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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
TPH4R803PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R803PL,LQ 0.7800
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ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSIX-H 卷带式 (TR) 的积极 175℃ 表面贴装 8-PowerVDFN TPH4R803 MOSFET(金属O化物) 8-SOP 高级 (5x5) 下载 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 48A(温度) 4.5V、10V 4.8毫欧@24A,10V 2.1V@200μA 22nC@10V ±20V 1975pF@15V - 830mW(Ta)、69W(Tc)
TJ50S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ50S06M3L,LXHQ 1.4600
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ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSVI 卷带式 (TR) 的积极 175℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 TJ50S06 MOSFET(金属O化物) DPAK+ 下载 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,000 P沟道 60V 50A(塔) 6V、10V 13.8毫欧@25A,10V 3V@1mA 124nC@10V +10V,-20V 6290pF@10V - 90W(温度)
HN1C01FE-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-Y,LXHF 0.3900
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ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-563、SOT-666 HN1C01 100毫W ES6 下载 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 150毫安 100nA(ICBO) 2 NPN(双) 250毫伏@10毫安,100毫安 120@2mA,6V 80兆赫
SSM6P35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35AFU,LF 0.4300
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ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSVII 卷带式 (TR) 的积极 150℃ 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 SSM6P35 MOSFET(金属O化物) 285毫W(塔) 美国6号 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 个 P 沟道(双) 20V 250mA(塔) 1.4欧姆@150mA,4.5V 1V@100μA - 42pF@10V 逻辑电平门,1.2V驱动
RN2411,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2411,LF 0.1800
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ECAD 2606 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 RN2411 200毫W S-迷你型 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100毫安 100nA(ICBO) PNP - 预偏置 300mV@250μA,5mA 120@1mA,5V 200兆赫 10欧姆
SSM3J15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15F,LF 0.2300
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ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 SSM3J15 MOSFET(金属O化物) S-迷你型 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 3,000 P沟道 30V 100mA(塔) 2.5V、4V 12欧姆@10mA,4V 1.7V@100μA ±20V 9.1pF@3V - 200毫W(塔)
TK1R5R04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK1R5R04PB,LXGQ 2.6900
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ECAD 2158 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSIX-H 卷带式 (TR) 的积极 175℃ 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB TK1R5R04 MOSFET(金属O化物) D2PAK+ 下载 3(168小时) EAR99 8541.29.0095 1,000 N沟道 40V 160A(塔) 6V、10V 1.5毫欧@80A,10V 3V@500μA 10V时为103nC ±20V 5500pF@10V - 205W(温度)
RN2112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2112CT(TPL3) -
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ECAD 9368 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SC-101、SOT-883 RN2112 50毫W CST3 下载 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50毫安 100nA(ICBO) PNP - 预偏置 150mV@250μA,5mA 300@1mA,5V 22欧姆
RN2304(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2304(TE85L,F) -
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ECAD 1220 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-70、SOT-323 RN2304 100毫W SC-70 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100毫安 500纳安 PNP - 预偏置 300mV@250μA,5mA 80@10mA,5V 200兆赫 47欧姆 47欧姆
2SC3138-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3138-Y(TE85L,F) -
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ECAD 5873 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 125°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 2SC3138 150毫W TO-236 - 1(无限制) EAR99 8541.21.0075 3,000 200V 50毫安 100nA(ICBO) NPN 500mV@1mA、10mA 120@10mA,3V 100兆赫兹
TK6P53D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK6P53D(T6RSS-Q) 1.4300
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ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 π-MOSVII 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 TK6P53 MOSFET(金属O化物) D-帕克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,000 N沟道 525伏 6A(塔) 10V 1.3欧姆@3A,10V 4.4V@1mA 12nC@10V ±30V 600pF@25V - 100W(温度)
SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K116TU,LF 0.5400
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ECAD 41 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSⅢ 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 3-SMD,写入 SSM3K116 MOSFET(金属O化物) UFM 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 30V 2.2A(塔) 2.5V、4.5V 100mOhm@500mA,4.5V 1.1V@100μA ±12V 245pF@10V - 500毫W(塔)
SSM6N16FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FUTE85LF 0.5000
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ECAD 600 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 SSM6N16 MOSFET(金属O化物) 200毫W 美国6号 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 个 N 沟道(双) 20V 100毫安 3欧姆@10mA,4V 1.1V@100μA - 9.3pF@3V -
2SA1761,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1761,T6F(中 -
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ECAD 8519 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 2SA1761 900毫W TO-92MOD 下载 1(无限制) EAR99 8541.21.0075 1 50V 3A 100nA(ICBO) 国民党 500mV@75mA,1.5A 120@100mA,2V 100兆赫兹
RN2903,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2903,LF -
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ECAD 1909年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 RN2903 200毫W 美国6号 下载 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 500纳安 2 PNP - 预偏置(双) 300mV@250μA,5mA 70@10mA,5V 200兆赫 22k欧姆 22k欧姆
SSM3J15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT(TPL3) -
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ECAD 第1272章 0.00000000 东芝半导体和存储 π-MOSVI 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-101、SOT-883 SSM3J15 MOSFET(金属O化物) CST3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 10,000 P沟道 30V 100mA(塔) 2.5V、4V 12欧姆@10mA,4V - ±20V 9.1pF@3V - 100毫W(塔)
RN1111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1111ACT(TPL3) -
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ECAD 3758 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-101、SOT-883 RN1111 100毫W CST3 - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 80毫安 100nA(ICBO) NPN - 预偏置 150mV@250μA,5mA 120@1mA,5V 10欧姆
TPN8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN8R903NL,LQ 0.7400
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ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSVIII-H 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN TPN8R903 MOSFET(金属O化物) 8-TSON 高级 (3.1x3.1) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 20A(温度) 4.5V、10V 8.9毫欧@10A、10V 2.3V@100μA 9.8nC@4.5V ±20V 15V时为820pF - 700mW(Ta)、22W(Tc)
TK39J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W,S1VQ 10.7200
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ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSIV 管子 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 TK39J60 MOSFET(金属O化物) TO-3P(N) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 25 N沟道 600伏 38.8A(塔) 10V 65毫欧@19.4A,10V 3.7V@1.9mA 110nC@10V ±30V 4100 pF @ 300 V - 270W(温度)
TK42E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK42E12N1,S1X 1.3700
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ECAD 5104 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSVIII-H 管子 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 TK42E12 MOSFET(金属O化物) TO-220 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) TK42E12N1S1X EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 120V 88A(温度) 10V 9.4毫欧@21A,10V 4V@1mA 52nC@10V ±20V 3100pF@60V - 140W(温度)
RN2310,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2310,LXHF 0.3900
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ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-70、SOT-323 RN2310 100毫W SC-70 下载 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 100nA(ICBO) PNP - 预偏置 300mV@250μA,5mA 120@1mA,5V 200兆赫 4.7欧姆
RN4985,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985,LXHF(CT 0.4400
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ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 RN4985 200毫W 美国6号 下载 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 500纳安 1 NPN、1 PNP - 预偏置(双) 300mV@250μA,5mA 80@10mA,5V 250兆赫、200兆赫 2.2k欧姆 47k欧姆
RN2108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2108MFV,L3F 0.2000
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ECAD 3075 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOT-723 RN2108 150毫W VESM 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100毫安 500纳安 PNP - 预偏置 300mV@250μA,5mA 80@10mA,5V 22欧姆 47欧姆
TK7A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK7A80W,S4X 2.8900
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ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSIV 管子 的积极 150℃ 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220SIS 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 800V 6.5A(塔) 10V 950毫欧@3.3A,10V 4V@280μA 13nC@10V ±20V 700 pF @ 300 V - 35W(温度)
SSM3K324R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K324R,LF 0.4500
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ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSVII-H 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-23-3 读写 SSM3K324 MOSFET(金属O化物) SOT-23F 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 4A(塔) 1.8V、4.5V 55mOhm@4A,4.5V - ±12V 190pF@30V - 1W(塔)
2SD2129,LS4ALPSQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2129,LS4ALPSQ(M -
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ECAD 5024 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 2SD2129 2W TO-220NIS 下载 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 1 100伏 3A 100μA(ICBO) NPN 2V@12mA,3A 2000@1.5A,3V -
SSM6J512NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J512NU,LF 0.4800
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ECAD 31 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSVII 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 6-WDFN 裸露焊盘 SSM6J512 MOSFET(金属O化物) 6-UDFNB (2x2) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 3,000 P沟道 12V 10A(塔) 1.8V、8V 16.2毫欧@4A、8V 1V@1mA 19.5nC@4.5V ±10V 1400pF@6V - 1.25W(塔)
TK14E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK14E65W,S1X 3.0500
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ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSIV 管子 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 TK14E65 MOSFET(金属O化物) TO-220 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 650伏 13.7A(塔) 10V 250毫欧@6.9A,10V 3.5V@690μA 35nC@10V ±30V 1300 pF @ 300 V - 130W(温度)
RN1105MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1105MFV,L3XHF(CT 0.3400
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ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOT-723 RN1105 150毫W VESM 下载 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100毫安 500纳安 NPN - 预偏置 300mV@500μA,5mA 80@10mA,5V 2.2欧姆 47欧姆
TPCA8055-H,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8055-H,LQ(M -
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ECAD 2518 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSVII-H 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN TPCA8055 MOSFET(金属O化物) 8-SOP 高级 (5x5) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 56A(塔) 4.5V、10V 1.9毫欧@28A,10V 2.3V@1mA 91nC@10V ±20V 7700pF@10V - 1.6W(Ta)、70W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库