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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
RN1103MFV（TPL3）	0.0433	RFQ	6128	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	RN1103		150兆	VESM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000														50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	70 @ 10mA，5V		22 KOHMS	22 KOHMS
TPC6503（TE85L，F，M）	-	RFQ	1614年	东芝半导体和存储	U-Mosvii	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	TPC6503		1.6 w	VS-6（2.9x2.8）	-	Rohs符合条件		TPC6503（TE85LFM）	Ear99	8541.29.0095	3,000														30 V	1.5 a	100NA（ICBO）	NPN	120mv @ 10mA，500mA	400 @ 150mA，2V	-
TJ60S06M3L （T6L1，NQ	2.2100	RFQ	3396	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	TJ60S06	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道		60 V	60a（ta）	6V，10V	11.2Mohm @ 30a，10v	3V @ 1mA	156 NC @ 10 V	+10V，-20V	7760 pf @ 10 V	-	100W（TC）
SSM6N15AFE，LM	0.3500	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6N15	MOSFET （金属 o化物）	150MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000	2 n 通道（双）			30V	100mA		4ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	-		13.5pf @ 3V	逻辑级别门
TK20G60W，RVQ	2.5000	RFQ	5025	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	TK20G60	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	20A（TA）	10V	155mohm @ 10a，10v	3.7V @ 1mA	48 NC @ 10 V	±30V	1680 PF @ 300 V	-	165W（TC）
ULN2004APG，C，n	-	RFQ	9779	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	ULN2004		1.47W	16二滴	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	25														50V	500mA	50µA	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
2SA1483-y te12l，f）	-	RFQ	6130	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SA1483			PW-Mini	-			264-2SA1483-y（TE12LF）TR			2,500			-											45V	200mA		PNP		120 @ 10mA，1V	200MHz			-
TK1K9A60F，S4X	0.9000	RFQ	4438	东芝半导体和存储	u-mosix	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK1K9A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	不适用		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	3.7a（ta）	10V	1.9OHM @ 1.9A，10V	4V @ 400µA	14 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 300 V	-	30W（TC）
2SK3670（t6cano，f，m	-	RFQ	3113	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SK3670			to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1					670mA（TJ）
2SC4793，toa1f（j	-	RFQ	2036	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SC4793		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1														230 v	1 a	1µA（ICBO）	NPN	1.5V @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz
HN1A01FU-gr，LF	0.2600	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	HN1A01		200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000														50V	150mA	100NA（ICBO）	2 PNP （双）	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
2SD2206A（t6sep，f，m	-	RFQ	4911	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SD2206		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1														120 v	2 a	-	NPN	1.5V @ 1mA，1a	2000 @ 1A，2V	-
TK8A50D（sta4，Q，m）	1.6800	RFQ	14	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK8A50	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	8a（8a）	10V	850MOHM @ 4A，10V	4V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±30V	800 pf @ 25 V	-	40W（TC）
RN4911 （T5L，F，T）	-	RFQ	9993	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4911		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000														50V	100mA	100NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200MHz	10KOHMS	-
TK100S04N1L，LQ	2.8100	RFQ	3	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	TK100S04	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		40 V	100A（TA）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 50a，10v	2.5V @ 500µA	76 NC @ 10 V	±20V	5490 pf @ 10 V	-	100W（TC）
2SA1837，S1CSF（j	-	RFQ	1678年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1837		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1														230 v	1 a	1µA（ICBO）	PNP	1.5V @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	70MHz
RN2103MFV，L3F	-	RFQ	1968年	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	RN2103		150兆	VESM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	RN2103MFVL3F	Ear99	8541.21.0095	8,000														50 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	70 @ 10mA，5V		22 KOHMS	22 KOHMS
rn2901，lf（ct	0.2700	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2901		200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000														50V	100mA	500NA	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	200MHz	4.7kohms	4.7kohms
rn2905fe，lf（ct	0.2600	RFQ	4	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN2905		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000														50V	100mA	100NA（ICBO）	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	2.2kohms	47kohms
TPN1R603PL，L1Q	0.8900	RFQ	63	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn	TPN1R603	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		30 V	80A（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 40a，10v	2.1V @ 300µA	41 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 15 V	-	104W（TC）
SSM6L61NU，LF	0.4500	RFQ	132	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6L61	MOSFET （金属 o化物）	-	6-udfn （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道			20V	4a		-	-	-		-	-
TPH1R005PL，L1Q	2.0000	RFQ	6103	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH1R005	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		45 v	150a（TC）	4.5V，10V	1.04mohm @ 50a，10v	2.4V @ 1mA	99 NC @ 10 V	±20V	9600 PF @ 22.5 V	-	960MW（TA），170W（tc）
TPH2R608NH，L1Q	1.5400	RFQ	14	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH2R608	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		75 v	150a（TC）	10V	2.6mohm @ 50a，10v	4V @ 1mA	72 NC @ 10 V	±20V	6000 PF @ 37.5 V	-	142W（TC）
TPH5200FNH，L1Q	2.9500	RFQ	11	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH5200	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		250 v	26a（TC）	10V	52MOHM @ 13A，10V	4V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 100 V	-	78W（TC）
TK20V60W5，LVQ	3.0900	RFQ	133	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	4-VSFN暴露垫	TK20V60	MOSFET （金属 o化物）		4-DFN-EP（8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		600 v	20A（TA）	10V	190mohm @ 10a，10v	4.5V @ 1mA	55 NC @ 10 V	±30V	1800 PF @ 300 V	-	156W（TC）
TK6P65W，RQ	1.4000	RFQ	1	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	TK6P65	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		650 v	5.8A（ta）	10V	1.05OHM @ 2.9a，10V	3.5V @ 180µA	11 NC @ 10 V	±30V	390 pf @ 300 V	-	60W（TC）
TK10A60W5，S5VX	2.0400	RFQ	32	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK10A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	9.7A（ta）	10V	450MOHM @ 4.9A，10V	4.5V @ 500µA	25 NC @ 10 V	±30V	720 PF @ 300 V	-	30W（TC）
TK20N60W5，S1VF	3.9200	RFQ	4257	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TK20N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	20A（TA）	10V	175mohm @ 10a，10v	4.5V @ 1mA	55 NC @ 10 V	±30V	1800 PF @ 300 V	-	165W（TC）
TK17E65W，S1X	3.2100	RFQ	3783	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK17E65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	17.3a（ta）	10V	200mohm @ 8.7a，10v	3.5V @ 900µA	45 NC @ 10 V	±30V	1800 PF @ 300 V	-	165W（TC）
TK25E60X5，S1X	4.5900	RFQ	50	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK25E60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	25A（TA）	10V	140MOHM @ 7.5A，10V	4.5V @ 1.2mA	60 NC @ 10 V	±30V	2400 PF @ 300 V	-	180W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²