SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
TPCA8026(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8026 (TE12L,Q,m 1.8800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn TPCA8026 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 45A(TA) 4.5V,10V 2.2MOHM @ 23A,10V 2.5V @ 1mA 113 NC @ 10 V ±20V 4200 PF @ 10 V - 1.6W(ta),45W(tc)
TPCA8051-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8051-H (T2L1,VM -
RFQ
ECAD 9874 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn TPCA8051 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 80 V 28a(28a) 4.5V,10V 9.4mohm @ 14a,10v 2.3V @ 1mA 91 NC @ 10 V ±20V 7540 pf @ 10 V - 1.6W(ta),45W(tc)
TK8A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A45DA (STA4,Q,m) 1.6400
RFQ
ECAD 6704 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 - 通过洞 TO-220-3完整包 TK8A45 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 450 v 7.5A(TC) - - - -
TK8A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A55DA (STA4,Q,m) 1.7700
RFQ
ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK8A55 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 550 v 7.5A(ta) 10V 1.07OHM @ 3.8A,10V 4V @ 1mA 16 NC @ 10 V ±30V 800 pf @ 25 V - 40W(TC)
TK9A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK9A60D(sta4,Q,m) 2.0200
RFQ
ECAD 49 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK9A60 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 9a(9a) 10V 830MOHM @ 4.5A,10V 4V @ 1mA 24 NC @ 10 V ±30V 1200 pf @ 25 V - 45W(TC)
TPC8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8065-H,LQ s -
RFQ
ECAD 6115 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TPC8065 MOSFET (金属 o化物) 8-sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 13A(TA) 4.5V,10V 11.6mohm @ 6.5a,10v 2.3V @ 200µA 20 nc @ 10 V ±20V 1350 pf @ 10 V - 1W(ta)
TPC8067-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8067-H,LQ(s -
RFQ
ECAD 9337 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TPC8067 MOSFET (金属 o化物) 8-sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 9a(9a) 4.5V,10V 25mohm @ 4.5A,10V 2.3V @ 100µA 9.5 NC @ 10 V ±20V 690 pf @ 10 V - 1W(ta)
TPC8129,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage tpc8129,lq(s 0.5600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TPC8129 MOSFET (金属 o化物) 8-sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 9a(9a) 4.5V,10V 22mohm @ 4.5A,10V 2V @ 200µA 39 NC @ 10 V +20V,-25V 1650 pf @ 10 V - 1W(ta)
TPC8408,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage tpc8408,lq(s 0.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TPC8408 MOSFET (金属 o化物) 450MW 8-sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 2,500 n和p通道 40V 6.1a,5.3a 32MOHM @ 3.1A,10V 2.3V @ 100µA 24NC @ 10V 850pf @ 10V 逻辑级别门
TPCA8055-H,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8055-H,LQ (M -
RFQ
ECAD 2518 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn TPCA8055 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 56a(ta) 4.5V,10V 1.9mohm @ 28a,10v 2.3V @ 1mA 91 NC @ 10 V ±20V 7700 PF @ 10 V - 1.6W(ta),70W(70W)TC)
TPCA8057-H,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8057-H,LQ (M -
RFQ
ECAD 1274 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn TPCA8057 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 42a(ta) 4.5V,10V 2.6mohm @ 21a,10v 2.3V @ 500µA 61 NC @ 10 V ±20V 5200 PF @ 10 V - 1.6W(TA),57W(tc)
TPCA8064-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8064-H,LQ(CM -
RFQ
ECAD 1484 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn TPCA8064 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 20A(TA) 4.5V,10V 8.2MOHM @ 10a,10v 2.3V @ 200µA 23 NC @ 10 V ±20V 1900 pf @ 10 V - 1.6W(TA),32W((ta)
TPCA8120,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8120,LQ(厘米 -
RFQ
ECAD 9207 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn TPCA8120 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 45A(TA) 4.5V,10V 3mohm @ 22.5a,10v 2V @ 1mA 190 NC @ 10 V +20V,-25V 7420 PF @ 10 V - 1.6W(ta),45W(tc)
TPCA8128,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage tpca8128,lq(cm -
RFQ
ECAD 6650 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn TPCA8128 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 34A(ta) 4.5V,10V 4.8mohm @ 17a,10v 2V @ 500µA 115 NC @ 10 V +20V,-25V 4800 pf @ 10 V - 1.6W(ta),45W(tc)
TPCC8066-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8066-H,LQ(s -
RFQ
ECAD 6818 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn TPCC8066 MOSFET (金属 o化物) 8-tson Advance(3.1x3.1) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 11a(11a) 4.5V,10V 15mohm @ 5.5a,10v 2.3V @ 100µA 15 NC @ 10 V ±20V 1100 pf @ 10 V - 700MW(TA),17W(17W)TC)
TPCC8067-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8067-H,LQ s -
RFQ
ECAD 6291 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn TPCC8067 MOSFET (金属 o化物) 8-tson Advance(3.1x3.1) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 9a(9a) 4.5V,10V 25mohm @ 4.5A,10V 2.3V @ 100µA 9.5 NC @ 10 V ±20V 690 pf @ 10 V - 700MW(TA),15W(((((((((((
TTC008(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTC008 Q(Q) 0.8400
RFQ
ECAD 6705 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA TTC008 1.1 w PW-mold2 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TTC008Q Ear99 8541.29.0095 200 285 v 1.5 a 10µA(ICBO) NPN 1V @ 62.5mA,500mA 80 @ 1mA,5V -
TJ15S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L (T6L1,NQ 1.3300
RFQ
ECAD 2224 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 TJ15S06 MOSFET (金属 o化物) DPAK+ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 60 V 15A(TA) 6V,10V 50MOHM @ 7.5A,10V 3V @ 1mA 36 NC @ 10 V +10V,-20V 1770 pf @ 10 V - 41W(TC)
TJ40S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ40S04M3L (T6L1,NQ 1.7200
RFQ
ECAD 1939年 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 TJ40S04 MOSFET (金属 o化物) DPAK+ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 40 V 40a(ta) 6V,10V 9.1mohm @ 20a,10v 3V @ 1mA 83 NC @ 10 V +10V,-20V 4140 pf @ 10 V - 68W(TC)
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ50S06M3L (T6L1,NQ 1.9400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 TJ50S06 MOSFET (金属 o化物) DPAK+ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 60 V 50a(ta) 6V,10V 13.8mohm @ 25a,10v 3V @ 1mA 124 NC @ 10 V +10V,-20V 6290 pf @ 10 V - 90W(TC)
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L (T6L1,NQ 1.2600
RFQ
ECAD 5815 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 TJ80S04 MOSFET (金属 o化物) DPAK+ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 40 V 80a(ta) 6V,10V 5.2MOHM @ 40a,10v 3V @ 1mA 158 NC @ 10 V +10V,-20V 7770 pf @ 10 V - 100W(TC)
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L (T6L1,NQ) 1.2600
RFQ
ECAD 9068 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 TJ8S06 MOSFET (金属 o化物) DPAK+ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 60 V 8a(8a) 6V,10V 104mohm @ 4A,10V 3V @ 1mA 19 nc @ 10 V +10V,-20V 890 pf @ 10 V - 27W(TC)
TK12A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60D(sta4,Q,m) 3.0200
RFQ
ECAD 45 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK12A60 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 12a(12a) 10V 550MOHM @ 6A,10V 4V @ 1mA 38 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 25 V - 45W(TC)
TK13A50DA(STA4,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage tk13a50da sta4,q,m 2.7100
RFQ
ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK13A50 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 12.5A(TA) 10V 470MOHM @ 6.3a,10V 4V @ 1mA 28 NC @ 10 V ±30V 1550 pf @ 25 V - 45W(TC)
TK13A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A50D(sta4,Q,m) 3.0300
RFQ
ECAD 7833 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK13A50 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 13A(TA) 10V 400mohm @ 6.5a,10v 4V @ 1mA 38 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 25 V - 45W(TC)
TK18A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK18A50D(sta4,Q,m) 3.5200
RFQ
ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK18A50 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 18A(18A) 10V 270MOHM @ 9A,10V 4V @ 1mA 45 NC @ 10 V ±30V 2600 PF @ 25 V - 50W(TC)
TK18E10K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK18E10K3,S1X(s -
RFQ
ECAD 1444 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 TK18E10 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 18A(18A) 42MOHM @ 9A,10V - 33 NC @ 10 V - -
TK20S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20S06K3L (T6L1,NQ -
RFQ
ECAD 3491 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 TK20S06 MOSFET (金属 o化物) DPAK+ 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 60 V 20A(TA) 6V,10V 29mohm @ 10a,10v 3V @ 1mA 18 nc @ 10 V ±20V 780 pf @ 10 V - 38W(TC)
TK35E10K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK35E10K3 (S1SS-Q) -
RFQ
ECAD 8927 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 - 通过洞 TO-220-3 TK35E10 - TO-220 - Rohs符合条件 (1 (无限) TK35E10K3S1SSQ Ear99 8541.29.0095 50 - - - - - -
TK40E10K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK40E10K3,S1X(s -
RFQ
ECAD 9070 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 管子 过时的 - 通过洞 TO-220-3 TK40E10 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 40a(ta) 15mohm @ 20a,10v 4V @ 1mA 84 NC @ 10 V 4000 pf @ 10 V - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库