晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	电流消耗 (Id) - 最大
RN1113MFV，L3F	0.1800	询价	7550	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1113			150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	8,000														50V	100毫安								100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		47欧姆
TPCP8901(TE85L,F,M	-	询价	7302	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	TPCP8901			1.48W	PS-8	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		TPCP8901(TE85LFM	EAR99	8541.29.0075	3,000														50V	1A、800mA								100nA（ICBO）	NPN、PNP	170mV @ 6mA、300mA / 200mV @ 10mA、300mA	400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V	-
RN1110,LF(CT	0.2000	询价	1031	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1110			100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	100毫安								100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7欧姆
2SA1837,HFEMBJF(J	-	询价	3388	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1837			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	1														230伏	1A								1μA（ICBO）	国民党	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	70兆赫
RN2911，LF	0.2800	询价	9669	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2911			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	100毫安								100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10k欧姆	-
HN4B01JE(TE85L,F)	0.3800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-553	HN4B01			100毫W	ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	4,000														50V	150毫安								100nA（ICBO）	NPN、PNP（发射极连接）	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
TK15A60D(STA4,Q,M)	-	询价	5345	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK15A60		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		600伏	15A（塔）	10V	370毫欧@7.5A，10V	4V@1mA	45nC@10V	±30V	2600pF@25V	-	50W（温度）
RN1605TE85LF	0.3500	询价	79	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN1605			300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	100毫安								100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
TK3A65DA(STA4,QM)	1.5200	询价	4118	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK3A65		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		650伏	2.5A（塔）	10V	2.51欧姆@1.3A，10V	4.4V@1mA	11nC@10V	±30V	490pF@25V	-	35W（温度）
RN2107ACT(TPL3)	-	询价	7491	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2107			100毫W	CST3	-		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	10,000														50V	80毫安								500纳安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	80@10mA，5V		10欧姆	47欧姆
RN1114(T5L,F,T)	-	询价	5709	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1114			100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	100毫安								500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	1欧姆	10欧姆
TK50P03M1(T6RSS-Q)	-	询价	8706	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK50P03		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000	N沟道		30V	50A（塔）	4.5V、10V	7.5毫欧@25A，10V	2.3V@200μA	10V时为25.3nC	±20V	1700pF@10V	-	47W（温度）
RN1111CT(TPL3)	-	询价	5359	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1111			50毫W	CST3	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	10,000														20V	50毫安								100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	300@1mA，5V		10欧姆
ULN2004APG,C,N	-	询价	9779	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	16-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	ULN2004			1.47W	16-DIP	-		1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	25														50V	500毫安								50微安	7 NPN 达林顿	1.6V@500μA，350mA	1000@350mA，2V	-
2SK2376(Q)	-	询价	4520	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3，微型	2SK2376		MOSFET（金属O化物）		TO-220FL	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		60V	45A（塔）	4V、10V	17毫欧@25A，10V	2V@1mA	110nC@10V	±20V	3350pF@10V	-	100W（温度）
RN1307,LXHF	0.3900	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1307			100毫W	SC-70	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	100毫安								500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	47欧姆
RN1118MFV,L3F	0.1800	询价	6563	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1118			150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	8,000														50V	100毫安								500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	10欧姆
SSM3J129TU(TE85L)	-	询价	8685	东芝半导体和存储	U-MOSV	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J129		MOSFET（金属O化物）		UFM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000	P沟道		20V	4.6A（塔）	1.5V、4.5V	46毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	8.1nC@4.5V	±8V	640pF@10V	-	500毫W（塔）
SSM3J112TU，LF	0.4500	询价	9931	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J112		MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000	P沟道		30V	1.1A（塔）	4V、10V	390毫欧@500毫安，10伏	1.8V@100μA		±20V	15V时为86pF	-	800毫W（塔）
HN1B04FE-GR,LF	0.3000	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN1B04			100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	4,000														50V	150毫安								100nA（ICBO）	NPN、PNP	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
SSM6J511NU，LF	0.5000	询价	24	东芝半导体和存储	U-MOSVII	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6J511		MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	P沟道		12V	14A（塔）		9.1毫欧@4A、8V	1V@1mA	47nC@4.5V		3350pF@6V	-
2SK209-GR(TE85L,F)	0.4700	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SK209			150毫W	SC-59	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道									13pF@10V										50V	14毫安@10伏	1.5V@100nA								14毫安
RN4910(T5L,F,T)	-	询价	1644	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4910			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	100毫安								100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	-
RN4981,LXHF(CT	0.4400	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4981			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	100毫安								500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
GT50JR22(STA1,E,S)	4.7900	询价	2570	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		标准		230W	TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		264-GT50JR22(STA1ES)	EAR99	8541.29.0095	25		-											-	600伏	50A	100A	2.2V@15V，50A	-	-
RN1707JE(TE85L,F)	0.4000	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-553	RN1707			100毫W	ESV	下载		1（无限制）		264-RN1707JE(TE85LF)TR	EAR99	8541.21.0075	4,000														50V	100毫安								500纳安	2 NPN - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	47k欧姆
TK5A80E,S4X	1.4300	询价	50	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		800V	5A（塔）	10V	2.4欧姆@2.5A，10V	4V@500μA	20nC@10V	±30V	950pF@25V	-	40W（温度）
RN4909FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4909			100毫W	ES6	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	4,000														50V	100毫安								500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	47k欧姆	22k欧姆
SSM3J356R，LF	0.4100	询价	318	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J356		MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	P沟道		60V	2A（塔）	4V、10V	300mOhm@1A，10V	2V@1mA	10V时为8.3nC	+10V，-20V	10V时为330pF	-	1W（塔）
RN1411,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1411			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	100毫安								100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²