晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
SSM6N57NU，LF	0.4900	询价	106	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6N57		MOSFET（金属O化物）	1W	6μDFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			30V	4A		46毫欧@2A，4.5V	1V@1mA	4nC@4.5V		310pF@10V	-
SSM3K361R，LF	0.5100	询价	128	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3K361		MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	3.5A（塔）	4.5V、10V	69毫欧@2A，10V	2.5V@100μA	3.2nC@4.5V	±20V	15V时为430pF	-	1.2W（塔）
TK12P60W,RVQ	1.0490	询价	4795	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK12P60		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		600伏	11.5A（塔）	10V	340毫欧@5.8A，10V	3.7V@600μA	25nC@10V	±30V	890 pF @ 300 V	-	100W（温度）
RN1415,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1415			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安						500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	10欧姆
RN1418,LXHF	0.0645	询价	9319	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1418			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安						500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	10欧姆
RN1407,LF	0.1900	询价	904	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1407			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安						500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	47欧姆
SSM6J808R,LXHF	0.7700	询价	4	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6J808		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP-F	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		40V	7A（塔）	4V、10V	35毫欧@2.5A，10V	2V@100μA	10V时为24.2nC	+10V，-20V	10V时为1020pF	-	1.5W（塔）
RN4907,LXHF(CT	0.4400	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4907			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安						500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	10k欧姆	47k欧姆
TJ80S04M3L(T6L1,NQ	1.2600	询价	5815	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ80S04		MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道		40V	80A（塔）	6V、10V	5.2毫欧@40A，10V	3V@1mA	158nC@10V	+10V，-20V	7770pF@10V	-	100W（温度）
TK380P60Y,RQ	1.6900	询价	7	东芝半导体和存储	DTMOSV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK380P60		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		600伏	9.7A（温度）	10V	380毫欧@4.9A，10V	4V@360μA	20nC@10V	±30V	590 pF @ 300 V	-	30W（温度）
HN1B01FU-Y,LXHF	0.3700	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1B01			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	150毫安						100nA（ICBO）	NPN、PNP	300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA	120@2mA，6V	120兆赫、150兆赫
SSM3K16FU,LF	0.3000	询价	23	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	SSM3K16		MOSFET（金属O化物）		USM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		20V	100mA（塔）	1.5V、4V	3欧姆@10mA，4V	1.1V@100μA		±10V	9.3pF@3V	-	150毫W（塔）
GT20N135SRA,S1E	3.2800	询价	3	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		312W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	30			300V，40A，39欧姆，15V											-	1350伏	40A	80A	2.4V@15V，40A	-, 700μJ（关闭）	185nC	-
TK110N65Z,S1F	5.8800	询价	6715	东芝半导体和存储	DTMOSVI	管子	的积极	150℃	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		650伏	24A（塔）	10V	110毫欧@12A，10V	4V@1.02mA	40nC@10V	±30V	2250 pF @ 300 V	-	190W（温度）
RN1109,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1109			100毫W	SSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安						500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	22欧姆
TPH2R003PL,LQ	0.9100	询价	12	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH2R003		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	100A（温度）	4.5V、10V	2mOhm@50A，10V	2.1V@500μA	86nC@10V	±20V	6410pF@15V	-	830mW（Ta）、116W（Tc）
RN2103MFV,L3XHF(CT	0.3400	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2103			150毫W	VESM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	8,000															50V	100毫安						500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	22欧姆
TPH1R712MD,L1Q	1.4900	询价	13	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH1R712		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		P沟道		20V	60A（温度）	2.5V、4.5V	1.7毫欧@30A，4.5V	1.2V@1mA	182nC@5V	±12V	10V时为10900pF	-	78W（温度）
SSM3K15CT(TPL3)	-	询价	8514	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K15		MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道		30V	100mA（塔）	2.5V、4V	4欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	7.8pF@3V	-	100毫W（塔）
SSM6J422TU，LF	0.3700	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6J422		MOSFET（金属O化物）		六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		20V	4A（塔）	1.5V、4.5V	42.7毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	12.8nC@4.5V	+6V、-8V	10V时为840pF	-	1W（塔）
2SC2235-Y(T6FJT,FM	-	询价	6913	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1															120V	800毫安						100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
SSM6K810R,LXHF	0.7000	询价	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6K810		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP-F	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		100伏	3.5A（塔）	4.5V、10V	69毫欧@2A，10V	2.5V@100μA	3.2nC@4.5V	±20V	15V时为430pF	-	1.5W（塔）
TPCA8025(TE12L,Q,M	-	询价	1087	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8025		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	40A（塔）	4.5V、10V	3.5毫欧@20A，10V	2.5V@1mA	49nC@10V	±20V	2200pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
XPN12006NC,L1XHQ	1.2300	询价	10	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55℃～175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	XPN12006		MOSFET（金属O化物）		8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		60V	20A	4.5V、10V	12毫欧@10A，10V	2.5V@200μA	23nC@10V	±20V	1100pF@10V		65W（温度）
SSM6K407TU，LF	0.4900	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6K407		MOSFET（金属O化物）		六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		60V	2A（塔）	4V、10V	300mOhm@1A，10V	2V@1mA	6nC@10V	±20V	150pF@10V	-	500毫W（塔）
TK065Z65Z,S1F	7.8900	询价	4529	东芝半导体和存储	DTMOSVI	管子	的积极	150℃	通孔	TO-247-4			MOSFET（金属O化物）		TO-247-4L(T)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	25		N沟道		650伏	38A（塔）	10V	65毫欧@19A，10V	4V@1.69mA	62nC@10V	±30V	3650 pF @ 300 V	-	270W（温度）
RN2907(T5L,F,T)	-	询价	第1143章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2907			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安						100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
TTC1949-Y,LF	0.3100	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TTC1949			200毫W	S-迷你型	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	500毫安						100nA（ICBO）	NPN	400毫伏@50毫安，500毫安	120@100mA，1V	100兆赫兹
RN4901FE,LF(CT	0.2400	询价	350	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4901			100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	4,000															50V	100毫安						500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
RN1507(TE85L,F)	0.3500	询价	17号	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74A、SOT-753	RN1507			300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安						100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	47k欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²