57W（Tc）
TK90S06N1L,LXHQ	1.7200	询价	9	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK90S06	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	60V	90A（塔）	4.5V、10V	3.3毫欧@45A，10V	2.5V@500μA	10V时为81nC	±20V	5400pF@10V	-	157W（温度）
SSM6J215FE(TE85L,F	0.4600	询价	87	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6J215	MOSFET（金属O化物）		ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000		P沟道	20V	3.4A（塔）	1.5V、4.5V	59毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	10.4nC@4.5V	±8V	630pF@10V	-	500毫W（塔）
2SK1829TE85LF	0.0742	询价	2046	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SK1829	MOSFET（金属O化物）		SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	20V	50mA（塔）	2.5V	40欧姆@10mA，2.5V	-		10V	5.5pF@3V	-	100毫W（塔）
RN1963(TE85L,F)	0.4700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1963		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	22k欧姆
HN2C01FE-GR(T5L,F)	-	询价	第1551章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN2C01		100毫W	ES6	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	150毫安	100nA（ICBO）	2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	60兆赫
2SA2097(TE16L1,NQ)	0.8000	询价	8947	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SA2097		1W	PW-模具	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000													50V	5A	100nA（ICBO）	国民党	270mV@53mA，1.6A	200@500mA，2V	-
2SC3668-Y,T2F(J	-	询价	3546	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC3668		1W	MSTM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
2SA1020-Y(女、男)	-	询价	9152	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
XPQR3004PB,LXHQ	6.7900	询价	2	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerBSFN	XPQR3004	MOSFET（金属O化物）		L-TOGL™	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道	40V	400A（塔）	6V、10V	0.3毫欧@200A，10V	3V@1mA	295nC@10V	±20V	26910pF@10V	-	750W（温度）
2SK2266(TE24R,Q)	-	询价	2638	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SK2266	MOSFET（金属O化物）		TO-220SM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	60V	45A（塔）	4V、10V	30毫欧@25A，10V	2V@1mA	60nC@10V	±20V	1800pF@10V	-	65W（温度）
RN1104,LXHF(CT	0.3300	询价	4	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1104		100毫W	SSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	47欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²