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2488）

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TJ40S04M3L （T6L1，NQ	1.7200	RFQ	1939年	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	TJ40S04	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000	P通道		40 V	40a（ta）	6V，10V	9.1mohm @ 20a，10v	3V @ 1mA	83 NC @ 10 V	+10V，-20V	4140 pf @ 10 V	-	68W（TC）
TJ50S06M3L （T6L1，NQ	1.9400	RFQ	1	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	TJ50S06	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000	P通道		60 V	50a（ta）	6V，10V	13.8mohm @ 25a，10v	3V @ 1mA	124 NC @ 10 V	+10V，-20V	6290 pf @ 10 V	-	90W（TC）
TJ80S04M3L （T6L1，NQ	1.2600	RFQ	5815	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	TJ80S04	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000	P通道		40 V	80a（ta）	6V，10V	5.2MOHM @ 40a，10v	3V @ 1mA	158 NC @ 10 V	+10V，-20V	7770 pf @ 10 V	-	100W（TC）
TJ8S06M3L （T6L1，NQ）	1.2600	RFQ	9068	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	TJ8S06	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000	P通道		60 V	8a（8a）	6V，10V	104mohm @ 4A，10V	3V @ 1mA	19 nc @ 10 V	+10V，-20V	890 pf @ 10 V	-	27W（TC）
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tk13a50da sta4，q，m	2.7100	RFQ	50	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK13A50	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		500 v	12.5A（TA）	10V	470MOHM @ 6.3a，10V	4V @ 1mA	28 NC @ 10 V	±30V	1550 pf @ 25 V	-	45W（TC）
TK13A50D（sta4，Q，m）	3.0300	RFQ	7833	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK13A50	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		500 v	13A（TA）	10V	400mohm @ 6.5a，10v	4V @ 1mA	38 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	45W（TC）
TK18A50D（sta4，Q，m）	3.5200	RFQ	50	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK18A50	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		500 v	18A（18A）	10V	270MOHM @ 9A，10V	4V @ 1mA	45 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 25 V	-	50W（TC）
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TK20S06K3L （T6L1，NQ	-	RFQ	3491	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	TK20S06	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道		60 V	20A（TA）	6V，10V	29mohm @ 10a，10v	3V @ 1mA	18 nc @ 10 V	±20V	780 pf @ 10 V	-	38W（TC）
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TK4A53D（sta4，Q，m）	-	RFQ	7821	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK4A53	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		525 v	4A（ta）	10V	1.7OHM @ 2A，10V	4.4V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	35W（TC）
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TK4P55DA（T6RSS-Q）	-	RFQ	2865	东芝半导体和存储	π-mosvii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	TK4P55	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	TK4P55DAT6RSSQ	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道		550 v	3.5A（ta）	10V	2.45OHM @ 1.8A，10V	4.4V @ 1mA	9 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 25 V	-	80W（TC）
TK4P60DA（T6RSS-Q）	-	RFQ	2953	东芝半导体和存储	π-mosvii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	TK4P60	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	TK4P60DAT6RSSQ	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道		600 v	3.5A（ta）	10V	2.2OHM @ 1.8A，10V	4.4V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	80W（TC）
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²