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---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TPCA8026 (TE12L,Q,m | 1.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosiv | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | TPCA8026 | MOSFET (金属 o化物) | 8(5x5) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 45A(TA) | 4.5V,10V | 2.2MOHM @ 23A,10V | 2.5V @ 1mA | 113 NC @ 10 V | ±20V | 4200 PF @ 10 V | - | 1.6W(ta),45W(tc) | |||||||||||
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![]() | TK9A60D(sta4,Q,m) | 2.0200 | ![]() | 49 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK9A60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 9a(9a) | 10V | 830MOHM @ 4.5A,10V | 4V @ 1mA | 24 NC @ 10 V | ±30V | 1200 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | |||||||||||
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![]() | TPC8067-H,LQ(s | - | ![]() | 9337 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvii-H | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TPC8067 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 9a(9a) | 4.5V,10V | 25mohm @ 4.5A,10V | 2.3V @ 100µA | 9.5 NC @ 10 V | ±20V | 690 pf @ 10 V | - | 1W(ta) | |||||||||||
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![]() | TPCA8055-H,LQ (M | - | ![]() | 2518 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvii-H | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | TPCA8055 | MOSFET (金属 o化物) | 8(5x5) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 56a(ta) | 4.5V,10V | 1.9mohm @ 28a,10v | 2.3V @ 1mA | 91 NC @ 10 V | ±20V | 7700 PF @ 10 V | - | 1.6W(ta),70W(70W)TC) | |||||||||||
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![]() | tpca8128,lq(cm | - | ![]() | 6650 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvi | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | TPCA8128 | MOSFET (金属 o化物) | 8(5x5) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 34A(ta) | 4.5V,10V | 4.8mohm @ 17a,10v | 2V @ 500µA | 115 NC @ 10 V | +20V,-25V | 4800 pf @ 10 V | - | 1.6W(ta),45W(tc) | |||||||||||
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![]() | TPCC8067-H,LQ s | - | ![]() | 6291 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvii-H | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | TPCC8067 | MOSFET (金属 o化物) | 8-tson Advance(3.1x3.1) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 9a(9a) | 4.5V,10V | 25mohm @ 4.5A,10V | 2.3V @ 100µA | 9.5 NC @ 10 V | ±20V | 690 pf @ 10 V | - | 700MW(TA),15W((((((((((( | |||||||||||
![]() | TTC008 Q(Q) | 0.8400 | ![]() | 6705 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | TTC008 | 1.1 w | PW-mold2 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | TTC008Q | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 285 v | 1.5 a | 10µA(ICBO) | NPN | 1V @ 62.5mA,500mA | 80 @ 1mA,5V | - | ||||||||||||||
![]() | TJ15S06M3L (T6L1,NQ | 1.3300 | ![]() | 2224 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvi | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | TJ15S06 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK+ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P通道 | 60 V | 15A(TA) | 6V,10V | 50MOHM @ 7.5A,10V | 3V @ 1mA | 36 NC @ 10 V | +10V,-20V | 1770 pf @ 10 V | - | 41W(TC) | |||||||||||
![]() | TJ40S04M3L (T6L1,NQ | 1.7200 | ![]() | 1939年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvi | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | TJ40S04 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK+ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P通道 | 40 V | 40a(ta) | 6V,10V | 9.1mohm @ 20a,10v | 3V @ 1mA | 83 NC @ 10 V | +10V,-20V | 4140 pf @ 10 V | - | 68W(TC) | |||||||||||
![]() | TJ50S06M3L (T6L1,NQ | 1.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvi | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | TJ50S06 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK+ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P通道 | 60 V | 50a(ta) | 6V,10V | 13.8mohm @ 25a,10v | 3V @ 1mA | 124 NC @ 10 V | +10V,-20V | 6290 pf @ 10 V | - | 90W(TC) | |||||||||||
![]() | TJ80S04M3L (T6L1,NQ | 1.2600 | ![]() | 5815 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvi | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | TJ80S04 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK+ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P通道 | 40 V | 80a(ta) | 6V,10V | 5.2MOHM @ 40a,10v | 3V @ 1mA | 158 NC @ 10 V | +10V,-20V | 7770 pf @ 10 V | - | 100W(TC) | |||||||||||
![]() | TJ8S06M3L (T6L1,NQ) | 1.2600 | ![]() | 9068 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvi | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | TJ8S06 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK+ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P通道 | 60 V | 8a(8a) | 6V,10V | 104mohm @ 4A,10V | 3V @ 1mA | 19 nc @ 10 V | +10V,-20V | 890 pf @ 10 V | - | 27W(TC) | |||||||||||
![]() | TK12A60D(sta4,Q,m) | 3.0200 | ![]() | 45 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK12A60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 12a(12a) | 10V | 550MOHM @ 6A,10V | 4V @ 1mA | 38 NC @ 10 V | ±30V | 1800 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | |||||||||||
![]() | tk13a50da sta4,q,m | 2.7100 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK13A50 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 12.5A(TA) | 10V | 470MOHM @ 6.3a,10V | 4V @ 1mA | 28 NC @ 10 V | ±30V | 1550 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | |||||||||||
![]() | TK13A50D(sta4,Q,m) | 3.0300 | ![]() | 7833 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK13A50 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 13A(TA) | 10V | 400mohm @ 6.5a,10v | 4V @ 1mA | 38 NC @ 10 V | ±30V | 1800 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | |||||||||||
![]() | TK18A50D(sta4,Q,m) | 3.5200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK18A50 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 18A(18A) | 10V | 270MOHM @ 9A,10V | 4V @ 1mA | 45 NC @ 10 V | ±30V | 2600 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | |||||||||||
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![]() | TK20S06K3L (T6L1,NQ | - | ![]() | 3491 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosiv | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | TK20S06 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK+ | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 60 V | 20A(TA) | 6V,10V | 29mohm @ 10a,10v | 3V @ 1mA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 780 pf @ 10 V | - | 38W(TC) | |||||||||||
![]() | TK35E10K3 (S1SS-Q) | - | ![]() | 8927 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-220-3 | TK35E10 | - | TO-220 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | TK35E10K3S1SSQ | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | TK40E10K3,S1X(s | - | ![]() | 9070 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosiv | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-220-3 | TK40E10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 40a(ta) | 15mohm @ 20a,10v | 4V @ 1mA | 84 NC @ 10 V | 4000 pf @ 10 V | - | - |
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