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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
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RN1113，LF （Ct	0.2000	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN1113		100兆	SSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000														50 V	100 ma	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250 MHz	47科姆斯
2SA1586SU-Y，LF	-	RFQ	4878	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SA1586		100兆	SC-70	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000														50 V	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	70 @ 2mA，6v	80MHz
2SC2235-y t6fjt，AF	-	RFQ	6044	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2235		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1														120 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
rn1910fe（t5l，f，t）	-	RFQ	8332	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1910		100MW	ES6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000														50V	100mA	100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz	4.7kohms	-
2SA1020A，NSEIKIF（j	-	RFQ	2572	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1														50 V	2 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
RN4987，LF（ct	0.3500	RFQ	4365	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4987		200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000														50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz，200MHz	10KOHMS	47kohms
RN1103MFV（TPL3）	0.0433	RFQ	6128	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	RN1103		150兆	VESM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000														50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	70 @ 10mA，5V		22 KOHMS	22 KOHMS
TPC6503（TE85L，F，M）	-	RFQ	1614年	东芝半导体和存储	U-Mosvii	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	TPC6503		1.6 w	VS-6（2.9x2.8）	-	Rohs符合条件		TPC6503（TE85LFM）	Ear99	8541.29.0095	3,000														30 V	1.5 a	100NA（ICBO）	NPN	120mv @ 10mA，500mA	400 @ 150mA，2V	-
TJ60S06M3L （T6L1，NQ	2.2100	RFQ	3396	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	TJ60S06	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道		60 V	60a（ta）	6V，10V	11.2Mohm @ 30a，10v	3V @ 1mA	156 NC @ 10 V	+10V，-20V	7760 pf @ 10 V	-	100W（TC）
SSM6N15AFE，LM	0.3500	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6N15	MOSFET （金属 o化物）	150MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000	2 n 通道（双）			30V	100mA		4ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	-		13.5pf @ 3V	逻辑级别门
TK20G60W，RVQ	2.5000	RFQ	5025	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	TK20G60	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	20A（TA）	10V	155mohm @ 10a，10v	3.7V @ 1mA	48 NC @ 10 V	±30V	1680 PF @ 300 V	-	165W（TC）
ULN2004APG，C，n	-	RFQ	9779	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	ULN2004		1.47W	16二滴	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	25														50V	500mA	50µA	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
2SA1483-y te12l，f）	-	RFQ	6130	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SA1483			PW-Mini	-			264-2SA1483-y（TE12LF）TR			2,500			-											45V	200mA		PNP		120 @ 10mA，1V	200MHz			-
TK1K9A60F，S4X	0.9000	RFQ	4438	东芝半导体和存储	u-mosix	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK1K9A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	不适用		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	3.7a（ta）	10V	1.9OHM @ 1.9A，10V	4V @ 400µA	14 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 300 V	-	30W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²