晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
TK6Q60W,S1VQ	1.9900	询价	8673	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	TK6Q60	MOSFET（金属O化物）		爱帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	75	N沟道	600伏	6.2A（塔）	10V	820毫欧@3.1A，10V	3.7V@310μA	12nC@10V	±30V	390 pF @ 300 V	-	60W（温度）
RN2421(TE85L,F)	0.0906	询价	3541	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2421		200毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000												50V	800毫安	500纳安	PNP - 预偏置	250mV@2mA、50mA	60@100mA，1V	200兆赫	1欧姆	1欧姆
HN1C03FU-B,LF	0.3800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1C03		200毫W	美国6号	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000												20V	300毫安	100nA（ICBO）	2 NPN（双）	100mV@3mA，30A	350@4mA，2V	30兆赫兹
XPH3R114MC,L1XHQ	2.2500	询价	2968	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	XPH3R114	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000	P沟道	40V	100A（塔）	4.5V、10V	3.1毫欧@50A，10V	2.1V@1mA	230nC@10V	+10V，-20V	9500pF@10V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）
TK18A30D,S5X	1.7900	询价	50	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道	300伏	18A（塔）	10V	139毫欧@9A，10V	3.5V@1mA	60nC@10V	±20V	2600pF@100V	-	45W（温度）
RN1103MFV,L3F(CT	0.1800	询价	305	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1103		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000												50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	70@10mA，5V		22欧姆	22欧姆
2SC2229-Y(T6SAN2FM	-	询价	7037	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2229		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	2SC2229YT6SAN2FM	EAR99	8541.21.0075	1												150伏	50毫安	100nA（ICBO）	NPN	500mV@1mA、10mA	70@10mA，5V	120兆赫
TK20A60W,S5VX	2.9800	询价	84	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK20A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道	600伏	20A（塔）	10V	155mOhm@10A，10V	3.7V@1mA	48nC@10V	±30V	1680 pF @ 300 V	-	45W（温度）
TPH2900ENH,L1Q	2.5800	询价	9	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH2900	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000	N沟道	200V	33A（塔）	10V	29毫欧@16.5A，10V	4V@1mA	22nC@10V	±20V	2200 pF @ 100 V	-	78W（温度）
RN2903FE(TE85L,F)	0.3400	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2903		100毫W	ES6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000												50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	22k欧姆
TPCA8008-H(TE12L,Q	-	询价	6043	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8008	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道	250伏	4A（塔）	10V	580毫欧@2A，10V	4V@1mA	10nC@10V	±20V	600pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
RN1902T5LFT	-	询价	4506	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1902		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000												50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	10k欧姆
RN1905FE,LXHF(CT	0.3800	询价	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1905		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000												50V	100毫安	500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
RN4610(TE85L,F)	0.4700	询价	80	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN4610		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000												50V	100毫安	100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	-
TW045N120C,S1F	23.7100	询价	15	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-247-3		SiCFET（碳化硅）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30	N沟道	1200伏	40A（温度）	18V	59毫欧@20A，18V	5V@6.7mA	57nC@18V	+25V，-10V	800V时为1969pF	-	182W（温度）
SSM3J130TU，LF	0.4600	询价	166	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J130	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	P沟道	20V	4.4A（塔）	1.5V、4.5V	25.8毫欧@4A，4.5V	1V@1mA	24.8nC@4.5V	±8V	1800pF@10V	-	500毫W（塔）
SSM3K17SU,LF	-	询价	4802	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	SC-70、SOT-323	SSM3K17	MOSFET（金属O化物）		USM	-		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道	50V	100mA（塔）		20欧姆@10mA，4V	1.5V@1μA			7pF@3V	-	150毫W（塔）
RN1301,LXHF	0.3900	询价	11	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1301		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000												50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
SSM6K513NU，LF	0.4600	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃（TA）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6K513	MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道	30V	15A（塔）	4.5V、10V	8.9毫欧@4A，10V	2.1V@100μA	7.5nC@4.5V	±20V	1130pF@15V	-	1.25W（塔）
2SK3906(Q)	-	询价	5343	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	2SK3906	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道	600伏	20A（塔）	10V	330毫欧@10A，10V	4V@1mA	60nC@10V	±30V	4250pF@25V	-	150W（温度）
TJ10S04M3L,LXHQ	0.9500	询价	4099	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ10S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000	P沟道	40V	10A（塔）	6V、10V	44mOhm@5A，10V	3V@1mA	19nC@10V	+10V，-20V	930pF@10V	-	27W（温度）
TK9J90E,S1E	2.7900	询价	5	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	TK9J90	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	25	N沟道	900伏	9A（塔）	10V	1.3欧姆@4.5A，10V	4V@900μA	46nC@10V	±30V	2000pF@25V	-	250W（温度）
RN1118(TE85L,F)	0.3900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1118		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000												50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	10欧姆
TPCA8051-H(T2L1,VM	-	询价	9874	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8051	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000	N沟道	80V	28A（塔）	4.5V、10V	9.4毫欧@14A，10V	2.3V@1mA	91nC@10V	±20V	7540pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
TK8A55DA(STA4,Q,M)	1.7700	询价	50	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK8A55	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道	550伏	7.5A（塔）	10V	1.07欧姆@3.8A，10V	4V@1mA	16nC@10V	±30V	800pF@25V	-	40W（温度）
TPH4R606NH,L1Q	0.9241	询价	9919	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH4R606	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000	N沟道	60V	32A（塔）	6.5V、10V	4.6毫欧@16A，10V	4V@500μA	49nC@10V	±20V	3965pF@30V	-	1.6W（Ta）、63W（Tc）
TPH2R306NH1,LQ	1.5700	询价	8	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	8-PowerTDFN		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5.75)	-		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000	N沟道	60V	136A（温度）	6.5V、10V	2.3毫欧@50A，10V	4V@1mA	72nC@10V	±20V	6100pF@30V	-	800mW（Ta）、170W（Tc）
RN2301,LF	0.1800	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2301		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000												50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
TPH4R50ANH,L1Q	2.7900	询价	8	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH4R50	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000	N沟道	100伏	60A（温度）	10V	4.5毫欧@30A，10V	4V@1mA	58nC@10V	±20V	5200pF@50V	-	1.6W（Ta）、78W（Tc）
2SJ305TE85LF	0.5400	询价	21	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SJ305	MOSFET（金属O化物）		SC-59	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	P沟道	30V	200mA（塔）	2.5V	4欧姆@50mA，2.5V	-		±20V	92pF@3V	-	200毫W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²