晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
2SC2655-Y(T6ND2,AF	-	询价	3741	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN2961(TE85L,F)	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2961		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
2SD1221-Y(Q)	-	询价	3084	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SD1221		1W	PW-模具	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	200													60V	3A	100μA（ICBO）	NPN	1V@300mA，3A	100@500mA，5V	3兆赫兹
RN1611(TE85L,F)	0.4700	询价	325	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN1611		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10k欧姆	-
2SC3668-Y,T2WNLF(J	-	询价	8244	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC3668		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
SSM3J355R，LF	0.4200	询价	51	东芝半导体和存储	U-MOSVII	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J355	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	P沟道		20V	6A（塔）	1.8V、4.5V	30.1毫欧@4A，4.5V	1V@1mA	16.6nC@4.5V	±10V	10V时为1030pF	-	1W（塔）
SSM3K16CT，L3F	0.3200	询价	16	东芝半导体和存储	π-MOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K16	MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000	N沟道		20V	100mA（塔）	1.5V、4V	3欧姆@10mA，4V	1.1V@100μA		±10V	9.3pF@3V	-	100毫W（塔）
RN1311,LXHF	0.3900	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1311		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10欧姆
TPN7R504PL,LQ	0.6100	询价	第521章	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN7R504	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道		40V	38A（温度）	4.5V、10V	7.5毫欧@19A，10V	2.4V@200μA	24nC@10V	±20V	2040pF@20V	-	610mW（Ta）、61W（Tc）
2SJ438,Q(米	-	询价	8401	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-220-3全包	2SJ438			TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1				5A（Tj）
RN1508(TE85L,F)	0.4700	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74A、SOT-753	RN1508		300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	47k欧姆
RN2104ACT(TPL3)	-	询价	9312	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2104		100毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000													50V	80毫安	500纳安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	80@10mA，5V		47欧姆	47欧姆
RN1903,LF(CT	0.2700	询价	55	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1903		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	22k欧姆
RN2426(TE85L,F)	0.4000	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2426		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	800毫安	500纳安	PNP - 预偏置	250mV@1mA、50mA	90@100mA，1V	200兆赫	1欧姆	10欧姆
SSM3K15ACT(TPL3)	0.0672	询价	1826年	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K15	MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000	N沟道		30V	100mA（塔）	2.5V、4V	3.6欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	13.5pF@3V	-	100毫W（塔）
2SA1837(PAIO,F,M)	-	询价	8587	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1837		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1													230伏	1A	1μA（ICBO）	国民党	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	70兆赫兹
TK560P60Y,RQ	1.4700	询价	2	东芝半导体和存储	DTMOSV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK560P60	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000	N沟道		600伏	7A（温度）	10V	560毫欧@3.5A，10V	4V@240μA	10V时为14.5nC	±30V	380 pF @ 300 V	-	60W（温度）
TK17E65W,S1X	3.2100	询价	3783	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK17E65	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		650伏	17.3A（塔）	10V	200毫欧@8.7A，10V	3.5V@900μA	45nC@10V	±30V	1800 pF @ 300 V	-	165W（温度）
RN1608(TE85L,F)	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN1608		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	47k欧姆
TK18E10K3,S1X(S	-	询价	第1444章	东芝半导体和存储	U-MOSIV	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK18E10	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		100伏	18A（塔）		42mOhm@9A，10V	-	33nC@10V			-	-
2SA1721RTE85LF	-	询价	7347	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1721		150毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													300伏	100毫安	100nA（ICBO）	国民党	500mV@2mA、20mA	30@20mA，10V	50兆赫
RN2407,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2407		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	47欧姆
2SC5201(TE6,F,M)	-	询价	1063	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC5201		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1													600伏	50毫安	1μA（ICBO）	NPN	1V@500mA、20mA	100@20mA，5V	-
TK5A60W5,S5VX	1.5900	询价	7625	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		600伏	4.5A（塔）	10V	950毫欧@2.3A，10V	4.5V@230μA	11.5nC@10V	±30V	370 pF @ 300 V	-	30W（温度）
TPC8111(TE12L、Q、M)	-	询价	7612	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8111	MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	P沟道		30V	11A（塔）	4V、10V	12毫欧@5.5A，10V	2V@1mA	107nC@10V	±20V	5710pF@10V	-	1W（塔）
TK35E10K3(S1SS-Q)	-	询价	8927	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	-	通孔	TO-220-3	TK35E10	-		TO-220	-	符合RoHS标准	1（无限制）	TK35E10K3S1SSQ	EAR99	8541.29.0095	50	-			-		-	-				-	-
TJ9A10M3,S4Q	-	询价	3753	东芝半导体和存储	U-MOSVI	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TJ9A10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	-			264-TJ9A10M3S4Q	EAR99	8541.29.0095	50	P沟道		100伏	9A（塔）	10V	170毫欧@4.5A，10V	4V@1mA	47nC@10V	±20V	2900pF@10V	-	19W（温度）
2SA1182-Y,LF	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1182		150毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													30V	500毫安	100nA（ICBO）	国民党	250毫伏@10毫安，100毫安	120@100mA，1V	200兆赫
2SC5065-O(TE85L,F)	-	询价	8403	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC5065		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		-											12V	30毫安		NPN		80@10mA，5V	7GHz			1dB@500MHz
TPWR7904PB,L1XHQ	2.9900	询价	40	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPWR7904	MOSFET（金属O化物）		8-DSOP 高级	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000	N沟道		40V	150A（塔）	6V、10V	0.79毫欧@75A，10V	3V@1mA	85nC@10V	±20V	6650pF@10V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²