SIC
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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
2SC4881,LS1SUMIF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4881，LS1SUMIF （m -
RFQ
 ECAD 5712 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SC4881 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 50 V 5 a 1µA（ICBO） NPN 400MV @ 125mA，2.5a 100 @ 1A，1V 100MHz
2SC5171,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171，Q（j -
RFQ
 ECAD 7250 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SC5171 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µA（ICBO） NPN 1V @ 100mA，1a 100 @ 100mA，5V 200MHz
2SD2206(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206（t6cano，f，m -
RFQ
 ECAD 8223 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SD2206 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 100 v 2 a 10µA（ICBO） NPN 1.5V @ 1mA，1a 2000 @ 1A，2V 100MHz
2SD2206(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206（t6cno，A，f） -
RFQ
 ECAD 7218 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SD2206 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 100 v 2 a 10µA（ICBO） NPN 1.5V @ 1mA，1a 2000 @ 1A，2V 100MHz
2SJ438(AISIN,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438（植物，A，Q） -
RFQ
 ECAD 3224 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 2SJ438 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 5A（TJ）
2SJ438,Q(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438，Q（m -
RFQ
 ECAD 8401 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 2SJ438 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 5A（TJ）
2SK2962(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962（t6cano，A，f -
RFQ
 ECAD 8525 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SK2962 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 1A（TJ）
2SK2962(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962（t6cano，f，m -
RFQ
 ECAD 2604 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SK2962 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 1A（TJ）
2SK3670(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670（t6cano，A，f -
RFQ
 ECAD 5777 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SK3670 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 670mA（TJ）
SSM3J35AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35AF，LF 0.2600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SC-75，SOT-416 SSM3J35 MOSFET （金属 o化物） SSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 250mA（ta） 1.2V，4.5V 1.4OHM @ 150mA，4.5V 1V @ 100µA ±10V 42 pf @ 10 V - 150MW（TA）
SSM3K44FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K44FS，LF 0.2800
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SC-75，SOT-416 SSM3K44 MOSFET （金属 o化物） SSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 4ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA ±20V 8.5 pf @ 3 V - 150MW（TA）
SSM6K361NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K361NU，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6K361 MOSFET （金属 o化物） 6-udfnb（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 3.5A（ta） 4.5V，10V 69mohm @ 2a，10v 2.5V @ 100µA 3.2 NC @ 4.5 V ±20V 430 pf @ 15 V - 1.25W（TA）
TK750A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK750A60F，S4X 1.7600
RFQ
 ECAD 968 0.00000000 东芝半导体和存储 u-mosix 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 TK750A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 10a（10a） 10V 750MOHM @ 5A，10V 4V @ 1mA 30 NC @ 10 V ±30V 1130 PF @ 300 V - 40W（TC）
TK650A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK650A60F，S4X 1.3400
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 东芝半导体和存储 u-mosix 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 TK650A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 11a（11a） 10V 650MOHM @ 5.5A，10V 4V @ 1.16mA 34 NC @ 10 V ±30V 1320 PF @ 300 V - 45W（TC）
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111（TE85L，F） 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MT3S111 700MW S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 12DB 6V 100mA NPN 200 @ 30mA，5v 11.5GHz 1.2db @ 1GHz
MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111P（TE12L，F） 0.3863
RFQ
 ECAD 3458 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA MT3S111 1W PW-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1,000 10.5db 6V 100mA NPN 200 @ 30mA，5v 8GHz 1.25db @ 1GHz
SSM3K16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CT，L3F 0.3200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SC-101，SOT-883 SSM3K16 MOSFET （金属 o化物） CST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 20 v （100mA）（TA） 1.5V，4V 3ohm @ 10mA，4V 1.1V @ 100µA ±10V 9.3 pf @ 3 V - 100mW（TA）
SSM3K357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K357R，LF 0.4000
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 东芝半导体和存储 π-MOSV 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3K357 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 650mA（TA） 3V，5V 1.8ohm @ 150mA，5v 2V @ 1mA 1.5 NC @ 5 V ±12V 60 pf @ 12 V - 1W（ta）
SSM6J50TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J50TU，LF 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6J50 MOSFET （金属 o化物） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 2.5a（ta） 2V，4.5V 64mohm @ 1.5A，4.5V 1.2V @ 200µA ±10V 800 pf @ 10 V - 500MW（TA）
SSM3J134TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J134TU，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 3-SMD，平坦的铅 SSM3J134 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 3.2A（ta） 1.5V，4.5V 93mohm @ 1.5A，4.5V 1V @ 1mA 4.7 NC @ 4.5 V ±8V 290 pf @ 10 V - 500MW（TA）
SSM3J377R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J377R，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3J377 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 3.9a（ta） 1.5V，4.5V 93mohm @ 1.5A，4.5V 1V @ 1mA 4.6 NC @ 4.5 V +6V，-8V 290 pf @ 10 V - 1W（ta）
SSM3J378R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J378R，LF 0.3800
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3J378 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 6a（6a） 1.5V，4.5V 29.8mohm @ 3A，4.5V 1V @ 1mA 12.8 NC @ 4.5 V +6V，-8V 840 pf @ 10 V - 1W（ta）
SSM6P35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35AFU，LF 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6P35 MOSFET （金属 o化物） 285MW（TA） US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 250mA（ta） 1.4OHM @ 150mA，4.5V 1V @ 100µA - 42pf @ 10V 逻辑级别门，1.2V驱动器
TK12P60W,RVQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W，RVQ（s -
RFQ
 ECAD 2958 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 TK12P60 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TK12P60WRVQ s Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 11.5A（TA） 10V 340MOHM @ 5.8A，10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 pf @ 300 V - 100W（TC）
2SC5198-O(S1,E Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5198-O（s1，e -
RFQ
 ECAD 4257 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 2SC5198 100 W to-3p n（n） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 2SC5198-O （S1E Ear99 8541.29.0075 25 140 v 10 a 5µA（ICBO） NPN 2V @ 700mA，7a 55 @ 1A，5V 30MHz
TDTA114Y,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA114Y，LM 0.1800
RFQ
 ECAD 8079 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TDTA114 320兆W SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 90 @ 5mA，5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
SSM6G18NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6G18NU，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6G18 MOSFET （金属 o化物） 6 µdfn （2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 2A（TA） 1.5V，4.5V 112MOHM @ 1A，4.5V 1V @ 1mA 4.6 NC @ 4.5 V ±8V 270 pf @ 10 V Schottky 二极管（孤立） 1W（ta）
SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FE，L3F 0.3700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6N16 MOSFET （金属 o化物） 150MW（TA） ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 2 n 通道（双） 20V （100mA）（TA） 3ohm @ 10mA，4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3V -
SSM6N44FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FU，LF 0.3600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6N44 MOSFET （金属 o化物） 200mw（ta） US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V （100mA）（TA） 4ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA - 8.5pf @ 3V -
SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU，LF 0.4200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6N62 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 800mA（ta） 85MOHM @ 800mA，4.5V 1V @ 1mA 2NC @ 4.5V 177pf @ 10V 逻辑级别门，1.2V驱动器
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    每日平均RFQ量

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196-LFBGA裸露的垫子

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