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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TK7A65D（sta4，Q，m）	2.2100	RFQ	50	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK7A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	7a（ta）	10V	980MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 1mA	24 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 25 V	-	45W（TC）
TK8A45DA （STA4，Q，m）	1.6400	RFQ	6704	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3完整包	TK8A45	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	450 v	7.5A（TC）		-	-				-	-
TK8A55DA （STA4，Q，m）	1.7700	RFQ	50	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK8A55	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	550 v	7.5A（ta）	10V	1.07OHM @ 3.8A，10V	4V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±30V	800 pf @ 25 V	-	40W（TC）
TK9A60D（sta4，Q，m）	2.0200	RFQ	49	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK9A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	9a（9a）	10V	830MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 1mA	24 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 25 V	-	45W（TC）
TPC8065-H，LQ s	-	RFQ	6115	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8065	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	13A（TA）	4.5V，10V	11.6mohm @ 6.5a，10v	2.3V @ 200µA	20 nc @ 10 V	±20V	1350 pf @ 10 V	-	1W（ta）
TPC8067-H，LQ（s	-	RFQ	9337	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8067	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	9a（9a）	4.5V，10V	25mohm @ 4.5A，10V	2.3V @ 100µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	690 pf @ 10 V	-	1W（ta）
tpc8129，lq（s	0.5600	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8129	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	9a（9a）	4.5V，10V	22mohm @ 4.5A，10V	2V @ 200µA	39 NC @ 10 V	+20V，-25V	1650 pf @ 10 V	-	1W（ta）
tpc8408，lq（s	0.4700	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8408	MOSFET （金属 o化物）	450MW	8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	2,500	n和p通道		40V	6.1a，5.3a		32MOHM @ 3.1A，10V	2.3V @ 100µA	24NC @ 10V		850pf @ 10V	逻辑级别门
TPCA8055-H，LQ （M	-	RFQ	2518	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8055	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	56a（ta）	4.5V，10V	1.9mohm @ 28a，10v	2.3V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 10 V	-	1.6W（ta），70W（70W）TC）
TPCA8057-H，LQ （M	-	RFQ	1274	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8057	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	42a（ta）	4.5V，10V	2.6mohm @ 21a，10v	2.3V @ 500µA	61 NC @ 10 V	±20V	5200 PF @ 10 V	-	1.6W（TA），57W（tc）
TPCA8064-H，LQ（CM	-	RFQ	1484	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8064	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	20A（TA）	4.5V，10V	8.2MOHM @ 10a，10v	2.3V @ 200µA	23 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 10 V	-	1.6W（TA），32W（（ta）
TPCA8120，LQ（厘米	-	RFQ	9207	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8120	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	45A（TA）	4.5V，10V	3mohm @ 22.5a，10v	2V @ 1mA	190 NC @ 10 V	+20V，-25V	7420 PF @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）
tpca8128，lq（cm	-	RFQ	6650	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8128	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	34A（ta）	4.5V，10V	4.8mohm @ 17a，10v	2V @ 500µA	115 NC @ 10 V	+20V，-25V	4800 pf @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）
TPCC8066-H，LQ（s	-	RFQ	6818	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCC8066	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	15mohm @ 5.5a，10v	2.3V @ 100µA	15 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 10 V	-	700MW（TA），17W（17W）TC）
TPCC8067-H，LQ s	-	RFQ	6291	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCC8067	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	9a（9a）	4.5V，10V	25mohm @ 4.5A，10V	2.3V @ 100µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	690 pf @ 10 V	-	700MW（TA），15W（（（（（（（（（（（
TTC008 Q（Q）	0.8400	RFQ	6705	东芝半导体和存储	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TTC008		1.1 w	PW-mold2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	TTC008Q	Ear99	8541.29.0095	200													285 v	1.5 a	10µA（ICBO）	NPN	1V @ 62.5mA，500mA	80 @ 1mA，5V	-
2SC4116-gr，LF	0.1800	RFQ	39	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC4116		100兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 2mA，6v	80MHz
SSM3K17SU，LF	-	RFQ	4802	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	SC-70，SOT-323	SSM3K17	MOSFET （金属 o化物）		USM	-		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	50 V	（100mA）（TA）		20ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 1µA			7 pf @ 3 V	-	150MW（TA）
SSM6K513NU，LF	0.4600	RFQ	3	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TA）	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6K513	MOSFET （金属 o化物）		6-udfnb（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	15A（TA）	4.5V，10V	8.9MOHM @ 4A，10V	2.1V @ 100µA	7.5 NC @ 4.5 V	±20V	1130 PF @ 15 V	-	1.25W（TA）
TPW1R005PL，L1Q	3.0300	RFQ	14	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powerwdfn	TPW1R005	MOSFET （金属 o化物）		8-dsop提前	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	45 v	300A（TC）	4.5V，10V		2.4V @ 1mA	122 NC @ 10 V	±20V	9600 PF @ 22.5 V	-	960MW（TA），170W（tc）
SSM3K361R，LF	0.5100	RFQ	128	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3K361	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	3.5A（ta）	4.5V，10V	69mohm @ 2a，10v	2.5V @ 100µA	3.2 NC @ 4.5 V	±20V	430 pf @ 15 V	-	1.2W（TA）
SSM6P35FE，LM	-	RFQ	2051	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6P35	MOSFET （金属 o化物）	150MW	ES6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000	2（p 通道（双）		20V	100mA		8ohm @ 50mA，4V	1V @ 1mA	-		12.2pf @ 3V	-
SSM3J132TU，LF	0.5200	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3J132	MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	5.4A（ta）	1.2V，4.5V	17mohm @ 5A，4.5V	1V @ 1mA	33 NC @ 4.5 V	±6V	2700 PF @ 10 V	-	500MW（TA）
TBC857B，LM	0.1600	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TBC857		320兆W	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	150 ma	30na（icbo）	PNP	650mv @ 100mA，5mA	210 @ 2mA，5V	80MHz
TPHR6503PL，L1Q	2.0600	RFQ	51	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn	TPHR6503	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	150a（TC）	4.5V，10V	0.65MOHM @ 50a，10V	2.1V @ 1mA	110 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 15 V	-	960MW（TA），170W（tc）
TK4R3A06PL，S4X	1.3300	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK4R3A06	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	不适用		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	68A（TC）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 15A，4.5V	2.5V @ 500µA	48.2 NC @ 10 V	±20V	3280 pf @ 30 V	-	36W（TC）
TTC004B，Q	0.5300	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	TTC004		10 W	to-126n	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	250													160 v	1.5 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	140 @ 100mA，5V	100MHz
2SA1020-O，CKF（j	-	RFQ	2405	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1													50 V	2 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
2SA1020-y t6cn，A，f	-	RFQ	6615	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1													50 V	2 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
2SA1020-y t6toj，FM	-	RFQ	9874	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1													50 V	2 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²