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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
SSM3J134TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J134TU，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 3-SMD，平坦的铅 SSM3J134 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 3.2A（ta） 1.5V，4.5V 93mohm @ 1.5A，4.5V 1V @ 1mA 4.7 NC @ 4.5 V ±8V 290 pf @ 10 V - 500MW（TA）
SSM3J377R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J377R，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3J377 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 3.9a（ta） 1.5V，4.5V 93mohm @ 1.5A，4.5V 1V @ 1mA 4.6 NC @ 4.5 V +6V，-8V 290 pf @ 10 V - 1W（ta）
SSM3J378R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J378R，LF 0.3800
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3J378 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 6a（6a） 1.5V，4.5V 29.8mohm @ 3A，4.5V 1V @ 1mA 12.8 NC @ 4.5 V +6V，-8V 840 pf @ 10 V - 1W（ta）
SSM6P35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35AFU，LF 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6P35 MOSFET （金属 o化物） 285MW（TA） US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 250mA（ta） 1.4OHM @ 150mA，4.5V 1V @ 100µA - 42pf @ 10V 逻辑级别门，1.2V驱动器
TK12P60W,RVQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W，RVQ（s -
RFQ
 ECAD 2958 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 TK12P60 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TK12P60WRVQ s Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 11.5A（TA） 10V 340MOHM @ 5.8A，10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 pf @ 300 V - 100W（TC）
2SC5198-O(S1,E Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5198-O（s1，e -
RFQ
 ECAD 4257 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 2SC5198 100 W to-3p n（n） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 2SC5198-O （S1E Ear99 8541.29.0075 25 140 v 10 a 5µA（ICBO） NPN 2V @ 700mA，7a 55 @ 1A，5V 30MHz
TPN19008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN19008QM，LQ 0.6800
RFQ
 ECAD 3445 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSX-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn TPN19008 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.1x3.1） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 80 V 34A（TC） 6V，10V 19mohm @ 17a，10v 3.5V @ 200µA 16 NC @ 10 V ±20V 1400 PF @ 40 V - 630MW（TA），57W（tc）
TPH4R803PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R803PL，LQ 0.7800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn TPH4R803 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 48A（TC） 4.5V，10V 4.8mohm @ 24A，10V 2.1V @ 200µA 22 NC @ 10 V ±20V 1975 pf @ 15 V - 830MW（TA），69W（tc）
TDTA114Y,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA114Y，LM 0.1800
RFQ
 ECAD 8079 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TDTA114 320兆W SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 90 @ 5mA，5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
SSM6G18NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6G18NU，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6G18 MOSFET （金属 o化物） 6 µdfn （2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 2A（TA） 1.5V，4.5V 112MOHM @ 1A，4.5V 1V @ 1mA 4.6 NC @ 4.5 V ±8V 270 pf @ 10 V Schottky 二极管（孤立） 1W（ta）
SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FE，L3F 0.3700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6N16 MOSFET （金属 o化物） 150MW（TA） ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 2 n 通道（双） 20V （100mA）（TA） 3ohm @ 10mA，4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3V -
SSM6N44FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FU，LF 0.3600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6N44 MOSFET （金属 o化物） 200mw（ta） US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V （100mA）（TA） 4ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA - 8.5pf @ 3V -
SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU，LF 0.4200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6N62 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 800mA（ta） 85MOHM @ 800mA，4.5V 1V @ 1mA 2NC @ 4.5V 177pf @ 10V 逻辑级别门，1.2V驱动器
SSM6L40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L40TU，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6L40 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V 1.6A（ta），1.4a（ta） 122MOHM @ 1A，10V，226MOHM @ 1A，10V 2.6V @ 1MA，2V @ 1MA 5.1nc @ 10v，2.9nc @ 10V 180pf @ 15V，120pf @ 15V 逻辑水平门，4V驱动器
SSM3J15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15F，LF 0.2300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3J15 MOSFET （金属 o化物） S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 12ohm @ 10mA，4V 1.7V @ 100µA ±20V 9.1 PF @ 3 V - 200mw（ta）
SSM6J412TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J412TU，LF 0.3700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6J412 MOSFET （金属 o化物） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 4A（ta） 1.5V，4.5V 42.7MOHM @ 3A，4.5V 1V @ 1mA 12.8 NC @ 4.5 V ±8V 840 pf @ 10 V - 1W（ta）
SSM6K406TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K406TU，LF 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6K406 MOSFET （金属 o化物） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 4.4a（ta） 4.5V，10V 25mohm @ 2a，10v 2.5V @ 1mA 12.4 NC @ 10 V ±20V 490 pf @ 15 V - 500MW（TA）
TTA1713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713-gr，LF 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TTA1713 200兆 S-Mini 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA（ICBO） PNP 400mv @ 50mA，500mA 180 @ 100mA，1V 80MHz
TTC1949-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTC1949-gr，LF 0.3100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TTC1949 200兆 S-Mini 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 500 MA 100NA（ICBO） NPN 400mv @ 50mA，500mA 180 @ 100mA，1V 100MHz
SSM3J135TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J135TU，LF 0.3700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 3-SMD，平坦的铅 SSM3J135 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 3A（3A） 1.5V，4.5V 103MOHM @ 1A，4.5V 1V @ 1mA 4.6 NC @ 4.5 V ±8V 270 pf @ 10 V - 500MW（TA）
SSM3J66MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J66MFV，L3F 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-723 SSM3J66 MOSFET （金属 o化物） VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 P通道 20 v 800mA（ta） 1.2V，4.5V 390MOHM @ 800mA，4.5V 1V @ 1mA 1.6 NC @ 4.5 V +6V，-8V 100 pf @ 10 V - 150MW（TA）
SSM5H08TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H08TU，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 SSM5H08 MOSFET （金属 o化物） UFV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 1.5A（TA） 2.5V，4V 160MOHM @ 750mA，4V 1.1V @ 100µA ±12V 125 pf @ 10 V Schottky 二极管（孤立） 500MW（TA）
SSM6J401TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J401TU，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6J401 MOSFET （金属 o化物） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 2.5a（ta） 4V，10V 73mohm @ 2a，10v 2.6V @ 1mA 16 NC @ 10 V ±20V 730 pf @ 15 V - 500MW（TA）
SSM6J402TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J402TU，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6J402 MOSFET （金属 o化物） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 2A（TA） 4V，10V 117MOHM @ 1A，10V 2.6V @ 1mA 5.3 NC @ 10 V ±20V 280 pf @ 15 V - 500MW（TA）
SSM6J422TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J422TU，LF 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6J422 MOSFET （金属 o化物） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 4A（ta） 1.5V，4.5V 42.7MOHM @ 3A，4.5V 1V @ 1mA 12.8 NC @ 4.5 V +6V，-8V 840 pf @ 10 V - 1W（ta）
SSM6J424TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J424TU，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6J424 MOSFET （金属 o化物） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 6a（6a） 1.5V，4.5V 22.5MOHM @ 6A，4.5V 1V @ 1mA 23.1 NC @ 4.5 V +6V，-8V 1650 pf @ 10 V - 1W（ta）
SSM6K404TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K404TU，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6K404 MOSFET （金属 o化物） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 3A（3A） 1.5V，4V 55mohm @ 2a，4v 1V @ 1mA 5.9 NC @ 4 V ±10V 400 pf @ 10 V - 500MW（TA）
SSM6K407TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K407TU，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6K407 MOSFET （金属 o化物） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 2A（TA） 4V，10V 300MOHM @ 1A，10V 2V @ 1mA 6 NC @ 10 V ±20V 150 pf @ 10 V - 500MW（TA）
SSM6P39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P39TU，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6P39 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 1.5A（TA） 213MOHM @ 1A，4V 1V @ 1mA 6.4NC @ 4V 250pf @ 10V 逻辑水平门，1.8V
SSM6P69NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P69NU，LF 0.4300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6P69 MOSFET （金属 o化物） 1W（ta） 6 µdfn （2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 4A（ta） 45MOHM @ 3.5A，10V 1.2V @ 1mA 6.74NC @ 4.5V 480pf @ 10V 逻辑水平门，1.8V
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196-LFBGA裸露的垫子

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