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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 场效应管类型 | 获得 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) | 噪声系数(dB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SC2655-Y(T6ND2,AF | - | ![]() | 3741 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 长体 | 2SC2655 | 900毫W | TO-92MOD | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 2A | 1μA(ICBO) | NPN | 500mV@50mA,1A | 70@500mA,2V | 100兆赫兹 | |||||||||||||||||||
![]() | RN2961(TE85L,F) | 0.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 | RN2961 | 200毫W | 美国6号 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | 2 PNP - 预偏置(双) | 300mV@250μA,5mA | 30@10mA,5V | 200兆赫 | 4.7k欧姆 | 4.7k欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | 2SD1221-Y(Q) | - | ![]() | 3084 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | 2SD1221 | 1W | PW-模具 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | 60V | 3A | 100μA(ICBO) | NPN | 1V@300mA,3A | 100@500mA,5V | 3兆赫兹 | |||||||||||||||||||
![]() | RN1611(TE85L,F) | 0.4700 | ![]() | 325 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-74、SOT-457 | RN1611 | 300毫W | SM6 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | 2 NPN - 预偏置(双) | 300mV@250μA,5mA | 120@1mA,5V | 250兆赫 | 10k欧姆 | - | |||||||||||||||||
| 2SC3668-Y,T2WNLF(J | - | ![]() | 8244 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | SC-71 | 2SC3668 | 1W | MSTM | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 50V | 2A | 1μA(ICBO) | NPN | 500mV@50mA,1A | 70@500mA,2V | 100兆赫兹 | ||||||||||||||||||||
![]() | SSM3J355R,LF | 0.4200 | ![]() | 51 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-MOSVII | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOT-23-3 读写 | SSM3J355 | MOSFET(金属O化物) | SOT-23F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P沟道 | 20V | 6A(塔) | 1.8V、4.5V | 30.1毫欧@4A,4.5V | 1V@1mA | 16.6nC@4.5V | ±10V | 10V时为1030pF | - | 1W(塔) | ||||||||||||||
![]() | SSM3K16CT,L3F | 0.3200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-MOSIV | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150℃ | 表面贴装 | SC-101、SOT-883 | SSM3K16 | MOSFET(金属O化物) | CST3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | N沟道 | 20V | 100mA(塔) | 1.5V、4V | 3欧姆@10mA,4V | 1.1V@100μA | ±10V | 9.3pF@3V | - | 100毫W(塔) | |||||||||||||||
![]() | RN1311,LXHF | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | RN1311 | 100毫W | SC-70 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | NPN - 预偏置 | 300mV@250μA,5mA | 120@1mA,5V | 250兆赫 | 10欧姆 | |||||||||||||||||||
![]() | TPN7R504PL,LQ | 0.6100 | ![]() | 第521章 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-MOSIX-H | 卷带式 (TR) | 的积极 | 175℃ | 表面贴装 | 8-PowerVDFN | TPN7R504 | MOSFET(金属O化物) | 8-TSON 高级 (3.1x3.1) | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N沟道 | 40V | 38A(温度) | 4.5V、10V | 7.5毫欧@19A,10V | 2.4V@200μA | 24nC@10V | ±20V | 2040pF@20V | - | 610mW(Ta)、61W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | 2SJ438,Q(米 | - | ![]() | 8401 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 通孔 | TO-220-3全包 | 2SJ438 | TO-220NIS | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 5A(Tj) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1508(TE85L,F) | 0.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | RN1508 | 300毫W | SMV | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | 2 NPN - 预偏置(双)(发射极耦合) | 300mV@250μA,5mA | 80@10mA,5V | 250兆赫 | 22k欧姆 | 47k欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | RN2104ACT(TPL3) | - | ![]() | 9312 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | SC-101、SOT-883 | RN2104 | 100毫W | CST3 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50V | 80毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | 150mV@250μA,5mA | 80@10mA,5V | 47欧姆 | 47欧姆 | |||||||||||||||||||
![]() | RN1903,LF(CT | 0.2700 | ![]() | 55 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 | RN1903 | 200毫W | 美国6号 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | 2 NPN - 预偏置(双) | 300mV@250μA,5mA | 70@10mA,5V | 250兆赫 | 22k欧姆 | 22k欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | RN2426(TE85L,F) | 0.4000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | RN2426 | 200毫W | S-迷你型 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 800毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | 250mV@1mA、50mA | 90@100mA,1V | 200兆赫 | 1欧姆 | 10欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | SSM3K15ACT(TPL3) | 0.0672 | ![]() | 1826年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-MOSⅢ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-101、SOT-883 | SSM3K15 | MOSFET(金属O化物) | CST3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | N沟道 | 30V | 100mA(塔) | 2.5V、4V | 3.6欧姆@10mA,4V | 1.5V@100μA | ±20V | 13.5pF@3V | - | 100毫W(塔) | |||||||||||||||
![]() | 2SA1837(PAIO,F,M) | - | ![]() | 8587 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全包 | 2SA1837 | 2W | TO-220NIS | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 230伏 | 1A | 1μA(ICBO) | 国民党 | 1.5V@50mA、500mA | 100@100mA,5V | 70兆赫兹 | |||||||||||||||||||
![]() | TK560P60Y,RQ | 1.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | DTMOSV | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | TK560P60 | MOSFET(金属O化物) | DPAK | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N沟道 | 600伏 | 7A(温度) | 10V | 560毫欧@3.5A,10V | 4V@240μA | 10V时为14.5nC | ±30V | 380 pF @ 300 V | - | 60W(温度) | ||||||||||||||
![]() | TK17E65W,S1X | 3.2100 | ![]() | 3783 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | DTMOSIV | 管子 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | TK17E65 | MOSFET(金属O化物) | TO-220 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 650伏 | 17.3A(塔) | 10V | 200毫欧@8.7A,10V | 3.5V@900μA | 45nC@10V | ±30V | 1800 pF @ 300 V | - | 165W(温度) | ||||||||||||||
![]() | RN1608(TE85L,F) | 0.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-74、SOT-457 | RN1608 | 300毫W | SM6 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | 2 NPN - 预偏置(双) | 300mV@250μA,5mA | 80@10mA,5V | 250兆赫 | 22k欧姆 | 47k欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | TK18E10K3,S1X(S | - | ![]() | 第1444章 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-MOSIV | 管子 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | TK18E10 | MOSFET(金属O化物) | TO-220-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 100伏 | 18A(塔) | 42mOhm@9A,10V | - | 33nC@10V | - | - | |||||||||||||||||
![]() | 2SA1721RTE85LF | - | ![]() | 7347 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 2SA1721 | 150毫W | S-迷你型 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 300伏 | 100毫安 | 100nA(ICBO) | 国民党 | 500mV@2mA、20mA | 30@20mA,10V | 50兆赫 | ||||||||||||||||||
![]() | RN2407,LXHF | 0.3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | RN2407 | 200毫W | S-迷你型 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | 300mV@250μA,5mA | 80@10mA,5V | 200兆赫 | 10欧姆 | 47欧姆 | ||||||||||||||||||
![]() | 2SC5201(TE6,F,M) | - | ![]() | 1063 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 长体 | 2SC5201 | 900毫W | TO-92MOD | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 600伏 | 50毫安 | 1μA(ICBO) | NPN | 1V@500mA、20mA | 100@20mA,5V | - | |||||||||||||||||||
![]() | TK5A60W5,S5VX | 1.5900 | ![]() | 7625 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | DTMOSIV | 管子 | 的积极 | 150℃ | 通孔 | TO-220-3全包 | MOSFET(金属O化物) | TO-220SIS | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 600伏 | 4.5A(塔) | 10V | 950毫欧@2.3A,10V | 4.5V@230μA | 11.5nC@10V | ±30V | 370 pF @ 300 V | - | 30W(温度) | |||||||||||||||
![]() | TPC8111(TE12L、Q、M) | - | ![]() | 7612 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) | TPC8111 | MOSFET(金属O化物) | 8-SOP (5.5x6.0) | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P沟道 | 30V | 11A(塔) | 4V、10V | 12毫欧@5.5A,10V | 2V@1mA | 107nC@10V | ±20V | 5710pF@10V | - | 1W(塔) | |||||||||||||||
![]() | TK35E10K3(S1SS-Q) | - | ![]() | 8927 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | - | 通孔 | TO-220-3 | TK35E10 | - | TO-220 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | TK35E10K3S1SSQ | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | TJ9A10M3,S4Q | - | ![]() | 3753 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-MOSVI | 管子 | 的积极 | 150℃ | 通孔 | TO-220-3全包 | TJ9A10 | MOSFET(金属O化物) | TO-220SIS | - | 264-TJ9A10M3S4Q | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | P沟道 | 100伏 | 9A(塔) | 10V | 170毫欧@4.5A,10V | 4V@1mA | 47nC@10V | ±20V | 2900pF@10V | - | 19W(温度) | |||||||||||||||
![]() | 2SA1182-Y,LF | 0.3300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 125°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 2SA1182 | 150毫W | S-迷你型 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 500毫安 | 100nA(ICBO) | 国民党 | 250毫伏@10毫安,100毫安 | 120@100mA,1V | 200兆赫 | ||||||||||||||||||
![]() | 2SC5065-O(TE85L,F) | - | ![]() | 8403 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 125°C(太焦) | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | 2SC5065 | 100毫W | SC-70 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | - | 12V | 30毫安 | NPN | 80@10mA,5V | 7GHz | 1dB@500MHz | ||||||||||||||||||
![]() | TPWR7904PB,L1XHQ | 2.9900 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-MOSIX-H | 卷带式 (TR) | 的积极 | 175℃ | 表面贴装 | 8-PowerVDFN | TPWR7904 | MOSFET(金属O化物) | 8-DSOP 高级 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N沟道 | 40V | 150A(塔) | 6V、10V | 0.79毫欧@75A,10V | 3V@1mA | 85nC@10V | ±20V | 6650pF@10V | - | 960mW(Ta)、170W(Tc) |

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