晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
TK3P80E,RQ	1.1500	询价	4414	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	800V	3A（塔）	10V	4.9欧姆@1.5A，10V	4V@300μA	12nC@10V	±30V	500pF@25V	-	80W（温度）
RN1108,LF(CT	0.2000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1108		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	47欧姆
TPH9R00CQH,LQ	2.0000	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）	264-TPH9R00CQHLQTR	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	150伏	64A（温度）	8V、10V	9毫欧@32A，10V	4.3V@1mA	44nC@10V	±20V	5400pF@75V	-	960mW（Ta）、210W（Tc）
RN2409,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2409		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	22欧姆
SSM6K217FE,LF	0.3700	询价	37	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6K217	MOSFET（金属O化物）		ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000		N沟道	40V	1.8A（塔）	1.8V、8V	195mOhm@1A，8V	1.2V@1mA	1.1nC@4.2V	±12V	130pF@10V	-	500毫W（塔）
RN2101,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2101		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
RN2404,LXHF	0.0645	询价	7148	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2404		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	47欧姆
2SC6100，低频	0.5300	询价	42	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	2SC6100		500毫W	UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	2.5安	100nA（ICBO）	NPN	140mV@20mA，1A	400@300mA，2V	-
TK30E06N1,S1X	0.9400	询价	6995	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK30E06	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	60V	43A（塔）	10V	15毫欧@15A，10V	4V@200μA	16nC@10V	±20V	1050pF@30V	-	53W（温度）
TK40S06N1L,LXHQ	1.0700	询价	20	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK40S06	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	60V	40A（塔）	4.5V、10V	18毫欧@20A，10V	2.5V@200μA	26nC@10V	±20V	1650pF@10V	-	88.2W（温度）
RN1101,LXHF(CT	0.3300	询价	9	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1101		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
RN2106,LF(CT	0.2000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2106		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	47欧姆
RN4902FE(TE85L,F)	-	询价	4313	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4902		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	10k欧姆
2SC4793,YHF(米	-	询价	9650	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC4793		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1													230伏	1A	1μA（ICBO）	NPN	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	100兆赫兹
2SC2235-Y(6MBH1,AF	-	询价	8417	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													120V	800毫安	100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
2SJ438(CANO,A,Q)	-	询价	6374	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-220-3全包	2SJ438			TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1				5A（Tj）
TK20A25D,S5Q(M	-	询价	8354	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK20A25	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	250伏	20A（塔）	10V	100毫欧@10A，10V	3.5V@1mA	55nC@10V	±20V	2550pF@100V	-	45W（温度）
2SC2655-O(ND2,AF)	-	询价	9458	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
2SA2154CT-Y(TPL3)	-	询价	5156	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	2SA2154		100毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
TPH1500CNH,L1Q	1.9800	询价	7	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH1500	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	150伏	38A（温度）	10V	15.4毫欧@19A，10V	4V@1mA	22nC@10V	±20V	2200pF@75V	-	1.6W（Ta）、78W（Tc）
TPC8221-H,LQ(S	-	询价	第1370章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPC8221	MOSFET（金属O化物）	450毫W	8-SOP	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）		30V	6A		25毫欧@3A，10V	2.3V@100μA	12nC@10V		830pF@10V	-
TK6Q65W,S1Q	1.4000	询价	8899	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	TK6Q65	MOSFET（金属O化物）		爱帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道	650伏	5.8A（塔）	10V	1.05欧姆@2.9A，10V	3.5V@180μA	11nC@10V	±30V	390 pF @ 300 V	-	60W（温度）
2SC2655-Y(T6CANOFM	-	询价	8697	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	2SC2655YT6CANOFM	EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
SSM3J114TU(T5L,T)	-	询价	2761	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J114	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	20V	1.8A（塔）	1.5V、4V	149毫欧@600mA，4V	1V@1mA	7.7nC@4V	±8V	10V时为331pF	-	500毫W（塔）
TPCA8045-H(T2L1,VM	-	询价	3369	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8045	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	40V	46A（塔）	4.5V、10V	3.6毫欧@23A，10V	2.3V@1mA	90nC@10V	±20V	7540pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
TPN11003NL,LQ	0.6800	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN11003	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	11A（温度）	4.5V、10V	11毫欧@5.5A，10V	2.3V@100μA	10V时为7.5nC	±20V	660pF@15V	-	700mW（Ta）、19W（Tc）
2SK2962,T6F(J	-	询价	4247	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SK2962			TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1				1A（Tj）
RN2422TE85LF	0.4200	询价	4270	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2422		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	800毫安	500纳安	PNP - 预偏置	250mV@1mA、50mA	65@100mA，1V	200兆赫	2.2欧姆	2.2欧姆
TPH6400ENH,L1Q	1.7300	询价	19号	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH6400	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	200V	13A（塔）	10V	64毫欧@6.5A，10V	4V@300μA	11.2nC@10V	±20V	1100 pF @ 100 V	-	1.6W（Ta）、57W（Tc）
TK14A65W5,S5X	2.8900	询价	4496	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK14A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	13.7A（塔）	10V	300毫欧@6.9A，10V	4.5V@690μA	40nC@10V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	40W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²