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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
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TK5A60D（sta4，Q，m）	1.5700	RFQ	3980	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK5A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	5A（5A）	10V	1.43OHM @ 2.5A，10V	4.4V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	35W（TC）
2SA1020-O te6，F，M）	-	RFQ	3483	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1													50 V	2 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
RN1511（TE85L，F）	0.4700	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-74A，SOT-753	RN1511		300MW	SMV	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	100NA（ICBO）	2（NPN- 预偏（双重）（）（）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz	10KOHMS	-
TK5R3E08QM，S1X	1.5800	RFQ	98	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	80 V	120A（TC）	6V，10V	5.3MOHM @ 50a，10V	3.5V @ 700µA	55 NC @ 10 V	±20V	3980 pf @ 40 V	-	150W（TC）
TK11P65W，RQ	1.7300	RFQ	2	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK11P65	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	650 v	11.1a（ta）	10V	440MOHM @ 5.5A，10V	3.5V @ 450µA	25 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 300 V	-	100W（TC）
TK13E25D，S1X（s	2.2900	RFQ	4902	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK13E25	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	13A（TA）	10V	250mohm @ 6.5a，10v	3.5V @ 1mA	25 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	102W（TC）
SSM6J505NU，LF	0.5100	RFQ	19	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6J505	MOSFET （金属 o化物）		6-udfnb（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	12a（12a）	1.2V，4.5V	12MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	37.6 NC @ 4.5 V	±6V	2700 PF @ 10 V	-	1.25W（TA）
TK16E60W5，S1VX	3.1200	RFQ	9278	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK16E60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	15.8A（TA）	10V	230MOHM @ 7.9A，10V	4.5V @ 790µA	43 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 300 V	-	130W（TC）
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2SA2154CT-gr，L3F	0.3200	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	2SA2154		100兆	CST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000													50 V	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
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2SJ438（Cano，A，Q）	-	RFQ	6374	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通过洞	TO-220-3完整包	2SJ438			TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1				5A（TJ）
SSM3K37CT，L3F	0.2900	RFQ	3	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	SSM3K37	MOSFET （金属 o化物）		CST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	20 v	200ma（ta）	1.5V，4.5V	2.2OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 1mA		±10V	12 pf @ 10 V	-	100mW（TA）
SSM6N815R，LF	0.4500	RFQ	5	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6N815	MOSFET （金属 o化物）	1.8W（TA）	6-TSOP-F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		100V	2A（TA）		103mohm @ 2a，10v	2.5V @ 100µA	3.1nc @ 4.5V		290pf @ 15V	逻辑水平门，4V驱动器
SSM6N44FE，LM	0.4300	RFQ	111	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6N44	MOSFET （金属 o化物）	150MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000	2 n 通道（双）		30V	100mA		4ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	-		8.5pf @ 3V	逻辑级别门
TK100E08N1，S1X	3.9800	RFQ	7657	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK100E08	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	80 V	100A（TA）	10V	3.2MOHM @ 50a，10v	4V @ 1mA	130 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 40 V	-	255W（TC）
TJ60S04M3L，LXHQ	1.4100	RFQ	3162	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TJ60S04	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	60a（ta）	6V，10V	6.3mohm @ 30a，10v	3V @ 1mA	125 NC @ 10 V	+10V，-20V	6510 PF @ 10 V	-	90W（TC）
TK4P60DB（T6RSS-Q）	-	RFQ	1320	东芝半导体和存储	π-mosvii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK4P60	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	TK4P60DBT6RSQ	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	3.7a（ta）	10V	2ohm @ 1.9a，10v	4.4V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±30V	540 pf @ 25 V	-	80W（TC）
2SK3342（TE16L1，NQ）	-	RFQ	3368	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SK3342	MOSFET （金属 o化物）		PW-MOLD	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	250 v	4.5A（ta）	10V	1欧姆 @ 2.5A，10V	3.5V @ 1mA	10 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 10 V	-	20W（TC）
TK3R1P04PL，RQ	1.1600	RFQ	14	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK3R1P04	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	58A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 29A，10V	2.4V @ 500µA	60 NC @ 10 V	±20V	4670 pf @ 20 V	-	87W（TC）
TK290P65Y，RQ	1.9500	RFQ	7937	东芝半导体和存储	DTMOSV	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK290P65	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	650 v	11.5A（TC）	10V	290MOHM @ 5.8A，10V	4V @ 450µA	25 NC @ 10 V	±30V	730 PF @ 300 V	-	100W（TC）
TK17N65W，S1F	3.8600	RFQ	7047	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TK17N65	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	17.3a（ta）	10V	200mohm @ 8.7a，10v	3.5V @ 900µA	45 NC @ 10 V	±30V	1800 PF @ 300 V	-	165W（TC）
RN1909 （T5L，F，T）	0.3400	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1909		200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250MHz	47kohms	22KOHMS
2SJ668（TE16L1，NQ）	-	RFQ	3389	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SJ668	MOSFET （金属 o化物）		PW-MOLD	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SJ668（TE16L1NQ）	Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	5A（5A）	4V，10V	170MOHM @ 2.5A，10V	2V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 10 V	-	20W（TC）
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TPN2R503NC，L1Q	-	RFQ	1432	东芝半导体和存储	U-Mosviii	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN2R503	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	40a（ta）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 500µA	40 NC @ 10 V	±20V	2230 pf @ 15 V	-	700MW（TA），35W （TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²