晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
TPH4R803PL,LQ	0.7800	询价	6	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH4R803	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	48A（温度）	4.5V、10V	4.8毫欧@24A，10V	2.1V@200μA	22nC@10V	±20V	1975pF@15V	-	830mW（Ta）、69W（Tc）
TJ50S06M3L,LXHQ	1.4600	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ50S06	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道	60V	50A（塔）	6V、10V	13.8毫欧@25A，10V	3V@1mA	124nC@10V	+10V，-20V	6290pF@10V	-	90W（温度）
HN1C01FE-Y,LXHF	0.3900	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN1C01		100毫W	ES6	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	150毫安	100nA（ICBO）	2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
SSM6P35AFU，LF	0.4300	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSVII	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6P35	MOSFET（金属O化物）	285毫W（塔）	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）		20V	250mA（塔）		1.4欧姆@150mA，4.5V	1V@100μA	-		42pF@10V	逻辑电平门，1.2V驱动
RN2411，LF	0.1800	询价	2606	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2411		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10欧姆
SSM3J15F,LF	0.2300	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3J15	MOSFET（金属O化物）		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	30V	100mA（塔）	2.5V、4V	12欧姆@10mA，4V	1.7V@100μA		±20V	9.1pF@3V	-	200毫W（塔）
TK1R5R04PB,LXGQ	2.6900	询价	2158	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	TK1R5R04	MOSFET（金属O化物）		D2PAK+	下载		3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	40V	160A（塔）	6V、10V	1.5毫欧@80A，10V	3V@500μA	10V时为103nC	±20V	5500pF@10V	-	205W（温度）
RN2112CT(TPL3)	-	询价	9368	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2112		50毫W	CST3	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	10,000													20V	50毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	300@1mA，5V		22欧姆
RN2304(TE85L,F)	-	询价	1220	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2304		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	47欧姆
2SC3138-Y(TE85L,F)	-	询价	5873	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC3138		150毫W	TO-236	-		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000													200V	50毫安	100nA（ICBO）	NPN	500mV@1mA、10mA	120@10mA，3V	100兆赫兹
TK6P53D(T6RSS-Q)	1.4300	询价	2	东芝半导体和存储	π-MOSVII	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK6P53	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	525伏	6A（塔）	10V	1.3欧姆@3A，10V	4.4V@1mA	12nC@10V	±30V	600pF@25V	-	100W（温度）
SSM3K116TU，LF	0.5400	询价	41	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3K116	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	30V	2.2A（塔）	2.5V、4.5V	100mOhm@500mA，4.5V	1.1V@100μA		±12V	245pF@10V	-	500毫W（塔）
SSM6N16FUTE85LF	0.5000	询价	600	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6N16	MOSFET（金属O化物）	200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		20V	100毫安		3欧姆@10mA，4V	1.1V@100μA	-		9.3pF@3V	-
2SA1761,T6F(中	-	询价	8519	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1761		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	1													50V	3A	100nA（ICBO）	国民党	500mV@75mA，1.5A	120@100mA，2V	100兆赫兹
RN2903,LF	-	询价	1909年	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2903		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	22k欧姆
SSM3J15CT(TPL3)	-	询价	第1272章	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3J15	MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	10,000		P沟道	30V	100mA（塔）	2.5V、4V	12欧姆@10mA，4V	-		±20V	9.1pF@3V	-	100毫W（塔）
RN1111ACT(TPL3)	-	询价	3758	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1111		100毫W	CST3	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	10,000													50V	80毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@1mA，5V		10欧姆
TPN8R903NL,LQ	0.7400	询价	8	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN8R903	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	20A（温度）	4.5V、10V	8.9毫欧@10A、10V	2.3V@100μA	9.8nC@4.5V	±20V	15V时为820pF	-	700mW（Ta）、22W（Tc）
TK39J60W,S1VQ	10.7200	询价	5	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	TK39J60	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	25		N沟道	600伏	38.8A（塔）	10V	65毫欧@19.4A，10V	3.7V@1.9mA	110nC@10V	±30V	4100 pF @ 300 V	-	270W（温度）
TK42E12N1,S1X	1.3700	询价	5104	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK42E12	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		TK42E12N1S1X	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	120V	88A（温度）	10V	9.4毫欧@21A，10V	4V@1mA	52nC@10V	±20V	3100pF@60V	-	140W（温度）
RN2310,LXHF	0.3900	询价	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2310		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7欧姆
RN4985,LXHF(CT	0.4400	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4985		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
RN2108MFV,L3F	0.2000	询价	3075	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2108		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	8,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V		22欧姆	47欧姆
TK7A80W,S4X	2.8900	询价	50	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	800V	6.5A（塔）	10V	950毫欧@3.3A，10V	4V@280μA	13nC@10V	±20V	700 pF @ 300 V	-	35W（温度）
SSM3K324R，LF	0.4500	询价	7	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3K324	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	4A（塔）	1.8V、4.5V	55mOhm@4A，4.5V	-		±12V	190pF@30V	-	1W（塔）
2SD2129,LS4ALPSQ(M	-	询价	5024	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SD2129		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1													100伏	3A	100μA（ICBO）	NPN	2V@12mA，3A	2000@1.5A，3V	-
SSM6J512NU，LF	0.4800	询价	31	东芝半导体和存储	U-MOSVII	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6J512	MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	12V	10A（塔）	1.8V、8V	16.2毫欧@4A、8V	1V@1mA	19.5nC@4.5V	±10V	1400pF@6V	-	1.25W（塔）
TK14E65W,S1X	3.0500	询价	50	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK14E65	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	13.7A（塔）	10V	250毫欧@6.9A，10V	3.5V@690μA	35nC@10V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	130W（温度）
RN1105MFV,L3XHF(CT	0.3400	询价	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1105		150毫W	VESM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	8,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V		2.2欧姆	47欧姆
TPCA8055-H,LQ(M	-	询价	2518	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8055	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	56A（塔）	4.5V、10V	1.9毫欧@28A，10V	2.3V@1mA	91nC@10V	±20V	7700pF@10V	-	1.6W（Ta）、70W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²