SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
RN2131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2131MFV,L3F 0.1800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-723 RN2131 150兆 VESM 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) pnp-预先偏见 300mv @ 500µA,5mA 120 @ 1mA,5V 100 kohms
RN2101MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101MFV,L3F(ct 0.1800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-723 RN2101 150兆 VESM 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA,5mA 30 @ 10mA,5V 250 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
RN1707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1707JE(TE85L,F) 0.4000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-553 RN1707 100MW ESV 下载 (1 (无限) 264-RN1707JE(TE85LF)TR Ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500NA 2(NPN- 预偏(双重)()() 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz 10KOHMS 47kohms
RN2132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2132MFV,L3F 0.1800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-723 RN2132 150兆 VESM 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) pnp-预先偏见 300mv @ 500µA,5mA 120 @ 1mA,5V 200 kohms
RN2415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2415(TE85L,F) 0.2800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 RN2415 200兆 S-Mini 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 50 @ 10mA,5V 200 MHz 2.2 kohms 10 kohms
RN1118(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1118(TE85L,F) 0.3900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-75,SOT-416 RN1118 100兆 SSM 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 50 @ 10mA,5V 250 MHz 47科姆斯 10 kohms
RN1103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV,L3F(ct 0.1800
RFQ
ECAD 305 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-723 RN1103 150兆 VESM 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA,5mA 70 @ 10mA,5V 22 KOHMS 22 KOHMS
RN1101MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV,L3F(ct 0.1800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-723 RN1101 150兆 VESM 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA,5mA 30 @ 10mA,5V 4.7科姆斯 4.7科姆斯
TPH4R803PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R803PL,LQ 0.7800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn TPH4R803 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 48A(TC) 4.5V,10V 4.8mohm @ 24A,10V 2.1V @ 200µA 22 NC @ 10 V ±20V 1975 pf @ 15 V - 830MW(TA),69W(tc)
TPN19008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN19008QM,LQ 0.6800
RFQ
ECAD 3445 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSX-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn TPN19008 MOSFET (金属 o化物) 8-tson Advance(3.1x3.1) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 80 V 34A(TC) 6V,10V 19mohm @ 17a,10v 3.5V @ 200µA 16 NC @ 10 V ±20V 1400 PF @ 40 V - 630MW(TA),57W(tc)
SSM3J371R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J371R,LXHF 0.4000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101,U-MOSVI 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C 表面安装 SOT-23-3平线 MOSFET (金属 o化物) SOT-23F 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 4A(ta) 1.5V,4.5V 55mohm @ 3A,4.5V 1V @ 1mA 10.4 NC @ 4.5 V +6V,-8V 630 pf @ 10 V - 1W(ta)
XPH3R114MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH3R114MC,L1XHQ 2.2500
RFQ
ECAD 2968 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn XPH3R114 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 40 V 100A(TA) 4.5V,10V 3.1MOHM @ 50a,10v 2.1V @ 1mA 230 NC @ 10 V +10V,-20V 9500 PF @ 10 V - 960MW(TA),170W(tc)
TK1R5R04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK1R5R04PB,LXGQ 2.6900
RFQ
ECAD 2158 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB TK1R5R04 MOSFET (金属 o化物) D2PAK+ 下载 3(168)) Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 160a(ta) 6V,10V 1.5MOHM @ 80A,10V 3V @ 500µA 103 NC @ 10 V ±20V 5500 pf @ 10 V - 205W(TC)
XPN6R706NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN6R706NC,L1XHQ 1.4200
RFQ
ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn XPN6R706 MOSFET (金属 o化物) 8-tson Advance-WF (3.1x3.1) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 60 V 40a(ta) 4.5V,10V 6.7MOHM @ 20A,10V 2.5V @ 300µA 35 NC @ 10 V ±20V 2000 pf @ 10 V - 840MW(TA),100W(TC)
TPH2R306NH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH1,LQ 1.5700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET (金属 o化物) 8 SOP Advance(5x5.75) - (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 60 V 136a(TC) 6.5V,10V 2.3MOHM @ 50a,10v 4V @ 1mA 72 NC @ 10 V ±20V 6100 PF @ 30 V - 800MW(ta),170W(tc)
TPHR9203PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9203PL1,LQ 1.7200
RFQ
ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET (金属 o化物) 8 SOP Advance(5x5.75) - (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 150a(TC) 4.5V,10V 0.92MOHM @ 50a,10V 2.1V @ 500µA 81 NC @ 10 V ±20V 7540 pf @ 15 V - 960MW(TA),170W(tc)
RN2911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2911FE,LXHF(ct 0.3800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN2911 100MW ES6 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2 PNP-) 300mv @ 250µA,5mA 120 @ 1mA,5V 200MHz 10KOHMS -
RN4988FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4988FE,LXHF(ct 0.3800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN4988 100MW ES6 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz,200MHz 22KOHMS 47kohms
2SA1586-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-gr,LXHF 0.3300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 SC-70,SOT-323 200兆 USM 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA(ICBO) PNP 300mv @ 10mA,100mA 200 @ 2mA,6v 80MHz
RN1418,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1418,LXHF 0.0645
RFQ
ECAD 9319 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 RN1418 200兆 S-Mini 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 50 @ 10mA,5V 250 MHz 47科姆斯 10 kohms
RN1908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908FE,LXHF(ct 0.3800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN1908 100MW ES6 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz 22KOHMS 47kohms
RN2417,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2417,LXHF 0.3400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 RN2417 200兆 S-Mini 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 30 @ 10mA,5V 200 MHz 10 kohms 4.7科姆斯
2SA1832-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-gr,LXHF 0.3900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 SC-75,SOT-416 120兆 SSM 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA(ICBO) PNP 300mv @ 10mA,100mA 200 @ 2mA,6v 80MHz
RN1115,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1115,LXHF(ct 0.3300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-75,SOT-416 RN1115 100兆 SSM 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 50 @ 10mA,5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
RN1902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902FE,LXHF(ct 0.3800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN1902 100MW ES6 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 250µA,5mA 50 @ 10mA,5V 250MHz 10KOHMS 10KOHMS
RN1104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104,LXHF(ct 0.3300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-75,SOT-416 RN1104 100兆 SSM 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250 MHz 47科姆斯 47科姆斯
RN2103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103MFV,L3XHF(ct 0.3400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-723 RN2103 150兆 VESM 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA,5mA 70 @ 10mA,5V 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
SSM6K810R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K810R,LXHF 0.7000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C 表面安装 6-SMD,平坦的铅 SSM6K810 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP-F 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 100 v 3.5A(ta) 4.5V,10V 69mohm @ 2a,10v 2.5V @ 100µA 3.2 NC @ 4.5 V ±20V 430 pf @ 15 V - 1.5W(TA)
RN4984FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984FE,LXHF(ct 0.3800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN4984 100MW ES6 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz,200MHz 47kohms 47kohms
RN2112,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2112,LXHF(ct 0.0624
RFQ
ECAD 9359 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-75,SOT-416 RN2112 100兆 SSM 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) pnp-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 120 @ 1mA,5V 200 MHz 22 KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库