晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
TK12A80W,S4X	3.1200	询价	4351	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK12A80	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用	EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		800V	11.5A（塔）	10V	450毫欧@5.8A，10V	4V@570μA	23nC@10V	±20V	1400 pF @ 300 V	-	45W（温度）
TTC015B,Q	0.6600	询价	5712	东芝半导体和存储	-	托盘	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3			1.5W	TO-126N	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	250													80V	2A	100nA（ICBO）	NPN	500mV@100mA，1A	100@500mA，2V	150兆赫
TPCA8057-H,LQ(M	-	询价	第1274章	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8057	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道		30V	42A（塔）	4.5V、10V	2.6毫欧@21A，10V	2.3V@500μA	61nC@10V	±20V	5200pF@10V	-	1.6W（Ta）、57W（Tc）
TK90S06N1L,LXHQ	1.7200	询价	9	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK90S06	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000	N沟道		60V	90A（塔）	4.5V、10V	3.3毫欧@45A，10V	2.5V@500μA	10V时为81nC	±20V	5400pF@10V	-	157W（温度）
SSM6J215FE(TE85L,F	0.4600	询价	87	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6J215	MOSFET（金属O化物）		ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000	P沟道		20V	3.4A（塔）	1.5V、4.5V	59毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	10.4nC@4.5V	±8V	630pF@10V	-	500毫W（塔）
2SK1829TE85LF	0.0742	询价	2046	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SK1829	MOSFET（金属O化物）		SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道		20V	50mA（塔）	2.5V	40欧姆@10mA，2.5V	-		10V	5.5pF@3V	-	100毫W（塔）
RN1963(TE85L,F)	0.4700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1963		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	22k欧姆
HN2C01FE-GR(T5L,F)	-	询价	第1551章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN2C01		100毫W	ES6	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	150毫安	100nA（ICBO）	2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	60兆赫
2SC3668-Y,T2F(J	-	询价	3546	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC3668		1W	MSTM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
2SA1020-Y(女、男)	-	询价	9152	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
XPQR3004PB,LXHQ	6.7900	询价	2	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerBSFN	XPQR3004	MOSFET（金属O化物）		L-TOGL™	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1,500人	N沟道		40V	400A（塔）	6V、10V	0.3毫欧@200A，10V	3V@1mA	295nC@10V	±20V	26910pF@10V	-	750W（温度）
2SK2266(TE24R,Q)	-	询价	2638	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SK2266	MOSFET（金属O化物）		TO-220SM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		60V	45A（塔）	4V、10V	30毫欧@25A，10V	2V@1mA	60nC@10V	±20V	1800pF@10V	-	65W（温度）
RN1104,LXHF(CT	0.3300	询价	4	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1104		100毫W	SSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	47欧姆
RN1406,LXHF	0.0645	询价	7373	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1406		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	47欧姆
HN1C01FE-Y,LF	0.3000	询价	9838	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN1C01		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	150毫安	100nA（ICBO）	2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
2SC5087YTE85LF	-	询价	9624	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	SC-61AA	2SC5087		150毫W	小型MQ	-	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		13分贝											12V	80毫安		NPN		120@20mA，10V	7GHz			1.1dB@1GHz
2SA1680,T6SCMDF(J	-	询价	3084	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1680		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	120@100mA，2V	100兆赫兹
TPH1R306P1,L1Q	2.4900	询价	3131	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH1R306	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000	N沟道		60V	100A（温度）	4.5V、10V	1.28毫欧@50A，10V	2.5V@1mA	91nC@10V	±20V	8100pF@30V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）
TK155U65Z,RQ	3.4000	询价	3	东芝半导体和存储	DTMOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	8-PowerSFN		MOSFET（金属O化物）		收费	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000	N沟道		650伏	18A（塔）	10V	155mOhm@9A，10V	4V@730μA	29nC@10V	±30V	1635pF@300V	-	150W（温度）
SSM3J14TTE85LF	-	询价	8348	东芝半导体和存储	U-MOSII	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3J14	MOSFET（金属O化物）		TSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	P沟道		30V	2.7A（塔）	4V、10V	85毫欧@1.35A，10V	-		±20V	15V时为413pF	-	700毫W（塔）
RN1408,LF	0.1900	询价	3234	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1408		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	47欧姆
RN1906FE(T5L,F,T)	-	询价	2896	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1906		100毫W	ES6	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
RN4611(TE85L,F)	0.0865	询价	3988	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN4611		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10k欧姆	-
2SC3324-BL(TE85L,F	-	询价	9331	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC3324		150毫W	TO-236	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000													120V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN	300mV@1mA、10mA	350@2mA，6V	100兆赫兹
MT3S20P(TE12L,F)	-	询价	2879	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	MT3S20		1.8W	PW-MINI	-	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1,000		16.5分贝											12V	80毫安		NPN		100@50mA，5V	7GHz			1.45dB@1GHz
TPCC8003-H(TE12LQM	-	询价	5379	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TPCC8003	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.3x3.3)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道		30V	13A（塔）	4.5V、10V	16.9毫欧@6.5A，10V	2.3V@200μA	17nC@10V	±20V	1300pF@10V	-	700mW（Ta）、22W（Tc）
2SA1832-GR,LXHF	0.3900	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-	表面贴装	SC-75、SOT-416			120毫W	SSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	150毫安	100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
TK4R3A06PL,S4X	1.3300	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	管子	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK4R3A06	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用	EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		60V	68A（温度）	4.5V、10V	7.2毫欧@15A，4.5V	2.5V@500μA	48.2nC@10V	±20V	3280pF@30V	-	36W（温度）
RN4902FE,LF(CT	0.2700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4902		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	10k欧姆	10k欧姆
TPN2R703NL,L1Q	1.2100	询价	4	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN2R703	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000	N沟道		30V	45A（温度）	4.5V、10V	2.7毫欧@22.5A，10V	2.3V@300μA	21nC@10V	±20V	2100pF@15V	-	700mW（Ta）、42W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²