晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
TPC8036-H(TE12L,QM	-	询价	8992	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8036			MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道						30V	18A（塔）	4.5V、10V	4.5毫欧@9A，10V	2.3V@1mA	49nC@10V	±20V	4600pF@10V	-	1W（塔）
TK4P50D(T6RSS-Q)	-	询价	2672	东芝半导体和存储	π-MOSVII	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK4P50			MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TK4P50DT6RSSQ	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道						500V	4A（塔）	10V	2欧姆@2A，10V	4.4V@1mA	9nC@10V	±30V	380pF@25V	-	80W（温度）
RN1507(TE85L,F)	0.3500	询价	17号	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-74A、SOT-753	RN1507				300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安							100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	47k欧姆
TPCC8006-H(TE12LQM	-	询价	1620	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TPCC8006			MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.3x3.3)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道						30V	22A（塔）	4.5V、10V	8毫欧@11A，10V	2.3V@200μA	27nC@10V	±20V	2200pF@10V	-	700mW（Ta）、27W（Tc）
SSM6L40TU,LF	0.4900	询价	62	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6L40			MOSFET（金属O化物）	500毫W（塔）	六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道							30V	1.6A（塔）、1.4A（塔）		122毫欧@1A、10V、226毫欧@1A、10V	2.6V@1mA，2V@1mA	5.1nC@10V，2.9nC@10V		180pF @ 15V, 120pF @ 15V	逻辑电平门，4V驱动
TPWR8503NL,L1Q	2.7600	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	TPWR8503			MOSFET（金属O化物）		8-DSOP 高级	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						30V	150A（温度）	4.5V、10V	0.85mOhm@50A，10V	2.3V@1mA	74nC@10V	±20V	6900pF@15V	-	800mW（Ta）、142W（Tc）
RN4907FE,LF(CT	0.2700	询价	6817	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4907				100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																				50V	100毫安							500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
RN1105MFV,L3F	-	询价	5453	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723	RN1105				150毫W	VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																				50V	100毫安							500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V		2.2欧姆	47欧姆
TPH6R30ANL,L1Q	1.1500	询价	7068	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH6R30			MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						100伏	66A（Ta）、45A（Tc）	4.5V、10V	6.3毫欧@22.5A，10V	2.5V@500μA	55nC@10V	±20V	50V时为4300pF	-	2.5W（Ta）、54W（Tc）
2SC2229-O(MITIF,M)	-	询价	1047	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2229				800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																				150伏	50毫安							100nA（ICBO）	NPN	500mV@1mA、10mA	70@10mA，5V	120兆赫
TK20N60W5,S1VF	3.9200	询价	4257	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK20N60			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道						600伏	20A（塔）	10V	175mOhm@10A，10V	4.5V@1mA	55nC@10V	±30V	1800 pF @ 300 V	-	165W（温度）
TK155E65Z,S1X	3.2600	询价	181	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		150℃	通孔	TO-220-3				MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						650伏	18A（塔）	10V	155mOhm@9A，10V	4V@730μA	29nC@10V	±30V	1635pF@300V	-	150W（温度）
HN4A56JU(TE85L,F)	0.0616	询价	4855	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	HN4A56				200毫W	无人艇	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	150毫安							100nA（ICBO）	2 PNP（双）	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	60兆赫
RN2403,LF	0.2200	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2403				200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安							500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22欧姆	22欧姆
RN2401,LXHF	0.0645	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2401				200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安							500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
TJ90S04M3L,LQ	2.2100	询价	6460	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-TJ90S04M3L，LQCT	EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道						40V	90A（塔）	4.5V、10V	4.3毫欧@45A，10V	2V@1mA	172nC@10V	+10V，-20V	7700pF@10V	-	180W（温度）
TK8R2E06PL,S1X	1.2000年	询价	9645	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	管子	的积极		175℃	通孔	TO-220-3				MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						60V	50A（温度）	4.5V、10V	8.2毫欧@25A，10V	2.5V@300μA	28nC@10V	±20V	1990pF@30V	-	81W（温度）
TK380P60Y,RQ	1.6900	询价	7	东芝半导体和存储	DTMOSV	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK380P60			MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道						600伏	9.7A（温度）	10V	380毫欧@4.9A，10V	4V@360μA	20nC@10V	±30V	590 pF @ 300 V	-	30W（温度）
GT20N135SRA,S1E	3.2800	询价	3	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		175°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准			312W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30				300V，40A，39欧姆，15V															-	1350伏	40A	80A	2.4V@15V，40A	-, 700μJ（关闭）	185nC	-
SSM3K7002BF,LF	-	询价	3538	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3K7002			MOSFET（金属O化物）		SC-59	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道						60V	200mA（塔）	4.5V、10V	2.1欧姆@500mA，10V	-		±20V	17pF@25V	-	200毫W（塔）
2SA1382,T6MIBF(J	-	询价	4486	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1382				900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																				50V	2A							100nA（ICBO）	国民党	500mV@33mA，1A	150@500mA，2V	110兆赫
TPCP8011，LF	1.0900	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	8-SMD，写入				MOSFET（金属O化物）		PS-8	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道						40V	5A（塔）	6V、10V	51.2毫欧@2.5A，10V	3V@1mA	11.8nC@10V	±20V	505pF@10V	-	940毫W（塔）
2SA1020A,T6CSF(J	-	询价	4521	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020				900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																				50V	2A							1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
SSM3J377R，LF	0.4100	询价	29	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J377			MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道						20V	3.9A（塔）	1.5V、4.5V	93毫欧@1.5A，4.5V	1V@1mA	4.5V时为4.6nC	+6V、-8V	290pF@10V	-	1W（塔）
2SA1837,F(J	-	询价	8030	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1837				2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																				230伏	1A							1μA（ICBO）	国民党	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	70兆赫兹
RFM01U7P(TE12L,F)	1.2713	询价	3591	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	20V		表面贴装	TO-243AA	RFM01U7		520兆赫	场效应晶体管		PW-MINI	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		1A		100毫安	1.2W	10.8分贝											-									7.2V
RN2112,LF(CT	0.2000	询价	6252	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2112				100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安							100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	22欧姆
TK3R2E06PL,S1X	1.7700	询价	2131	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		175℃	通孔	TO-220-3	TK3R2E06			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						60V	100A（温度）	4.5V、10V	3.2毫欧@50A，10V	2.5V@700μA	71nC@10V	±20V	5000pF@30V	-	168W（温度）
2SC4215-O(TE85L,F)	0.0946	询价	6491	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC4215				100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000							23分贝													30V	20毫安								NPN		40@1mA，6V	550兆赫			5dB@100MHz
2SA1680,T6ASTIF(J	-	询价	3865	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1680				900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																				50V	2A							1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	120@100mA，2V	100兆赫兹

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²