晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
RN2108MFV,L3F	0.2000	询价	3075	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2108			150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	8,000																50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V		22欧姆	47欧姆
TK42E12N1,S1X	1.3700	询价	5104	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK42E12		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		TK42E12N1S1X	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			120V	88A（温度）	10V	9.4毫欧@21A，10V	4V@1mA	52nC@10V	±20V	3100pF@60V	-	140W（温度）
SSM3K324R，LF	0.4500	询价	7	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3K324		MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			30V	4A（塔）	1.8V、4.5V	55mOhm@4A，4.5V	-		±12V	190pF@30V	-	1W（塔）
TK10A80E,S4X	2.4200	询价	117	东芝半导体和存储	π-MOSVIII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK10A80		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			800V	10A（塔）	10V	1欧姆@5A，10V	4V@1mA	46nC@10V	±30V	2000pF@25V	-	50W（温度）
TK7A80W,S4X	2.8900	询价	50	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			800V	6.5A（塔）	10V	950毫欧@3.3A，10V	4V@280μA	13nC@10V	±20V	700 pF @ 300 V	-	35W（温度）
SSM6N16FUTE85LF	0.5000	询价	600	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6N16		MOSFET（金属O化物）	200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）				20V	100毫安		3欧姆@10mA，4V	1.1V@100μA	-		9.3pF@3V	-
RN2310,LXHF	0.3900	询价	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2310			100毫W	SC-70	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000																50V	100毫安					100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7欧姆
RN1104,LF(CT	0.2000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1104			100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	100毫安					500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	47欧姆
TK6P53D(T6RSS-Q)	1.4300	询价	2	东芝半导体和存储	π-MOSVII	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK6P53		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道			525伏	6A（塔）	10V	1.3欧姆@3A，10V	4.4V@1mA	12nC@10V	±30V	600pF@25V	-	100W（温度）
RN1111ACT(TPL3)	-	询价	3758	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1111			100毫W	CST3	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	10,000																50V	80毫安					100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@1mA，5V		10欧姆
RN2903,LF	-	询价	1909年	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2903			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000																50V	100毫安					500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	22k欧姆
TK5A60W,S4VX	2.1100	询价	7138	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK5A60		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			600伏	5.4A（塔）	10V	900毫欧@2.7A，10V	3.7V@270μA	10V时为10.5nC	±30V	380 pF @ 300 V	-	30W（温度）
RN1904,LXHF(CT	0.3600	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1904			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000																50V	100毫安					500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	47k欧姆
RN1117(TE85L,F)	0.3900	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1117			100毫W	SSM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	100毫安					500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	4.7欧姆
RN1908FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1908			100毫W	ES6	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	4,000																50V	100毫安					500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	47k欧姆
RN1102CT(TPL3)	-	询价	2266	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1102			50毫W	CST3	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	10,000																20V	50毫安					500纳安	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	60@10mA，5V		10欧姆	10欧姆
RN2908,LF(CT	0.2700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2908			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	100毫安					500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	47k欧姆
2SA1586-Y(T5LND,F)	-	询价	5318	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323				100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		264-2SA1586-Y(T5LNDF)TR	EAR99	8541.21.0095	3,000																50V	150毫安					100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
GT8G133(TE12L,Q)	-	询价	4443	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	GT8G133	标准		600毫W	8-TSSOP	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000			-												-	400V		150A	2.9V@4V，150A	-	1.7微秒/2微秒
SSM3K7002KF，LF	0.3300	询价	31	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3K7002		MOSFET（金属O化物）		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道			60V	400mA（塔）	4.5V、10V	1.5欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	0.6nC@4.5V	±20V	40pF@10V	-	270毫W（塔）
RN2304(TE85L,F)	-	询价	1220	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2304			100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	47欧姆
RN2115MFV,L3F	0.2000	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2115			150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	8,000																50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	50@10mA，5V		2.2欧姆	10欧姆
RN2112CT(TPL3)	-	询价	9368	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2112			50毫W	CST3	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	10,000																20V	50毫安					100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	300@1mA，5V		22欧姆
HN3C10FUTE85LF	0.5600	询价	101	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN3C10			200毫W	美国6号	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000				11.5分贝												12V	80毫安						2 NPN（双）		80@20mA，10V	7GHz			1.1dB@1GHz
RN2404，LF	0.0289	询价	6844	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2404			200毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	47欧姆
RN49A2,LF(CT	0.2700	询价	64	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN49A2			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000																50V	100毫安					100μA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
2SC3138-Y(TE85L,F)	-	询价	5873	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC3138			150毫W	TO-236	-		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000																200V	50毫安					100nA（ICBO）	NPN	500mV@1mA、10mA	120@10mA，3V	100兆赫兹
RN2119MFV(TPL3)	0.2700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2119			150毫W	VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	8,000																50V	100毫安					100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		1欧姆
RN2963(TE85L,F)	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2963			200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000																50V	100毫安					100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	22k欧姆
TPCC8067-H,LQ(S	-	询价	6291	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCC8067		MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			30V	9A（塔）	4.5V、10V	25毫欧@4.5A，10V	2.3V@100μA	9.5nC@10V	±20V	690pF@10V	-	700mW（Ta）、15W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²