晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
TPH3R70APL1,LQ	1.7100	询价	4727	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerTDFN	TPH3R70	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5.75)	下载		1（无限制）				5,000		N沟道	100伏	170A（Ta）、90A（Tc）	4.5V、10V	3.7毫欧@45A，10V	2.5V@1mA	67nC@10V	±20V	6300pF@50V	-	3W（Ta）、210W（Tc）
TPCA8064-H,LQ(CM	-	询价	第1484章	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8064	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	20A（塔）	4.5V、10V	8.2毫欧@10A、10V	2.3V@200μA	23nC@10V	±20V	1900pF@10V	-	1.6W（Ta）、32W（Tc）
2SA1930,LBS2DIAQ(J	-	询价	第1334章	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1930		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1													180伏	2A	5μA（ICBO）	国民党	1V@100mA，1A	100@100mA，5V	200兆赫
TK65S04N1L,LXHQ	1.2300	询价	5169	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK65S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	40V	65A（塔）	4.5V、10V	4.3毫欧@32.5A，10V	2.5V@300μA	39nC@10V	±20V	2550pF@10V	-	107W（温度）
TK39A60W,S4VX	9.7500	询价	100	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK39A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	38.8A（塔）	10V	65毫欧@19.4A，10V	3.7V@1.9mA	110nC@10V	±30V	4100 pF @ 300 V	-	50W（温度）
TK8R2A06PL,S4X	1.0200	询价	第1381章	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	管子	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK8R2A06	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	60V	50A（温度）	4.5V、10V	11.4毫欧@8A，4.5V	2.5V@300μA	10V时为28.4nC	±20V	1990pF@25V	-	36W（温度）
2SC3074-Y(Q)	-	询价	5361	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	2SC3074		1W	PW-模具	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	200													50V	5A	1μA（ICBO）	NPN	400mV@150mA，3A	120@1A，1V	120兆赫
RN2117(T5L,F,T)	-	询价	9782	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2117		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	4.7欧姆
SSM3K333R，LF	0.4500	询价	86	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3K333	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	6A（塔）	4.5V、10V	28毫欧@5A，10V	2.5V@100μA	3.4nC@4.5V	±20V	15V时为436pF	-	1W（塔）
TK3R1E04PL,S1X	1.4400	询价	50	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	管子	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK3R1E04	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	40V	100A（温度）	4.5V、10V	3.8毫欧@30A，4.5V	2.4V@500μA	63.4nC@10V	±20V	4670pF@20V	-	87W（温度）
2SA1837,YHF(男	-	询价	第1662章	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1837		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1													230伏	1A	1μA（ICBO）	国民党	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	70兆赫
RN1706JE(TE85L,F)	-	询价	8712	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	的积极		表面贴装	SOT-553	RN1706		100毫W	ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
TPN7R506NH,L1Q	1.0200	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN7R506	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	60V	26A（温度）	6.5V、10V	7.5毫欧@13A，10V	4V@200μA	22nC@10V	±20V	1800pF@30V	-	700mW（Ta）、42W（Tc）
RN2403,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2403		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22欧姆	22欧姆
2SK2917(女)	-	询价	7510	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	2SK2917	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)IS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	500V	18A（塔）	10V	270毫欧@10A，10V	4V@1mA	80nC@10V	±30V	10V时为3720pF	-	90W（温度）
RN1902FE,LXHF(CT	0.3800	询价	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1902		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	10k欧姆
SSM6N35AFU，LF	0.4300	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6N35	MOSFET（金属O化物）	285毫W（塔）	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		20V	250mA（塔）		1.1欧姆@150mA，4.5V	1V@100μA	0.34nC@4.5V		36pF@10V	-
RN1101MFV,L3XHF(CT	0.3400	询价	16	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1101		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	30@10mA，5V		4.7欧姆	4.7欧姆
RN4909(T5L,F,T)	-	询价	3024	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4909		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
TK5R1P08QM,RQ	1.4600	询价	6	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	80V	84A（温度）	6V、10V	5.1毫欧@42A，10V	3.5V@700μA	56nC@10V	±20V	3980pF@40V	-	104W（温度）
RN1112,LXHF(CT	0.0624	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1112		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	22欧姆
2SC6142(Q)	-	询价	2783	东芝半导体和存储	-	盒子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak			1.1W	PW-模具2	下载			264-2SC6142(Q)	EAR99	8541.29.0095	1													375伏	1.5安	50μA（ICBO）	NPN	900毫伏@100毫安、800毫安	100@100mA，5V	-
RN1104MFV,L3XHF(CT	0.3400	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1104		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V		47欧姆	47欧姆
TPCA8026(TE12L,Q,M	1.8800	询价	1	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8026	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	45A（塔）	4.5V、10V	2.2毫欧@23A，10V	2.5V@1mA	113nC@10V	±20V	4200pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
SSM6N16FE,L3F	0.3700	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6N16	MOSFET（金属O化物）	150毫W（塔）	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000	2 个 N 沟道（双）		20V	100mA（塔）		3欧姆@10mA，4V	1.1V@100μA	-		9.3pF@3V	-
TK20N60W,S1VF	6.4300	询价	8750	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK20N60	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	600伏	20A（塔）	10V	155mOhm@10A，10V	3.7V@1mA	48nC@10V	±30V	1680 pF @ 300 V	-	165W（温度）
RN4906FE,LXHF(CT	0.3800	询价	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4906		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
2SC4116-BL,LXHF	0.3300	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323			100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	150毫安	100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	350@2mA，6V	80兆赫
TK12P60W,RVQ	1.0490	询价	4795	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK12P60	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	600伏	11.5A（塔）	10V	340毫欧@5.8A，10V	3.7V@600μA	25nC@10V	±30V	890 pF @ 300 V	-	100W（温度）
TW030N120C,S1F	34.4500	询价	119	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-247-3		SiCFET（碳化硅）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	1200伏	60A（温度）	18V	40毫欧@30A，18V	5V@13mA	82nC@18V	+25V，-10V	800V时为2925pF	-	249W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²