SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
2SD2406-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2406-y(f) -
RFQ
ECAD 9090 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 2SD2406 25 w TO-220NIS 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 80 V 4 a 30µA(ICBO) NPN 1.5V @ 300mA,3a 120 @ 500mA,5V 8MHz
2SK3309(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3309(Q) -
RFQ
ECAD 9535 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3,短选项卡 2SK3309 MOSFET (金属 o化物) TO-220FL 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 450 v 10a(10a) 10V 650MOHM @ 5A,10V 5V @ 1mA 23 NC @ 10 V ±30V 920 PF @ 10 V - 65W(TC)
2SK3309(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3309(TE24L,Q) -
RFQ
ECAD 7505 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 2SK3309 MOSFET (金属 o化物) TO-220SM 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 450 v 10a(10a) 10V 650MOHM @ 5A,10V 5V @ 1mA 23 NC @ 10 V ±30V 920 PF @ 10 V - 65W(TC)
TK12A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60U(Q,M) -
RFQ
ECAD 2935 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosii 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK12A60 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 12a(12a) 10V 400mohm @ 6a,10v 5V @ 1mA 14 NC @ 10 V ±30V 720 PF @ 10 V - 35W(TC)
TK20J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage TK20J60U(f) -
RFQ
ECAD 2851 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosii 托盘 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 TK20J60 MOSFET (金属 o化物) to-3p n(n) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 20A(TA) 10V 190mohm @ 10a,10v 5V @ 1mA 27 NC @ 10 V ±30V 1470 pf @ 10 V - 190w(TC)
TK70D06J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK70D06J1(Q) -
RFQ
ECAD 8209 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 TK70 MOSFET (金属 o化物) TO-220(W) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 70a(ta) 4.5V,10V 6.4MOHM @ 35A,10V 2.3V @ 1mA 87 NC @ 10 V ±20V 5450 pf @ 10 V - 45W(TC)
TPC6107(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6107(TE85L,F,M) -
RFQ
ECAD 1647年 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 TPC6107 MOSFET (金属 o化物) VS-6(2.9x2.8) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 4.5A(ta) 2V,4.5V 55mohm @ 2.2a,4.5V 1.2V @ 200µA 9.8 NC @ 5 V ±12V 680 pf @ 10 V - 700MW(TA)
TPC6901(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6901(TE85L,F,M) -
RFQ
ECAD 6955 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 TPC6901 400MW VS-6(2.9x2.8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 1A,700mA 100NA(ICBO) NPN,PNP 170mv @ 6mA,300mA / 230mv @ 10mA,300mA 400 @ 100mA,2v / 200 @ 100mA,2v -
TPC8031-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8031-H (TE12LQM) -
RFQ
ECAD 5858 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) TPC8031 MOSFET (金属 o化物) 8-SOP(5.5x6.0) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 11a(11a) 13.3MOHM @ 5.5A,10V 2.5V @ 1mA 21 NC @ 10 V 2150 pf @ 10 V - -
TPC8110(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8110(TE12L,Q,M) -
RFQ
ECAD 6368 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) TPC8110 MOSFET (金属 o化物) 8-SOP(5.5x6.0) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 40 V 8a(8a) 4V,10V 25mohm @ 4A,10V 2V @ 1mA 48 NC @ 10 V ±20V 2180 pf @ 10 V - 1W(ta)
TPC8208(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8208(TE12L,Q,M) -
RFQ
ECAD 2448 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) TPC8208 MOSFET (金属 o化物) 450MW 8-SOP(5.5x6.0) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 20V 5a 50mohm @ 2.5a,4V 1.2V @ 200µA 9.5nc @ 5V 780pf @ 10V 逻辑级别门
TPCA8003-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage tpca8003-h te12lqm -
RFQ
ECAD 4120 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn TPCA8003 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 35A(TA) 4.5V,10V 6.6mohm @ 18a,10v 2.3V @ 1mA 25 NC @ 10 V ±20V 1465 pf @ 10 V - 1.6W(ta),45W(tc)
TPCA8010-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage tpca8010-h(TE12LQM -
RFQ
ECAD 6650 0.00000000 东芝半导体和存储 π-MOSV 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn TPCA8010 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 200 v 5.5A(ta) 10V 450MOHM @ 2.7A,10V 4V @ 1mA 10 NC @ 10 V ±20V 600 pf @ 10 V - 1.6W(ta),45W(tc)
TPCA8011-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage tpca8011-h(TE12LQM -
RFQ
ECAD 5101 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii-H 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn TPCA8011 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 40a(ta) 2.5V,4.5V 3.5MOHM @ 20a,4.5V 1.3V @ 200µA 32 NC @ 5 V ±12V 2900 PF @ 10 V - 1.6W(ta),45W(tc)
TPCA8023-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage tpca8023-h(TE12LQM -
RFQ
ECAD 3367 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn TPCA8023 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 21a(21a) 4.5V,10V 12.9mohm @ 11a,10v 2.5V @ 1mA 21 NC @ 10 V ±20V 2150 pf @ 10 V - 1.6W(TA),30W(TC)
TPCA8031-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage tpca8031-h te12l,q -
RFQ
ECAD 8993 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSV-H 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn TPCA8031 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 24A(24A) 4.5V,10V 11mohm @ 12a,10v 2.5V @ 1mA 21 NC @ 10 V ±20V 2150 pf @ 10 V - 1.6W(TA),30W(TC)
TPCA8105(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8105(te12l,Q,m -
RFQ
ECAD 5105 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn TPCA8105 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 12 v 6a(6a) 1.8V,4.5V 33mohm @ 3A,4.5V 1.2V @ 200µA 18 nc @ 5 V ±8V 1600 PF @ 10 V - 1.6W(TA),20W(tc)
TPCA8A01-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8A01-H(TE12L,Q -
RFQ
ECAD 3926 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn TPCA8A01 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 36a(ta) 4.5V,10V 5.6mohm @ 18a,10v 2.3V @ 1mA 35 NC @ 10 V ±20V 1970 pf @ 10 V - 1.6W(ta),45W(tc)
TPCF8304(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8304 (TE85L,F,m -
RFQ
ECAD 5747 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 TPCF8304 MOSFET (金属 o化物) 330MW VS-8 (2.9x1.5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 2(p 通道(双) 30V 3.2a 72MOHM @ 1.6A,10V 1.2V @ 1mA 14NC @ 10V 600pf @ 10V 逻辑级别门
TPCP8001-H(TE85LFM Toshiba Semiconductor and Storage tpcp8001-h(TE85LFM -
RFQ
ECAD 4459 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 TPCP8001 MOSFET (金属 o化物) PS-8(2.9x2.4) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 7.2A(ta) 4.5V,10V 16mohm @ 3.6a,10v 2.3V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±20V 640 pf @ 10 V - 1W(TA),30W(TC)
TPCP8203(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8203(TE85L,F) -
RFQ
ECAD 5326 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 TPCP8203 MOSFET (金属 o化物) 360MW PS-8(2.9x2.4) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 40V 4.7a - 2.5V @ 1mA - - -
TK15A60U(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK15A60U sTA4,Q,m) -
RFQ
ECAD 1261 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosii 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK15A60 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 15A(TA) 10V 300MOHM @ 7.5A,10V 5V @ 1mA 17 NC @ 10 V ±30V 950 pf @ 10 V - 40W(TC)
TK20A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60U(Q,M) -
RFQ
ECAD 5107 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosii 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK20A60 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 20A(TA) 10V 190mohm @ 10a,10v 5V @ 1mA 27 NC @ 10 V ±30V 1470 pf @ 10 V - 45W(TC)
SSM6J501NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J501NU,LF 0.4900
RFQ
ECAD 123 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6J501 MOSFET (金属 o化物) 6-udfnb(2x2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 10a(10a) 1.5V,4.5V 15.3MOHM @ 4A,4.5V 1V @ 1mA 29.9 NC @ 4.5 V ±8V 2600 PF @ 10 V - 1W(ta)
SSM6N7002BFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU,LF -
RFQ
ECAD 3756 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SSM6N7002 MOSFET (金属 o化物) 300MW US6 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 60V 200mA 2.1ohm @ 500mA,10v 3.1V @ 250µA - 17pf @ 25V 逻辑级别门
RN1402,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402,LF 0.2200
RFQ
ECAD 1364 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 RN1402 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 50 @ 10mA,5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
SSM3K37CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37CT,L3F 0.2900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-101,SOT-883 SSM3K37 MOSFET (金属 o化物) CST3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 20 v 200ma(ta) 1.5V,4.5V 2.2OHM @ 100mA,4.5V 1V @ 1mA ±10V 12 pf @ 10 V - 100mW(TA)
SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J507NU,LF 0.4600
RFQ
ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6J507 MOSFET (金属 o化物) 6-udfnb(2x2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 10a(10a) 4V,10V 20mohm @ 4a,10v 2.2V @ 250µA 20.4 NC @ 4.5 V +20V,-25V 1150 pf @ 15 V - 1.25W(TA)
SSM3J35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CTC,L3F 0.3400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-101,SOT-883 SSM3J35 MOSFET (金属 o化物) CST3C 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 10,000 P通道 20 v 250mA(ta) 1.2V,4.5V 1.4OHM @ 150mA,4.5V 1V @ 100µA ±10V 42 pf @ 10 V - 500MW(TA)
SSM3K318R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318R,LF 0.4300
RFQ
ECAD 710 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3K318 MOSFET (金属 o化物) SOT-23F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 2.5a(ta) 4.5V,10V 107MOHM @ 2A,10V 2.8V @ 1mA 7 NC @ 10 V ±20V 235 pf @ 30 V - 1W(ta)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库