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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
SSM3K17FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K17FU，LF 0.3300
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 东芝半导体和存储 π-MOSV 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 SSM3K17 MOSFET （金属 o化物） USM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 50 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 20ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 1µA ±7V 7 pf @ 3 V - 150MW（TA）
SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 318 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3J356 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 60 V 2A（TA） 4V，10V 300MOHM @ 1A，10V 2V @ 1mA 8.3 NC @ 10 V +10V，-20V 330 pf @ 10 V - 1W（ta）
SSM6J512NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J512NU，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6J512 MOSFET （金属 o化物） 6-udfnb（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 12 v 10a（10a） 1.8V，8V 16.2MOHM @ 4A，8V 1V @ 1mA 19.5 NC @ 4.5 V ±10V 1400 pf @ 6 V - 1.25W（TA）
SSM3K72CFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72CFS，LF 0.2000
RFQ
 ECAD 133 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-75，SOT-416 SSM3K72 MOSFET （金属 o化物） SSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 170mA（TA） 4.5V，10V 3.9ohm @ 100mA，10v 2.1V @ 250µA 0.35 NC @ 4.5 V ±20V 17 pf @ 10 V - 150MW（TA）
SSM3K7002KF,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KF，LF 0.3300
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3K7002 MOSFET （金属 o化物） S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 400mA（TA） 4.5V，10V 1.5OHM @ 100mA，10V 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 V ±20V 40 pf @ 10 V - 270MW（TA）
SSM6J511NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J511NU，LF 0.5000
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6J511 MOSFET （金属 o化物） 6-udfnb（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 12 v 14A（TA） 9.1MOHM @ 4A，8V 1V @ 1mA 47 NC @ 4.5 V 3350 pf @ 6 V -
SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K116TU，LF 0.5400
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 SSM3K116 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 2.2A（ta） 2.5V，4.5V 100mohm @ 500mA，4.5V 1.1V @ 100µA ±12V 245 pf @ 10 V - 500MW（TA）
SSM3K16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FU，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 SSM3K16 MOSFET （金属 o化物） USM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v （100mA）（TA） 1.5V，4V 3ohm @ 10mA，4V 1.1V @ 100µA ±10V 9.3 pf @ 3 V - 150MW（TA）
SSM3J15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15FU，LF 0.2500
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 SSM3J15 MOSFET （金属 o化物） USM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 12ohm @ 10mA，4V 1.7V @ 100µA ±20V 9.1 PF @ 3 V - 150MW（TA）
TPHR6503PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL，L1Q 2.0600
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn TPHR6503 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 150a（TC） 4.5V，10V 0.65MOHM @ 50a，10V 2.1V @ 1mA 110 NC @ 10 V ±20V 10000 PF @ 15 V - 960MW（TA），170W（tc）
SSM3K361R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361R，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 128 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3K361 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 3.5A（ta） 4.5V，10V 69mohm @ 2a，10v 2.5V @ 100µA 3.2 NC @ 4.5 V ±20V 430 pf @ 15 V - 1.2W（TA）
TPC6109-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage tpc6109-h（TE85L，FM -
RFQ
 ECAD 6133 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 TPC6109 MOSFET （金属 o化物） VS-6（2.9x2.8） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 5A（5A） 4.5V，10V 59mohm @ 2.5a，10v 1.2V @ 200µA 12.3 NC @ 10 V ±20V 490 pf @ 10 V - 700MW（TA）
2SK3128(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3128（Q） -
RFQ
 ECAD 4970 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 2SK3128 MOSFET （金属 o化物） to-3p n（n） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 30 V 60a（ta） 10V 12mohm @ 30a，10v 3V @ 1mA 66 NC @ 10 V ±20V 2300 PF @ 10 V - 150W（TC）
2SJ681(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ681（Q） -
RFQ
 ECAD 9057 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK 2SJ681 MOSFET （金属 o化物） PW-mold2 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 200 P通道 60 V 5A（5A） 4V，10V 170MOHM @ 2.5A，10V 2V @ 1mA 15 NC @ 10 V ±20V 700 pf @ 10 V - 20W（TA）
2SK2744(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2744（f） -
RFQ
 ECAD 1975年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 2SK2744 MOSFET （金属 o化物） to-3p n（n） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 50 V 45A（TA） 10V 20mohm @ 25a，10v 3.5V @ 1mA 68 NC @ 10 V ±20V 2300 PF @ 10 V - 125W（TC）
2SK2866(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2866（f） -
RFQ
 ECAD 3399 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 2SK2866 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 10a（10a） 10V 750MOHM @ 5A，10V 4V @ 1mA 45 NC @ 10 V ±30V 2040 pf @ 10 V - 125W（TC）
2SK3462(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3462（TE16L1，NQ） -
RFQ
 ECAD 7650 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 2SK3462 MOSFET （金属 o化物） PW-MOLD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 250 v 3A（3A） 10V 1.7OHM @ 1.5A，10V 3.5V @ 1mA 12 nc @ 10 V ±20V 267 PF @ 10 V - 20W（TC）
2SK3466(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3466（TE24L，Q） -
RFQ
 ECAD 2985 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SC-97 2SK3466 MOSFET （金属 o化物） 4-TFP （9.2x9.2） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 500 v 5A（5A） 10V 1.5OHM @ 5A，10V 4V @ 1mA 17 NC @ 10 V ±30V 780 pf @ 10 V - 50W（TC）
2SK3906(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3906（Q） -
RFQ
 ECAD 5343 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 2SK3906 MOSFET （金属 o化物） to-3p n（n） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 20A（TA） 10V 330mohm @ 10a，10v 4V @ 1mA 60 NC @ 10 V ±30V 4250 pf @ 25 V - 150W（TC）
GT10G131(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT10G131（TE12L，Q） -
RFQ
 ECAD 4336 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） GT10G131 标准 1 w 8-SOP（5.5x6.0） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 - - 400 v 200 a 2.3V @ 4V，200a - 3.1µs/2µs
GT60N321(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT60N321（Q） -
RFQ
 ECAD 5273 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 to-3pl GT60N321 标准 170 w TO-3P（lh） - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 100 - 2.5 µs - 1000 v 60 a 120 a 2.8V @ 15V，60a - 330NS/700NS
GT8G133(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133（TE12L，Q） -
RFQ
 ECAD 4443 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） GT8G133 标准 600兆 8-tssop 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 - - 400 v 150 a 2.9V @ 4V，150a - 1.7µs/2µs
TPC8036-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage tpc8036-h te12l，QM -
RFQ
 ECAD 8992 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8036 MOSFET （金属 o化物） 8-SOP（5.5x6.0） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 18A（18A） 4.5V，10V 4.5MOHM @ 9A，10V 2.3V @ 1mA 49 NC @ 10 V ±20V 4600 PF @ 10 V - 1W（ta）
TPCA8025(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8025（TE12L，Q，m -
RFQ
 ECAD 1087 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPCA8025 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 40a（ta） 4.5V，10V 3.5mohm @ 20a，10v 2.5V @ 1mA 49 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 10 V - 1.6W（ta），45W（tc）
TPCA8036-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage tpca8036-h te12l，q -
RFQ
 ECAD 8612 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPCA8036 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 38a（ta） 4.5V，10V 4.2MOHM @ 19a，10v 2.3V @ 500µA 50 NC @ 10 V ±20V 4600 PF @ 10 V - 1.6W（ta），45W（tc）
2SA2060(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2060（TE12L，F） 0.6100
RFQ
 ECAD 827 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SA2060 1 w PW-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,000 50 V 2 a 100NA（ICBO） PNP 200mv @ 33mA，1a 200 @ 300mA，2V -
2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2097（TE16L1，NQ） 0.8000
RFQ
 ECAD 8947 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 2SA2097 1 w PW-MOLD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 50 V 5 a 100NA（ICBO） PNP 270mv @ 53mA，1.6a 200 @ 500mA，2V -
2SC5359-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5359-O（Q） 3.4000
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 to-3pl 2SC5359 180 w 到3p（l） 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0075 100 230 v 15 a 5µA（ICBO） NPN 3V @ 800mA，8a 80 @ 1A，5V 30MHz
TK13A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A60D（sta4，Q，m） -
RFQ
 ECAD 6841 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK13A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 13A（TA） 10V 430mohm @ 6.5a，10v 4V @ 1mA 40 NC @ 10 V ±30V 2300 PF @ 25 V - 50W（TC）
TPC6111(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6111（TE85L，F，M） -
RFQ
 ECAD 3219 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSV 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 TPC6111 MOSFET （金属 o化物） VS-6（2.9x2.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 5.5A（ta） 1.5V，4.5V 40mohm @ 2.8a，4.5V 1V @ 1mA 10 NC @ 5 V ±8V 700 pf @ 10 V - 700MW（TA）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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196-LFBGA裸露的垫子

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