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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
TK11S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK11S10N1L，LXHQ 0.9700
RFQ
 ECAD 1392 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 TK1110 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 100 v 11a（11a） 4.5V，10V 28mohm @ 5.5a，10v 2.5V @ 100µA 15 NC @ 10 V ±20V 850 pf @ 10 V - 65W（TC）
XPN12006NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN12006NC，L1XHQ 1.2300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜175°C 表面安装 8-Powervdfn XPN12006 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance-WF （3.1x3.1） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 60 V 20a 4.5V，10V 12mohm @ 10a，10v 2.5V @ 200µA 23 NC @ 10 V ±20V 1100 pf @ 10 V 65W（TC）
SSM6K517NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K517NU，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 829 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6K517 MOSFET （金属 o化物） 6-udfnb（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 6a（6a） 1.8V，4.5V 39.1MOHM @ 2A，4.5V 1V @ 1mA 3.2 NC @ 4.5 V +12V，-8V 310 pf @ 15 V - 1.25W（TA）
SSM6L56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L56FE，LM 0.3800
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6L56 MOSFET （金属 o化物） 150MW（TA） ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 20V 800mA（ta） 235MOHM @ 800mA，4.5V，390MOHM @ 800mA，4.5V 1V @ 1mA 1NC @ 10V 55pf @ 10V，100pf @ 10V 逻辑级别门，1.5V
TK155A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK155A65Z，S4X 3.1400
RFQ
 ECAD 7428 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosvi 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 TK155A65 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 18A（18A） 10V 155mohm @ 9a，10v 4V @ 730µA 29 NC @ 10 V ±30V 1635 PF @ 300 V - 40W（TC）
TK190A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK190A65Z，S4X 3.0000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosvi 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 TK190A65 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 15A（TA） 10V 190MOHM @ 7.5A，10V 4V @ 610µA 25 NC @ 10 V ±30V 1370 pf @ 300 V - 40W（TC）
TK090A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK090A65Z，S4X 4.7900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosvi 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 TK090A65 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 30a（TA） 10V 90mohm @ 15a，10v 4V @ 1.27mA 47 NC @ 10 V ±30V 2780 pf @ 300 V - 45W（TC）
XPW4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPW4R10ANB，L1XHQ 2.3200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜175°C 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-dsop提前 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 100 v 70a 6V，10V 4.1MOHM @ 35A，10V 3.5V @ 1mA 75 NC @ 10 V ±20V 4970 pf @ 10 V 标准 170W（TC）
SSM3J356R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R，LXHF 0.4900
RFQ
 ECAD 7563 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101，U-MOSVI 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-23-3平线 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-SSM3J356R，LXHFCT Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 60 V 2A（TA） 4V，10V 300MOHM @ 1A，10V 2V @ 1mA 8.3 NC @ 10 V +10V，-20V 330 pf @ 10 V - 1W（ta）
TK190U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK190U65Z，RQ 2.9200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Powersfn MOSFET （金属 o化物） 收费 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 650 v 15A（TA） 10V 190MOHM @ 7.5A，10V 4V @ 610µA 25 NC @ 10 V ±30V 1370 pf @ 300 V - 130W（TC）
TK155U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK155U65Z，RQ 3.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Powersfn MOSFET （金属 o化物） 收费 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 650 v 18A（18A） 10V 155mohm @ 9a，10v 4V @ 730µA 29 NC @ 10 V ±30V 1635 PF @ 300 V - 150W（TC）
SSM3J355R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J355R，LF 0.4200
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3J355 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 6a（6a） 1.8V，4.5V 30.1MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 1mA 16.6 NC @ 4.5 V ±10V 1030 pf @ 10 V - 1W（ta）
TK380P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK380P60Y，RQ 1.6900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSV 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 TK380P60 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 9.7a（TC） 10V 380MOHM @ 4.9A，10V 4V @ 360µA 20 nc @ 10 V ±30V 590 pf @ 300 V - 30W（TC）
TK560P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P60Y，RQ 1.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSV 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 TK560P60 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 7A（TC） 10V 560MOHM @ 3.5A，10V 4V @ 240µA 14.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 V - 60W（TC）
RN1104,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104，LF（ct 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1104 100兆 SSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 47科姆斯 47科姆斯
SSM6L13TU(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L13TU （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 3054 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6L13 MOSFET （金属 o化物） 500MW UF6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 800mA（ta） 143MOHM @ 600mA，4V，234MOHM @ 600mA，4V 1V @ 1mA - 268pf @ 10V，250pf @ 10V 逻辑水平门，1.8V
SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J168F，LF 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3J168 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 60 V 400mA（TA） 4V，10V 1.9OHM @ 100mA，4.5V 2V @ 1mA 3 NC @ 10 V +20V，-16V 82 pf @ 10 V - 1.2W（TA）
SSM6N35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFE，LF 0.4000
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6N35 MOSFET （金属 o化物） 250MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 250mA（ta） 1.1OHM @ 150mA，4.5V 1V @ 100µA 0.34NC @ 4.5V 36pf @ 10V 逻辑级别门，1.2V驱动器
SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFU，LF 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6N35 MOSFET （金属 o化物） 285MW（TA） US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 250mA（ta） 1.1OHM @ 150mA，4.5V 1V @ 100µA 0.34NC @ 4.5V 36pf @ 10V -
SSM6N39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N39TU，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 7160 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6N39 MOSFET （金属 o化物） 500MW UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 1.6a（ta） 119MOHM @ 1A，4V 1V @ 1mA 7.5nc @ 4V 260pf @ 10V -
TPCP8F01(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage tpcp8f01（te85l，f，m -
RFQ
 ECAD 3838 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 20V 负载开关 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TPCP8 PS-8 下载 Rohs符合条件 TPCP8F01（TE85LFM Ear99 8541.21.0095 3,000 3a PNP，N通道
TPH6R30ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R30ANL，L1Q 1.1500
RFQ
 ECAD 7068 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Powervdfn TPH6R30 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 100 v 66A（TA），45A （TC） 4.5V，10V 6.3MOHM @ 22.5A，10V 2.5V @ 500µA 55 NC @ 10 V ±20V 4300 PF @ 50 V - 2.5W（ta），54W（TC）
RN1114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1114MFV，L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1114 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 1 kohms 10 kohms
RN1116MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1116MFV，L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1116 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 10 kohms
RN2110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2110MFV，L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2110 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 4.7科姆斯
RN2115MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2115MFV，L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2115 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 50 @ 10mA，5V 2.2 kohms 10 kohms
RN2130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2130MFV，L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 1257 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2130 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 100 @ 10mA，5v 100 kohms 100 kohms
TK25V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X，LQ 2.5193
RFQ
 ECAD 9782 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSIV-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 4-VSFN暴露垫 TK25V60 MOSFET （金属 o化物） 4-DFN-EP（8x8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TK25V60XLQ Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 25A（TA） 10V 135mohm @ 7.5A，10V 3.5V @ 1.2mA 40 NC @ 10 V ±30V 2400 PF @ 300 V - 180W（TC）
TK8R2A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK8R2A06PL，S4X 1.0200
RFQ
 ECAD 1381 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK8R2A06 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 50A（TC） 4.5V，10V 11.4mohm @ 8a，4.5V 2.5V @ 300µA 28.4 NC @ 10 V ±20V 1990 pf @ 25 V - 36W（TC）
TK4R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4R3A06PL，S4X 1.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK4R3A06 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 68A（TC） 4.5V，10V 7.2MOHM @ 15A，4.5V 2.5V @ 500µA 48.2 NC @ 10 V ±20V 3280 pf @ 30 V - 36W（TC）
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196-LFBGA裸露的垫子

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