晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SA2154CT-Y(TPL3)	-	询价	5156	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	2SA2154		100毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
TPH1500CNH,L1Q	1.9800	询价	7	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH1500	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	150伏	38A（温度）	10V	15.4毫欧@19A，10V	4V@1mA	22nC@10V	±20V	2200pF@75V	-	1.6W（Ta）、78W（Tc）
TPC8221-H,LQ(S	-	询价	第1370章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPC8221	MOSFET（金属O化物）	450毫W	8-SOP	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）		30V	6A		25毫欧@3A，10V	2.3V@100μA	12nC@10V		830pF@10V	-
TK6Q65W,S1Q	1.4000	询价	8899	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	TK6Q65	MOSFET（金属O化物）		爱帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道	650伏	5.8A（塔）	10V	1.05欧姆@2.9A，10V	3.5V@180μA	11nC@10V	±30V	390 pF @ 300 V	-	60W（温度）
TK5P65W,RQ	1.3700	询价	2	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		DPAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	650伏	5.2A（塔）	10V	1.22欧姆@2.6A，10V	3.5V@170μA	10V时为10.5nC	±30V	380 pF @ 300 V	-	60W（温度）
2SC2655-Y(T6CANOFM	-	询价	8697	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	2SC2655YT6CANOFM	EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
SSM3J114TU(T5L,T)	-	询价	2761	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J114	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	20V	1.8A（塔）	1.5V、4V	149毫欧@600mA，4V	1V@1mA	7.7nC@4V	±8V	10V时为331pF	-	500毫W（塔）
TPCA8045-H(T2L1,VM	-	询价	3369	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8045	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	40V	46A（塔）	4.5V、10V	3.6毫欧@23A，10V	2.3V@1mA	90nC@10V	±20V	7540pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
TPN11003NL,LQ	0.6800	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN11003	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	11A（温度）	4.5V、10V	11毫欧@5.5A，10V	2.3V@100μA	10V时为7.5nC	±20V	660pF@15V	-	700mW（Ta）、19W（Tc）
2SK2962,T6F(J	-	询价	4247	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SK2962			TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1				1A（Tj）
RN1108(T5L,F,T)	0.2300	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1108		100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	47欧姆
RN2422TE85LF	0.4200	询价	4270	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2422		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	800毫安	500纳安	PNP - 预偏置	250mV@1mA、50mA	65@100mA，1V	200兆赫	2.2欧姆	2.2欧姆
TPH6400ENH,L1Q	1.7300	询价	19号	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH6400	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	200V	13A（塔）	10V	64毫欧@6.5A，10V	4V@300μA	11.2nC@10V	±20V	1100 pF @ 100 V	-	1.6W（Ta）、57W（Tc）
TK14A65W5,S5X	2.8900	询价	4496	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK14A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	13.7A（塔）	10V	300毫欧@6.9A，10V	4.5V@690μA	40nC@10V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	40W（温度）
2SA1020-O(女,男)	-	询价	4526	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN2605(TE85L,F)	0.4700	询价	12	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN2605		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
TK1K2A60F,S4X	1.0400	询价	40	东芝半导体和存储	U-MOSIX	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK1K2A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	6A（塔）	10V	1.2欧姆@3A，10V	4V@630μA	21nC@10V	±30V	740 pF @ 300 V	-	35W（温度）
TW015N120C,S1F	68.0400	询价	2613	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-247-3		SiCFET（碳化硅）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	1200伏	100A（温度）	18V	20毫欧@50A，18V	5V@11.7mA	158nC@18V	+25V，-10V	6000 pF @ 800 V	-	431W（温度）
SSM3K35MFV(TPL3)	-	询价	8872	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	SSM3K35	MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000		N沟道	20V	180mA（塔）	1.2V、4V	3欧姆@50mA，4V	1V@1mA		±10V	9.5pF@3V	-	150毫W（塔）
SSM3K35CTC，L3F	0.3200	询价	109	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K35	MOSFET（金属O化物）		CST3C	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道	20V	250mA（塔）	1.2V、4.5V	1.1欧姆@150mA，4.5V	1V@100μA	0.34nC@4.5V	±10V	10V时为36pF	-	500毫W（塔）
RN1309(TE85L,F)	0.2700	询价	895	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1309		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	22欧姆
TPCC8136.LQ	-	询价	7165	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCC8136	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	-		1（无限制）	264-TPCC8136.LQTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	9.4A（塔）	1.8V、4.5V	16毫欧@9.4A，4.5V	1.2V@1mA	36nC@5V	±12V	2350pF@10V	-	700mW（Ta）、18W（Tc）
2SC2229-Y(T6MIT1FM	-	询价	第1667章	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2229		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	2SC2229YT6MIT1FM	EAR99	8541.21.0075	1													150伏	50毫安	100nA（ICBO）	NPN	500mV@1mA、10mA	70@10mA，5V	120兆赫
2SC3665-Y(T2NSW,FM	-	询价	1068	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC3665		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1													120V	800毫安	100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
TK6A80E,S4X	1.8900	询价	15	东芝半导体和存储	π-MOSVIII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK6A80	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	800V	6A（塔）	10V	1.7欧姆@3A，10V	4V@600μA	32nC@10V	±30V	1350pF@25V	-	45W（温度）
2SC3665-Y,T2NSF(J	-	询价	3531	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC3665		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1													120V	800毫安	100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
TPCA8A02-H(TE12LQM	-	询价	8734	东芝半导体和存储	U-MOSV-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8A02	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	34A（塔）	4.5V、10V	5.3毫欧@17A，10V	2.3V@1mA	36nC@10V	±20V	10V时为3430pF	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
TK290P60Y,RQ	1.7400	询价	1946年	东芝半导体和存储	DTMOSV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK290P60	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	600伏	11.5A（温度）	10V	290毫欧@5.8A，10V	4V@450μA	25nC@10V	±30V	730 pF @ 300 V	-	100W（温度）
2SA1244-Y(Q)	-	询价	第1152章	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	2SA1244		1W	PW-模具	-		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	200													50V	5A	1μA（ICBO）	国民党	400mV@150mA，3A	120@1A，1V	60兆赫
RN2109CT(TPL3)	-	询价	8190	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2109		50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000													20V	50毫安	500纳安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	100@10mA，5V		47欧姆	22欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²