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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SD2406-y(f) | - | ![]() | 9090 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | 2SD2406 | 25 w | TO-220NIS | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 4 a | 30µA(ICBO) | NPN | 1.5V @ 300mA,3a | 120 @ 500mA,5V | 8MHz | |||||||||||||||||
2SK3309(Q) | - | ![]() | 9535 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3,短选项卡 | 2SK3309 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FL | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 450 v | 10a(10a) | 10V | 650MOHM @ 5A,10V | 5V @ 1mA | 23 NC @ 10 V | ±30V | 920 PF @ 10 V | - | 65W(TC) | ||||||||||||||
![]() | 2SK3309(TE24L,Q) | - | ![]() | 7505 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 2SK3309 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220SM | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 450 v | 10a(10a) | 10V | 650MOHM @ 5A,10V | 5V @ 1mA | 23 NC @ 10 V | ±30V | 920 PF @ 10 V | - | 65W(TC) | |||||||||||||
![]() | TK12A60U(Q,M) | - | ![]() | 2935 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | dtmosii | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK12A60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 12a(12a) | 10V | 400mohm @ 6a,10v | 5V @ 1mA | 14 NC @ 10 V | ±30V | 720 PF @ 10 V | - | 35W(TC) | ||||||||||||
![]() | TK20J60U(f) | - | ![]() | 2851 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | dtmosii | 托盘 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | TK20J60 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p n(n) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 20A(TA) | 10V | 190mohm @ 10a,10v | 5V @ 1mA | 27 NC @ 10 V | ±30V | 1470 pf @ 10 V | - | 190w(TC) | ||||||||||||
![]() | TK70D06J1(Q) | - | ![]() | 8209 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TK70 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220(W) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 60 V | 70a(ta) | 4.5V,10V | 6.4MOHM @ 35A,10V | 2.3V @ 1mA | 87 NC @ 10 V | ±20V | 5450 pf @ 10 V | - | 45W(TC) | |||||||||||||
![]() | TPC6107(TE85L,F,M) | - | ![]() | 1647年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosiv | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | TPC6107 | MOSFET (金属 o化物) | VS-6(2.9x2.8) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 4.5A(ta) | 2V,4.5V | 55mohm @ 2.2a,4.5V | 1.2V @ 200µA | 9.8 NC @ 5 V | ±12V | 680 pf @ 10 V | - | 700MW(TA) | |||||||||||||
![]() | TPC6901(TE85L,F,M) | - | ![]() | 6955 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | TPC6901 | 400MW | VS-6(2.9x2.8) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 1A,700mA | 100NA(ICBO) | NPN,PNP | 170mv @ 6mA,300mA / 230mv @ 10mA,300mA | 400 @ 100mA,2v / 200 @ 100mA,2v | - | ||||||||||||||||
![]() | TPC8031-H (TE12LQM) | - | ![]() | 5858 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) | TPC8031 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOP(5.5x6.0) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 11a(11a) | 13.3MOHM @ 5.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 21 NC @ 10 V | 2150 pf @ 10 V | - | - | |||||||||||||||
![]() | TPC8110(TE12L,Q,M) | - | ![]() | 6368 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosiii | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) | TPC8110 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOP(5.5x6.0) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 40 V | 8a(8a) | 4V,10V | 25mohm @ 4A,10V | 2V @ 1mA | 48 NC @ 10 V | ±20V | 2180 pf @ 10 V | - | 1W(ta) | |||||||||||||
![]() | TPC8208(TE12L,Q,M) | - | ![]() | 2448 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) | TPC8208 | MOSFET (金属 o化物) | 450MW | 8-SOP(5.5x6.0) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 20V | 5a | 50mohm @ 2.5a,4V | 1.2V @ 200µA | 9.5nc @ 5V | 780pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||
![]() | tpca8003-h te12lqm | - | ![]() | 4120 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | TPCA8003 | MOSFET (金属 o化物) | 8(5x5) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 35A(TA) | 4.5V,10V | 6.6mohm @ 18a,10v | 2.3V @ 1mA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 1465 pf @ 10 V | - | 1.6W(ta),45W(tc) | |||||||||||||
![]() | tpca8010-h(TE12LQM | - | ![]() | 6650 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-MOSV | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | TPCA8010 | MOSFET (金属 o化物) | 8(5x5) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 200 v | 5.5A(ta) | 10V | 450MOHM @ 2.7A,10V | 4V @ 1mA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 600 pf @ 10 V | - | 1.6W(ta),45W(tc) | |||||||||||||
![]() | tpca8011-h(TE12LQM | - | ![]() | 5101 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosiii-H | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | TPCA8011 | MOSFET (金属 o化物) | 8(5x5) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 40a(ta) | 2.5V,4.5V | 3.5MOHM @ 20a,4.5V | 1.3V @ 200µA | 32 NC @ 5 V | ±12V | 2900 PF @ 10 V | - | 1.6W(ta),45W(tc) | |||||||||||||
![]() | tpca8023-h(TE12LQM | - | ![]() | 3367 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | TPCA8023 | MOSFET (金属 o化物) | 8(5x5) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 21a(21a) | 4.5V,10V | 12.9mohm @ 11a,10v | 2.5V @ 1mA | 21 NC @ 10 V | ±20V | 2150 pf @ 10 V | - | 1.6W(TA),30W(TC) | |||||||||||||
![]() | tpca8031-h te12l,q | - | ![]() | 8993 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-MOSV-H | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | TPCA8031 | MOSFET (金属 o化物) | 8(5x5) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 24A(24A) | 4.5V,10V | 11mohm @ 12a,10v | 2.5V @ 1mA | 21 NC @ 10 V | ±20V | 2150 pf @ 10 V | - | 1.6W(TA),30W(TC) | |||||||||||||
![]() | TPCA8105(te12l,Q,m | - | ![]() | 5105 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | TPCA8105 | MOSFET (金属 o化物) | 8(5x5) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 6a(6a) | 1.8V,4.5V | 33mohm @ 3A,4.5V | 1.2V @ 200µA | 18 nc @ 5 V | ±8V | 1600 PF @ 10 V | - | 1.6W(TA),20W(tc) | |||||||||||||
![]() | TPCA8A01-H(TE12L,Q | - | ![]() | 3926 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | TPCA8A01 | MOSFET (金属 o化物) | 8(5x5) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 36a(ta) | 4.5V,10V | 5.6mohm @ 18a,10v | 2.3V @ 1mA | 35 NC @ 10 V | ±20V | 1970 pf @ 10 V | - | 1.6W(ta),45W(tc) | |||||||||||||
![]() | TPCF8304 (TE85L,F,m | - | ![]() | 5747 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | TPCF8304 | MOSFET (金属 o化物) | 330MW | VS-8 (2.9x1.5) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 2(p 通道(双) | 30V | 3.2a | 72MOHM @ 1.6A,10V | 1.2V @ 1mA | 14NC @ 10V | 600pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||
![]() | tpcp8001-h(TE85LFM | - | ![]() | 4459 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosiii | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | TPCP8001 | MOSFET (金属 o化物) | PS-8(2.9x2.4) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 7.2A(ta) | 4.5V,10V | 16mohm @ 3.6a,10v | 2.3V @ 1mA | 11 NC @ 10 V | ±20V | 640 pf @ 10 V | - | 1W(TA),30W(TC) | |||||||||||||
![]() | TPCP8203(TE85L,F) | - | ![]() | 5326 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | TPCP8203 | MOSFET (金属 o化物) | 360MW | PS-8(2.9x2.4) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 40V | 4.7a | - | 2.5V @ 1mA | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | TK15A60U sTA4,Q,m) | - | ![]() | 1261 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | dtmosii | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK15A60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 15A(TA) | 10V | 300MOHM @ 7.5A,10V | 5V @ 1mA | 17 NC @ 10 V | ±30V | 950 pf @ 10 V | - | 40W(TC) | ||||||||||||
![]() | TK20A60U(Q,M) | - | ![]() | 5107 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | dtmosii | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK20A60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 20A(TA) | 10V | 190mohm @ 10a,10v | 5V @ 1mA | 27 NC @ 10 V | ±30V | 1470 pf @ 10 V | - | 45W(TC) | ||||||||||||
![]() | SSM6J501NU,LF | 0.4900 | ![]() | 123 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvi | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | SSM6J501 | MOSFET (金属 o化物) | 6-udfnb(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 10a(10a) | 1.5V,4.5V | 15.3MOHM @ 4A,4.5V | 1V @ 1mA | 29.9 NC @ 4.5 V | ±8V | 2600 PF @ 10 V | - | 1W(ta) | ||||||||||||
![]() | SSM6N7002BFU,LF | - | ![]() | 3756 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SSM6N7002 | MOSFET (金属 o化物) | 300MW | US6 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 60V | 200mA | 2.1ohm @ 500mA,10v | 3.1V @ 250µA | - | 17pf @ 25V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||
![]() | RN1402,LF | 0.2200 | ![]() | 1364 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | RN1402 | 200兆 | S-Mini | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 50 @ 10mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||
![]() | SSM3K37CT,L3F | 0.2900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosiii | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | SSM3K37 | MOSFET (金属 o化物) | CST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n通道 | 20 v | 200ma(ta) | 1.5V,4.5V | 2.2OHM @ 100mA,4.5V | 1V @ 1mA | ±10V | 12 pf @ 10 V | - | 100mW(TA) | |||||||||||||
![]() | SSM6J507NU,LF | 0.4600 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvi | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | SSM6J507 | MOSFET (金属 o化物) | 6-udfnb(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 10a(10a) | 4V,10V | 20mohm @ 4a,10v | 2.2V @ 250µA | 20.4 NC @ 4.5 V | +20V,-25V | 1150 pf @ 15 V | - | 1.25W(TA) | ||||||||||||
![]() | SSM3J35CTC,L3F | 0.3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvii | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | SSM3J35 | MOSFET (金属 o化物) | CST3C | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | P通道 | 20 v | 250mA(ta) | 1.2V,4.5V | 1.4OHM @ 150mA,4.5V | 1V @ 100µA | ±10V | 42 pf @ 10 V | - | 500MW(TA) | |||||||||||||
![]() | SSM3K318R,LF | 0.4300 | ![]() | 710 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosiv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-3平线 | SSM3K318 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 2.5a(ta) | 4.5V,10V | 107MOHM @ 2A,10V | 2.8V @ 1mA | 7 NC @ 10 V | ±20V | 235 pf @ 30 V | - | 1W(ta) |
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