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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
TK25N60X5，S1F	4.5900	RFQ	8939	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TK25N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	25A（TA）	10V	140MOHM @ 7.5A，10V	4.5V @ 1.2mA	60 NC @ 10 V	±30V	2400 PF @ 300 V	-	180W（TC）
TK5Q65W，S1Q	1.2700	RFQ	75	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TK5Q65	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	650 v	5.2a（ta）	10V	1.22OHM @ 2.6a，10V	3.5V @ 170µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 300 V	-	60W（TC）
TK6Q65W，S1Q	1.4000	RFQ	8899	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TK6Q65	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	650 v	5.8A（ta）	10V	1.05OHM @ 2.9a，10V	3.5V @ 180µA	11 NC @ 10 V	±30V	390 pf @ 300 V	-	60W（TC）
TK8A65W，S5X	1.7800	RFQ	50	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK8A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	7.8A（ta）	10V	650MOHM @ 3.9A，10V	3.5V @ 300µA	16 NC @ 10 V	±30V	570 pf @ 300 V	-	30W（TC）
TK17N65W，S1F	3.8600	RFQ	7047	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TK17N65	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	17.3a（ta）	10V	200mohm @ 8.7a，10v	3.5V @ 900µA	45 NC @ 10 V	±30V	1800 PF @ 300 V	-	165W（TC）
TK14E65W5，S1X	3.0200	RFQ	15	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK14E65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	13.7A（TA）	10V	300mohm @ 6.9a，10v	4.5V @ 690µA	40 NC @ 10 V	±30V	1300 PF @ 300 V	-	130W（TC）
TK35A65W5，S5X	6.3000	RFQ	7564	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK35A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	35A（TA）	10V	95MOHM @ 17.5A，10V	4.5V @ 2.1mA	115 NC @ 10 V	±30V	4100 PF @ 300 V	-	50W（TC）
TK14N65W5，S1F	4.3100	RFQ	4776	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TK14N65	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	13.7A（TA）	10V	300mohm @ 6.9a，10v	4.5V @ 690µA	40 NC @ 10 V	±30V	1300 PF @ 300 V	-	130W（TC）
TK16E60W5，S1VX	3.1200	RFQ	9278	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK16E60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	15.8A（TA）	10V	230MOHM @ 7.9A，10V	4.5V @ 790µA	43 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 300 V	-	130W（TC）
TK8Q65W，S1Q	1.7200	RFQ	5	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TK8Q65	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	650 v	7.8A（ta）	10V	670MOHM @ 3.9A，10V	3.5V @ 300µA	16 NC @ 10 V	±30V	570 pf @ 300 V	-	80W（TC）
TK5A65W，S5X	1.6000	RFQ	1655年	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK5A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	5.2a（ta）	10V	1.2OHM @ 2.6a，10V	3.5V @ 170µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 300 V	-	30W（TC）
TK9A65W，S5X	2.2200	RFQ	1169	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK9A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	9.3a（ta）	10V	500MOHM @ 4.6A，10V	3.5V @ 350µA	20 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 300 V	-	30W（TC）
TK28A65W，S5X	5.0100	RFQ	34	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK28A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	27.6a（ta）	10V	110MOHM @ 13.8A，10V	3.5V @ 1.6mA	75 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	45W（TC）
2SA1162S-gr，lf（d	-	RFQ	6832	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SA1162		150兆	S-Mini	下载		（1 （无限）	2SA1162S-GRLF（d	Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	70 @ 2mA，6v	80MHz
RN2402S，LF（d	-	RFQ	4226	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2402		200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）	RN2402SLF（d	Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
SSM3K17SU，LF（d	-	RFQ	9558	东芝半导体和存储	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				SSM3K17				-		（1 （无限）	SSM3K17SULF（d	Ear99	8541.21.0095	3,000				（100mA）（TA）
SSM6N48FU，RF（d	-	RFQ	1977年	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SSM6N48	MOSFET （金属 o化物）	300MW	US6	下载		（1 （无限）	SSM6N48FURF（d	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	（100mA）（TA）		3.2OHM @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	-		15.1pf @ 3V	逻辑水平门，2.5V
RN1108MFV，L3F	0.1800	RFQ	29	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	RN1108		150兆	VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	80 @ 10mA，5V		22 KOHMS	47科姆斯
RN2107MFV，L3F	-	RFQ	3225	东芝半导体和存储	-	大部分	积极的		表面安装	SOT-723	RN2107		150兆	VESM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V		10 kohms	47科姆斯
SSM6K504NU，LF	0.3800	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosvii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6K504	MOSFET （金属 o化物）		6-udfnb（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	9a（9a）	4.5V，10V	19.5mohm @ 4A，10V	2.5V @ 100µA	4.8 NC @ 4.5 V	±20V	620 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
SSM6L16FETE85LF	0.3800	RFQ	29	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TA）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6L16	MOSFET （金属 o化物）	150MW	ES6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000	n和p通道		20V	100mA		3ohm @ 10mA，4V	1.1V @ 100µA	-		9.3pf @ 3V	-
TPH3R704PL，L1Q	0.9400	RFQ	60	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn	TPH3R704	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	92A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 46A，10V	2.4V @ 200µA	27 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 20 V	-	（960MW）（TA），81W（TC）
SSM3K37FS，LF	0.2300	RFQ	122	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TA）	表面安装	SC-75，SOT-416	SSM3K37	MOSFET （金属 o化物）		SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	200ma（ta）	1.5V，4.5V	2.2OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 1mA		±10V	12 pf @ 10 V	-	100mW（TA）
2SK2847（f）	-	RFQ	1737年	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SK2847	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	900 v	8a（8a）	10V	1.4OHM @ 4A，10V	4V @ 1mA	58 NC @ 10 V	±30V	2040 pf @ 25 V	-	85W（TC）
2SK2995（f）	-	RFQ	9943	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SK2995	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	30a（TA）	10V	68mohm @ 15a，10v	3.5V @ 1mA	132 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 10 V	-	90W（TC）
2SK3068（TE24L，Q）	-	RFQ	7876	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SK3068	MOSFET （金属 o化物）		TO-220SM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	12a（12a）	10V	520MOHM @ 6A，10V	4V @ 1mA	45 NC @ 10 V	±30V	2040 pf @ 10 V	-	100W（TC）
TK72A08N1，S4X	2.2300	RFQ	50	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK72A08	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	75 v	80a（ta）	10V	4.5mohm @ 40a，10v	4V @ 1mA	175 NC @ 10 V	±20V	8200 PF @ 10 V	-	45W（TC）
TPCA8045-H （T2L1，VM	-	RFQ	3369	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8045	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	46a（ta）	4.5V，10V	3.6mohm @ 23A，10V	2.3V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±20V	7540 pf @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）
tpcp8005-h te85l，f	-	RFQ	2162	东芝半导体和存储	U-MOSV-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TPCP8005	MOSFET （金属 o化物）		PS-8（2.9x2.4）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	12.9mohm @ 5.5A，10V	2.5V @ 1mA	20 nc @ 10 V	±20V	2150 pf @ 10 V	-	840MW（TA）
tpca8028-h（TE12LQM	-	RFQ	9696	东芝半导体和存储	U-MOSIV-H	（CT）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8028	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	50a（ta）	4.5V，10V	2.8mohm @ 25a，10v	2.3V @ 1mA	88 NC @ 10 V	±20V	7800 PF @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²