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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
TK12E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W，S1X 3.6100
RFQ
 ECAD 4687 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3 TK12E80 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 11.5A（TA） 10V 450MOHM @ 5.8A，10V 4V @ 570µA 23 NC @ 10 V ±20V 1400 PF @ 300 V - 165W（TC）
TK14A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK14A45D（sta4，Q，m） 3.0300
RFQ
 ECAD 4530 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 - 通过洞 TO-220-3完整包 TK14A45 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 450 v 14a 340MOHM @ 7A，10V - - -
RN2708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2708JE（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-553 RN2708 100MW ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 22KOHMS 47kohms
TPCC8A01-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage tpcc8a01-h（TE12LQM -
RFQ
 ECAD 4142 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSV-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 TPCC8A01 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.3x3.3） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 21a（21a） 4.5V，10V 9.9mohm @ 10.5a，10v 2.3V @ 1mA 20 nc @ 10 V ±20V 1900 pf @ 10 V - 700MW（TA），30W（TC）
RN2113,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2113，LXHF（ct 0.0624
RFQ
 ECAD 9067 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN2113 100兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200 MHz 47科姆斯
TK7A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK7A60W，S4VX 1.9200
RFQ
 ECAD 1040 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK7A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 7a（ta） 10V 600MOHM @ 3.5A，10V 3.7V @ 350µA 15 NC @ 10 V ±30V 490 pf @ 300 V - 30W（TC）
RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2711（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 1334 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2711 200MW 5-SSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（PNP- 预偏（双重）（） 300mv @ 250µA，5mA 400 @ 1mA，5V 200MHz 10KOHMS -
2SA965-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-y，f（j -
RFQ
 ECAD 3433 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA965 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） PNP 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
2SA1020-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y，T6KeHF（m -
RFQ
 ECAD 1707年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1020 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
RN4984FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4984fe，lf（Ct 0.2800
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4984 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 47kohms 47kohms
2SA1020-Y,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y，t6wnlf（j -
RFQ
 ECAD 2798 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1020 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） 2SA1020-YT6WNLF（j Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
RN1403,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1403，LF 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1403 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
2SD2695(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695（t6cno，A，f） -
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SD2695 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 60 V 2 a 10µA（ICBO） NPN 1.5V @ 1mA，1a 2000 @ 1A，2V 100MHz
2SA949-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2sa949-o（te6，f，m） -
RFQ
 ECAD 1856年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA949 800兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 mA 100NA（ICBO） PNP 800mv @ 1mA，10a 70 @ 10mA，5V 120MHz
2SC2235-Y(MBSH1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y MBSH1，FM -
RFQ
 ECAD 5908 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2235 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
RN2410,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2410，LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 7556 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN2410 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200 MHz 4.7科姆斯
TPH1R403NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R403NL，L1Q 1.5500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPH1R403 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 60a（ta） 4.5V，10V 1.4mohm @ 30a，10v 2.3V @ 500µA 46 NC @ 10 V ±20V 4400 pf @ 15 V - 1.6W（TA），64W（tc）
RN2311,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2311，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 7033 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN2311 100兆 SC-70 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200 MHz 10 kohms
RN1673(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1673（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 6017 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1673 300MW US6 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V - 47kohms -
RN1103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV，L3XHF（ct 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1103 150兆 VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 70 @ 10mA，5V 22 KOHMS 22 KOHMS
RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV，L3XHF（ct 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1106 150兆 VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 80 @ 1mA，5V 4.7科姆斯 47科姆斯
TW015N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015N120C，S1F 68.0400
RFQ
 ECAD 2613 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-247-3 sicfet （碳化硅） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 100A（TC） 18V 20mohm @ 50a，18v 5V @ 11.7mA 158 NC @ 18 V +25V，-10V 6000 PF @ 800 V - 431W（TC）
2SA1954-A(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1954-A （TE85L，f） -
RFQ
 ECAD 8074 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SA1954 100兆 SC-70 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 MA 100NA（ICBO） PNP 250mv @ 10mA，200mA 300 @ 10mA，2V 130MHz
SSM3K35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35CT，L3F 0.3200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SC-101，SOT-883 SSM3K35 MOSFET （金属 o化物） CST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 20 v 180mA（TA） 1.2V，4V 3ohm @ 50mA，4V 1V @ 1mA ±10V 9.5 pf @ 3 V - 100mW（TA）
SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K345R，LF 0.4300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3K345 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 4A（ta） 1.5V，4.5V 33MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 1mA 3.6 NC @ 4.5 V ±8V 410 pf @ 10 V - 1W（ta）
TPH3R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R003PL，LQ 0.9900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPH3R003 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 88A（TC） 4.5V，10V 4.2MOHM @ 44A，4.5V 2.1V @ 300µA 50 NC @ 10 V ±20V 3825 pf @ 15 V - 90W（TC）
SSM6N48FU,RF(D Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU，RF（d -
RFQ
 ECAD 1977年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6N48 MOSFET （金属 o化物） 300MW US6 下载 （1 （无限） SSM6N48FURF（d Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V （100mA）（TA） 3.2OHM @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA - 15.1pf @ 3V 逻辑水平门，2.5V
RN4982FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4982FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4982 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 10KOHMS 10KOHMS
RN2104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2104MFV，L3F -
RFQ
 ECAD 2607 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2104 150兆 VESM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） RN2104MFVL3F Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 47科姆斯 47科姆斯
RN2605(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2605（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN2605 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
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    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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