晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
2SK2854(TE12L,F)	-	询价	5398	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	10V			TO-243AA	2SK2854	849兆赫	场效应晶体管		PW-MINI	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		500毫安	23dBmW	-											-
2SK3462(TE16L1,NQ)	-	询价	7650	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SK3462		MOSFET（金属O化物）		PW-模具	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道				250伏	3A（塔）	10V	1.7欧姆@1.5A，10V	3.5V@1mA	12nC@10V	±20V	10V时为267pF	-	20W（温度）
TK4P55DA(T6RSS-Q)	-	询价	2865	东芝半导体和存储	π-MOSVII	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK4P55		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TK4P55DAT6RSSQ	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道				550伏	3.5A（塔）	10V	2.45欧姆@1.8A，10V	4.4V@1mA	9nC@10V	±30V	380pF@25V	-	80W（温度）
RN2969(TE85L,F)	0.4700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2969			200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																	50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
HN1C01FE-GR,LF	0.3000	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN1C01			100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																	50V	150毫安	100nA（ICBO）	2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
TK40P03M1(T6RDS-Q)	-	询价	6022	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的		-	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK40P03		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TK40P03M1T6RDSQ	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道				30V	40A（塔）	4.5V、10V	10.8毫欧@20A，10V	2.3V@100μA	17.5nC@10V	±20V	1150pF@10V	-	-
SSM3K72CFS,LF	0.2000	询价	133	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	SSM3K72		MOSFET（金属O化物）		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道				60V	170毫安（塔）	4.5V、10V	3.9欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	0.35nC@4.5V	±20V	17pF@10V	-	150毫W（塔）
RN2101,LF(CT	0.2000	询价	2719	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2101			100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																	50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
2SC2655-Y(天气预报,F,M)	-	询价	8275	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																	50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
2SA1163-GR,LF	0.3000	询价	16	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1163			150毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																	120V	100毫安	100nA（ICBO）	国民党	300mV@1mA、10mA	200@2mA，6V	100兆赫兹
2SC5108-Y,LF	-	询价	8584	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	2SC5108			100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000					11分贝												10V	30毫安		NPN		120@5mA，5V	6GHz			-
2SA1162-Y,LF	0.1800	询价	1595	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1162			150毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																	50V	150毫安	100μA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
RN2107CT(TPL3)	-	询价	2801	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2107			50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																	20V	50毫安	500纳安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@10mA，5V		10欧姆	47欧姆
2SA1225-Y(Q)	-	询价	5342	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SA1225			1W	PW-模具	-		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	200																	160伏	1.5安	1μA（ICBO）	国民党	1.5V@50mA、500mA	120@100mA，5V	100兆赫兹
RN1441ATE85LF	-	询价	5685	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1441			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																	20V	300毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	100毫伏@3毫安，30毫安	200@4mA，2V	30兆赫	5.6欧姆
RN1112(T5L,F,T)	-	询价	第1237章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1112			100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																	50V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	22欧姆
2SA949-Y(T6ONK1,FM	-	询价	8591	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA949			800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																	150伏	50毫安	100nA（ICBO）	国民党	800mV@1mA，10A	70@10mA，5V	120兆赫
TPHR6503PL,L1Q	2.0600	询价	51	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPHR6503		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道				30V	150A（温度）	4.5V、10V	0.65mOhm@50A，10V	2.1V@1mA	110nC@10V	±20V	10000pF@15V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）
TK65E10N1,S1X	2.9200	询价	6537	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK65E10		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道				100伏	148A（塔）	10V	4.8毫欧@32.5A，10V	4V@1mA	81nC@10V	±20V	5400pF@50V	-	192W（温度）
2SK2967(女)	-	询价	8942	东芝半导体和存储	-	托盘	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	2SK2967		MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道				250伏	30A（塔）	10V	68毫欧@15A，10V	3.5V@1mA	132nC@10V	±20V	5400pF@10V	-	150W（温度）
SSM3J356R,LXHF	0.4900	询价	7563	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写			MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-SSM3J356R，LXHFCT	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道				60V	2A（塔）	4V、10V	300mOhm@1A，10V	2V@1mA	10V时为8.3nC	+10V，-20V	10V时为330pF	-	1W（塔）
TK3A90E,S4X	1.2300	询价	50	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		150℃	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-TK3A90ES4X	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道				900伏	2.5A（塔）	10V	4.6欧姆@1.3A，10V	4V@250μA	15nC@10V	±30V	650pF@25V	-	35W（温度）
2SC4915-O，LF	0.5000	询价	9220	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	2SC4915			100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000					17分贝～23分贝												30V	20毫安		NPN		70@1mA，6V	550兆赫			2.3dB~5dB@100MHz
2SC2383-Y(T6DNS,FM	-	询价	8306	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2383			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																	160伏	1A	1μA（ICBO）	NPN	1.5V@50mA、500mA	60@200mA，5V	100兆赫兹
RN2910,LXHF(CT	0.4400	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2910			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																	50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	-
RN1102,LXHF(CT	0.3300	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1102			100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																	50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	10欧姆
RN1909FE(TE85L,F)	0.3500	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1909			100毫W	ES6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																	50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	22k欧姆
RN4606(TE85L,F)	0.3800	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-74、SOT-457	RN4606			300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																	50V	100毫安	100μA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
2SC4881(CANO,F,M)	-	询价	8922	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC4881			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																	50V	5A	1μA（ICBO）	NPN	400mV@125mA，2.5A	100 @ 1A、1V	100兆赫兹
TPCA8120,LQ(CM	-	询价	9207	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8120		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道				30V	45A（塔）	4.5V、10V	3毫欧@22.5A，10V	2V@1mA	190nC@10V	+20V，-25V	7420pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²