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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SC2383-O，T6ALPF （M	-	RFQ	6758	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2383		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1													160 v	1 a	1µA（ICBO）	NPN	1.5V @ 50mA，500mA	60 @ 200ma，5V	100MHz
2SC2655-O （ND1，AF）	-	RFQ	1084	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2655		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1													50 V	2 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
2SC2655-y t6omi，FM	-	RFQ	9618	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2655		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1													50 V	2 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
2SC2655-y，t6wnlf（j	-	RFQ	2036	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2655		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1													50 V	2 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
2SC2655-y，WNLF（j	-	RFQ	1986	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2655		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1													50 V	2 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
2SC4793（paio，F，m）	-	RFQ	2353	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SC4793		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1													230 v	1 a	1µA（ICBO）	NPN	1.5V @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz
2SC4881，LS1SUMIF （m	-	RFQ	5712	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SC4881		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1													50 V	5 a	1µA（ICBO）	NPN	400MV @ 125mA，2.5a	100 @ 1A，1V	100MHz
2SC5171，Q（j	-	RFQ	7250	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SC5171		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1													180 v	2 a	5µA（ICBO）	NPN	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	200MHz
HN4A56JU（TE85L，F）	0.0616	RFQ	4855	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	HN4A56		200MW	USV	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	150mA	100NA（ICBO）	2 PNP （双）	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	60MHz
HN4C06J-bl（TE85L，f	0.1088	RFQ	3999	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	HN4C06		300MW	SMV	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													120V	100mA	100NA（ICBO）	2 NPN （双）常见发射极	300mv @ 1mA，10mA	200 @ 2mA，6v	100MHz
2SA1721RTE85LF	-	RFQ	7347	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SA1721		150兆	S-Mini	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													300 v	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 2mA，20mA	30 @ 20mA，10v	50MHz
RN2404，LF	0.0289	RFQ	6844	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2404		200兆	S-Mini	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200 MHz	47科姆斯	47科姆斯
SSM3J117TU，LF	0.3700	RFQ	366	东芝半导体和存储	U-MOSII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3J117	MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	2A（TA）	4V，10V	117MOHM @ 1A，10V	2.6V @ 1mA		±20V	280 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
SSM6L13TU （T5L，F，T）	-	RFQ	3054	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6L13	MOSFET （金属 o化物）	500MW	UF6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	800mA（ta）		143MOHM @ 600mA，4V，234MOHM @ 600mA，4V	1V @ 1mA	-		268pf @ 10V，250pf @ 10V	逻辑水平门，1.8V
RN1104，LF（ct	0.2000	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN1104		100兆	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
TPH5R906NH，L1Q	1.7200	RFQ	29	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH5R906	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	28a（28a）	10V	5.9MOHM @ 14A，10V	4V @ 300µA	38 NC @ 10 V	±20V	3100 PF @ 30 V	-	1.6W（TA），57W（tc）
TPH4R606NH，L1Q	0.9241	RFQ	9919	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH4R606	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	32a（ta）	6.5V，10V	4.6mohm @ 16a，10v	4V @ 500µA	49 NC @ 10 V	±20V	3965 PF @ 30 V	-	1.6W（TA），63w（tc）
SSM6N37FE，LM	0.3500	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6N37	MOSFET （金属 o化物）	150MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000	2 n 通道（双）		20V	250mA		2.2OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 1mA	-		12pf @ 10V	逻辑级别门
SSM6P49NU，LF	0.4200	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6P49	MOSFET （金属 o化物）	1W	6-udfn （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4a		45MOHM @ 3.5A，10V	1.2V @ 1mA	6.74NC @ 4.5V		480pf @ 10V	逻辑级别门
SSM3J332R，LF	0.4500	RFQ	181	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3J332	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	6a（6a）	1.8V，10V	42MOHM @ 5A，10V	1.2V @ 1mA	8.2 NC @ 4.5 V	±12V	560 pf @ 15 V	-	1W（ta）
SSM3K15ACT（TPL3）	0.0672	RFQ	1826年	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	SSM3K15	MOSFET （金属 o化物）		CST3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	30 V	（100mA）（TA）	2.5V，4V	3.6OHM @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA		±20V	13.5 pf @ 3 V	-	100mW（TA）
SSM3K15AF，LF	0.2800	RFQ	107	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SSM3K15	MOSFET （金属 o化物）		SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	（100mA）（TA）	2.5V，4V	3.6OHM @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA		±20V	13.5 pf @ 3 V	-	100mW（TA）
SSM3K333R，LF	0.4500	RFQ	86	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3K333	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	6a（6a）	4.5V，10V	28mohm @ 5a，10v	2.5V @ 100µA	3.4 NC @ 4.5 V	±20V	436 pf @ 15 V	-	1W（ta）
TK65E10N1，S1X	2.9200	RFQ	6537	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK65E10	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	148a（ta）	10V	4.8mohm @ 32.5a，10v	4V @ 1mA	81 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 50 V	-	192W（TC）
TK5P60W，RVQ	1.8600	RFQ	10	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	TK5P60	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	5.4A（ta）	10V	900MOHM @ 2.7a，10V	3.7V @ 270µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 300 V	-	60W（TC）
TK6Q60W，S1VQ	1.9900	RFQ	8673	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TK6Q60	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	6.2a（ta）	10V	820MOHM @ 3.1A，10V	3.7V @ 310µA	12 nc @ 10 V	±30V	390 pf @ 300 V	-	60W（TC）
TPH4R50ANH，L1Q	2.7900	RFQ	8	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH4R50	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	100 v	60a（TC）	10V	4.5mohm @ 30a，10v	4V @ 1mA	58 NC @ 10 V	±20V	5200 PF @ 50 V	-	1.6W（TA），78W（tc）
TPN4R203NC，L1Q	0.4595	RFQ	1481	东芝半导体和存储	U-Mosviii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN4R203	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	23a（23A）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 11.5A，10V	2.3V @ 200µA	24 NC @ 10 V	±20V	1370 pf @ 15 V	-	700MW（TA），22W（22W）TC）
TK12P60W，RVQ	1.0490	RFQ	4795	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	TK12P60	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	11.5A（TA）	10V	340MOHM @ 5.8A，10V	3.7V @ 600µA	25 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 300 V	-	100W（TC）
TK39N60W，S1VF	5.5100	RFQ	7989	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TK39N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	38.8A（TA）	10V	65mohm @ 19.4a，10v	3.7V @ 1.9mA	110 NC @ 10 V	±30V	4100 PF @ 300 V	-	270W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²