晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
SSM6P69NU，LF	0.4300	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6P69		MOSFET（金属O化物）	1W（塔）	6μDFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）						20V	4A（塔）		45毫欧@3.5A，10V	1.2V@1mA	6.74nC@4.5V		480pF@10V	逻辑电平门，1.8V驱动
RFM01U7P(TE12L,F)	1.2713	询价	3591	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	20V		表面贴装	TO-243AA	RFM01U7	520兆赫	场效应晶体管		PW-MINI	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		1A	100毫安	1.2W	10.8分贝											-			7.2V
SSM3J377R，LF	0.4100	询价	29	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J377		MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					20V	3.9A（塔）	1.5V、4.5V	93毫欧@1.5A，4.5V	1V@1mA	4.5V时为4.6nC	+6V、-8V	290pF@10V	-	1W（塔）
2SA1837,F(J	-	询价	8030	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1837			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																		230伏	1A		1μA（ICBO）	国民党	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	70兆赫兹
RN2301,LF	0.1800	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2301			100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																		50V	100毫安		500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
TPH2900ENH,L1Q	2.5800	询价	9	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH2900		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					200V	33A（塔）	10V	29毫欧@16.5A，10V	4V@1mA	22nC@10V	±20V	2200 pF @ 100 V	-	78W（温度）
TPH4R606NH,L1Q	0.9241	询价	9919	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH4R606		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					60V	32A（塔）	6.5V、10V	4.6毫欧@16A，10V	4V@500μA	49nC@10V	±20V	3965pF@30V	-	1.6W（Ta）、63W（Tc）
RN2112,LF(CT	0.2000	询价	6252	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2112			100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																		50V	100毫安		100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	22欧姆
TK3R2E06PL,S1X	1.7700	询价	2131	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		175℃	通孔	TO-220-3	TK3R2E06		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					60V	100A（温度）	4.5V、10V	3.2毫欧@50A，10V	2.5V@700μA	71nC@10V	±20V	5000pF@30V	-	168W（温度）
SSM6K513NU，LF	0.4600	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极		150℃（TA）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6K513		MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					30V	15A（塔）	4.5V、10V	8.9毫欧@4A，10V	2.1V@100μA	7.5nC@4.5V	±20V	1130pF@15V	-	1.25W（塔）
2SK3906(Q)	-	询价	5343	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	2SK3906		MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					600伏	20A（塔）	10V	330毫欧@10A，10V	4V@1mA	60nC@10V	±30V	4250pF@25V	-	150W（温度）
TK20A60W,S5VX	2.9800	询价	84	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK20A60		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					600伏	20A（塔）	10V	155mOhm@10A，10V	3.7V@1mA	48nC@10V	±30V	1680 pF @ 300 V	-	45W（温度）
SSM3K17SU,LF	-	询价	4802	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		-	表面贴装	SC-70、SOT-323	SSM3K17		MOSFET（金属O化物）		USM	-		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					50V	100mA（塔）		20欧姆@10mA，4V	1.5V@1μA			7pF@3V	-	150毫W（塔）
TPCA8008-H(TE12L,Q	-	询价	6043	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8008		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					250伏	4A（塔）	10V	580毫欧@2A，10V	4V@1mA	10nC@10V	±20V	600pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
RN1902T5LFT	-	询价	4506	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1902			200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																		50V	100毫安		100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	10k欧姆
RN1905FE,LXHF(CT	0.3800	询价	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1905			100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																		50V	100毫安		500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
RN4610(TE85L,F)	0.4700	询价	80	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-74、SOT-457	RN4610			300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																		50V	100毫安		100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	-
RN1301,LXHF	0.3900	询价	11	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1301			100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																		50V	100毫安		500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
SSM3J130TU，LF	0.4600	询价	166	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J130		MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道					20V	4.4A（塔）	1.5V、4.5V	25.8毫欧@4A，4.5V	1V@1mA	24.8nC@4.5V	±8V	1800pF@10V	-	500毫W（塔）
RN2903FE(TE85L,F)	0.3400	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2903			100毫W	ES6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																		50V	100毫安		100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	22k欧姆
2SC5171,Q(J	-	询价	7250	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC5171			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																		180伏	2A		5μA（ICBO）	NPN	1V@100mA，1A	100@100mA，5V	200兆赫
SSM6J424TU，LF	0.4700	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6J424		MOSFET（金属O化物）		六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					20V	6A（塔）	1.5V、4.5V	22.5毫欧@6A，4.5V	1V@1mA	23.1nC@4.5V	+6V、-8V	1650pF@10V	-	1W（塔）
SSM3K17FU,LF	0.3300	询价	62	东芝半导体和存储	π-MOSV	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	SSM3K17		MOSFET（金属O化物）		USM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					50V	100mA（塔）	2.5V、4V	20欧姆@10mA，4V	1.5V@1μA		±7V	7pF@3V	-	150毫W（塔）
RN1701,LF	0.3000	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN1701			200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																		50V	100毫安		500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
2SA1382,T6MIBF(J	-	询价	4486	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1382			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																		50V	2A		100nA（ICBO）	国民党	500mV@33mA，1A	150@500mA，2V	110兆赫
TTC0002(Q)	3.3400	询价	6091	东芝半导体和存储	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-3PL	TTC0002			180W	TO-3P(L)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TTC0002Q	EAR99	8541.29.0075	100																		160伏	18A		1μA（ICBO）	NPN	2V@900mA，9A	80@1A，5V	30兆赫兹
2SC2705-Y(TE6,F,M)	-	询价	4824	东芝半导体和存储	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2705			800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																		150伏	50毫安		100nA（ICBO）	NPN	1V@1mA、10mA	120@10mA，5V	200兆赫
TPCP8011，LF	1.0900	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	8-SMD，写入			MOSFET（金属O化物）		PS-8	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					40V	5A（塔）	6V、10V	51.2毫欧@2.5A，10V	3V@1mA	11.8nC@10V	±20V	505pF@10V	-	940毫W（塔）
RN1303,LF	0.1800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1303			100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																		50V	100毫安		500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	22欧姆
HN1C01FE-Y,LXHF	0.3900	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN1C01			100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																		50V	150毫安		100nA（ICBO）	2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²