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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
SSM6N35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFE，LF 0.4000
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6N35 MOSFET （金属 o化物） 250MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 250mA（ta） 1.1OHM @ 150mA，4.5V 1V @ 100µA 0.34NC @ 4.5V 36pf @ 10V 逻辑级别门，1.2V驱动器
SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFU，LF 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6N35 MOSFET （金属 o化物） 285MW（TA） US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 250mA（ta） 1.1OHM @ 150mA，4.5V 1V @ 100µA 0.34NC @ 4.5V 36pf @ 10V -
SSM6N39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N39TU，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 7160 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6N39 MOSFET （金属 o化物） 500MW UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 1.6a（ta） 119MOHM @ 1A，4V 1V @ 1mA 7.5nc @ 4V 260pf @ 10V -
TPCP8F01(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage tpcp8f01（te85l，f，m -
RFQ
 ECAD 3838 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 20V 负载开关 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TPCP8 PS-8 下载 Rohs符合条件 TPCP8F01（TE85LFM Ear99 8541.21.0095 3,000 3a PNP，N通道
TPH6R30ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R30ANL，L1Q 1.1500
RFQ
 ECAD 7068 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Powervdfn TPH6R30 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 100 v 66A（TA），45A （TC） 4.5V，10V 6.3MOHM @ 22.5A，10V 2.5V @ 500µA 55 NC @ 10 V ±20V 4300 PF @ 50 V - 2.5W（ta），54W（TC）
RN1114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1114MFV，L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1114 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 1 kohms 10 kohms
RN1116MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1116MFV，L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1116 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 10 kohms
RN2110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2110MFV，L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2110 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 4.7科姆斯
RN2115MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2115MFV，L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2115 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 50 @ 10mA，5V 2.2 kohms 10 kohms
RN2130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2130MFV，L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 1257 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2130 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 100 @ 10mA，5v 100 kohms 100 kohms
TK25V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X，LQ 2.5193
RFQ
 ECAD 9782 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSIV-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 4-VSFN暴露垫 TK25V60 MOSFET （金属 o化物） 4-DFN-EP（8x8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TK25V60XLQ Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 25A（TA） 10V 135mohm @ 7.5A，10V 3.5V @ 1.2mA 40 NC @ 10 V ±30V 2400 PF @ 300 V - 180W（TC）
SSM6K204FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K204FE，LF 0.5400
RFQ
 ECAD 4982 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6K204 MOSFET （金属 o化物） ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 n通道 20 v 2A（TA） 1.5V，4V 126mohm @ 1A，4V 1V @ 1mA 3.4 NC @ 10 V ±10V 195 pf @ 10 V - 500MW（TA）
TPCA8008-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage tpca8008-h te12l，q -
RFQ
 ECAD 6043 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPCA8008 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 250 v 4A（ta） 10V 580MOHM @ 2A，10V 4V @ 1mA 10 NC @ 10 V ±20V 600 pf @ 10 V - 1.6W（ta），45W（tc）
TPCA8007-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage tpca8007-h te12l，q -
RFQ
 ECAD 8492 0.00000000 东芝半导体和存储 * （CT） 过时的 TPCA8007 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000
TPCF8A01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8A01（TE85L） -
RFQ
 ECAD 1987 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TPCF8A01 MOSFET （金属 o化物） VS-8 （2.9x1.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 n通道 20 v 3A（3A） 2V，4.5V 49mohm @ 1.5A，4.5V 1.2V @ 200µA 7.5 NC @ 5 V ±12V 590 pf @ 10 V Schottky 二极管（孤立） 330MW（TA）
2SK2231(TE16R1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2231（TE16R1，NQ） -
RFQ
 ECAD 1483 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 2SK2231 MOSFET （金属 o化物） PW-MOLD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 60 V 5A（5A） 4V，10V 160MOHM @ 2.5A，10V 2V @ 1mA 12 nc @ 10 V ±20V 370 pf @ 10 V - 20W（TC）
SSM6N36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N36FE，LM 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6N36 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 500mA 630mohm @ 200ma，5v 1V @ 1mA 1.23nc @ 4V 46pf @ 10V 逻辑级别门
SSM6P41FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P41FE（TE85L，F） 0.4200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6P41 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2（p 通道（双） 20V 720mA 300MOHM @ 400mA，4.5V 1V @ 1mA 1.76NC @ 4.5V 110pf @ 10V 逻辑级别门
2SA2060(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2060（TE12L，F） 0.6100
RFQ
 ECAD 827 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SA2060 1 w PW-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,000 50 V 2 a 100NA（ICBO） PNP 200mv @ 33mA，1a 200 @ 300mA，2V -
2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2097（TE16L1，NQ） 0.8000
RFQ
 ECAD 8947 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 2SA2097 1 w PW-MOLD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 50 V 5 a 100NA（ICBO） PNP 270mv @ 53mA，1.6a 200 @ 500mA，2V -
2SC2705-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2705-y te6，f，m） -
RFQ
 ECAD 4824 0.00000000 东芝半导体和存储 - （TB） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2705 800兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 150 v 50 mA 100NA（ICBO） NPN 1V @ 1mA，10mA 120 @ 10mA，5V 200MHz
2SC5359-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5359-O（Q） 3.4000
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 to-3pl 2SC5359 180 w 到3p（l） 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0075 100 230 v 15 a 5µA（ICBO） NPN 3V @ 800mA，8a 80 @ 1A，5V 30MHz
2SJ681(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ681（Q） -
RFQ
 ECAD 9057 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK 2SJ681 MOSFET （金属 o化物） PW-mold2 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 200 P通道 60 V 5A（5A） 4V，10V 170MOHM @ 2.5A，10V 2V @ 1mA 15 NC @ 10 V ±20V 700 pf @ 10 V - 20W（TA）
2SK2744(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2744（f） -
RFQ
 ECAD 1975年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 2SK2744 MOSFET （金属 o化物） to-3p n（n） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 50 V 45A（TA） 10V 20mohm @ 25a，10v 3.5V @ 1mA 68 NC @ 10 V ±20V 2300 PF @ 10 V - 125W（TC）
2SK2866(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2866（f） -
RFQ
 ECAD 3399 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 2SK2866 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 10a（10a） 10V 750MOHM @ 5A，10V 4V @ 1mA 45 NC @ 10 V ±30V 2040 pf @ 10 V - 125W（TC）
2SK3462(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3462（TE16L1，NQ） -
RFQ
 ECAD 7650 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 2SK3462 MOSFET （金属 o化物） PW-MOLD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 250 v 3A（3A） 10V 1.7OHM @ 1.5A，10V 3.5V @ 1mA 12 nc @ 10 V ±20V 267 PF @ 10 V - 20W（TC）
2SK3466(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3466（TE24L，Q） -
RFQ
 ECAD 2985 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SC-97 2SK3466 MOSFET （金属 o化物） 4-TFP （9.2x9.2） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 500 v 5A（5A） 10V 1.5OHM @ 5A，10V 4V @ 1mA 17 NC @ 10 V ±30V 780 pf @ 10 V - 50W（TC）
2SK3906(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3906（Q） -
RFQ
 ECAD 5343 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 2SK3906 MOSFET （金属 o化物） to-3p n（n） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 20A（TA） 10V 330mohm @ 10a，10v 4V @ 1mA 60 NC @ 10 V ±30V 4250 pf @ 25 V - 150W（TC）
2SK4016(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4016（Q） -
RFQ
 ECAD 1323 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SK4016 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 13A（TA） 10V 500mohm @ 6.5a，10v 4V @ 1mA 62 NC @ 10 V ±30V 3100 pf @ 25 V - 50W（TC）
GT10G131(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT10G131（TE12L，Q） -
RFQ
 ECAD 4336 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） GT10G131 标准 1 w 8-SOP（5.5x6.0） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 - - 400 v 200 a 2.3V @ 4V，200a - 3.1µs/2µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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