晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
SSM3J64CTC，L3F	0.3900	询价	39	东芝半导体和存储	U-MOSVII	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3J64	MOSFET（金属O化物）		CST3C	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000	P沟道	12V	1A（塔）	1.2V、4.5V	370毫欧@600mA，4.5V	1V@1mA		±10V	50pF@10V	-	500毫W（塔）
RN1402,LXHF	0.3400	询价	47	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1402		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000												50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	10欧姆
TK10A55D(STA4,Q,M)	2.3000	询价	5713	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK10A55	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50	N沟道	550伏	10A（塔）	10V	720毫欧@5A，10V	4V@1mA	24nC@10V	±30V	1200pF@25V	-	45W（温度）
RN1404,LF	0.2200	询价	5315	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1404		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000												50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	47欧姆
2SA965-Y(T6CANO,FM	-	询价	3779	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA965		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1												120V	800毫安	100nA（ICBO）	国民党	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
TW015N65C,S1F	55.4500	询价	114	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-247-3		SiCFET（碳化硅）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	30	N沟道	650伏	100A（温度）	18V	21毫欧@50A，18V	5V@11.7mA	128nC@18V	+25V，-10V	4850 pF @ 400 V	-	342W（温度）
RN1904,LF(CT	0.3500	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1904		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000												50V	100毫安	500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	47k欧姆
RN1607(TE85L,F)	0.4700	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN1607		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000												50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	47k欧姆
2SC6042,T2HOSH1Q(J	-	询价	5485	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC6042		1W	MSTM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1												375伏	1A	100μA（ICBO）	NPN	1V@100mA、800mA	100@100mA，5V	-
2SC2655-Y(T6TOJ,FM	-	询价	5228	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1												50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN4990FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4990		100毫W	ES6	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000												50V	100毫安	100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫、200兆赫	4.7k欧姆	-
RN1442ATE85LF	-	询价	4776	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1442		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000												20V	300毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	100毫伏@3毫安，30毫安	200@4mA，2V	30兆赫	10欧姆
TTD1409B，S4X	1.6000	询价	14	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TTD1409		2W	TO-220SIS	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50												400V	6A	20μA（ICBO）	NPN-达林顿	2V@40mA，4A	600 @ 2A、2V	-
RN2902(T5L,F,T)	-	询价	3010	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2902		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000												50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	10k欧姆
TK40P04M1(T6RSS-Q)	-	询价	8145	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK40P04	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000	N沟道	40V	40A（塔）	4.5V、10V	11毫欧@20A，10V	2.3V@200μA	29nC@10V	±20V	1920pF@10V	-	47W（温度）
2SA1428-Y(T2TR,A,F	-	询价	4372	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SA1428		900毫W	MSTM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1												50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TK7P65W,RQ	1.6300	询价	7459	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK7P65	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000	N沟道	650伏	6.8A（塔）	10V	800毫欧@3.4A，10V	3.5V@250μA	15nC@10V	±30V	490 pF @ 300 V	-	60W（温度）
2SA1312GRTE85LF	0.0618	询价	5284	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1312		150毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000												120V	100毫安	100nA（ICBO）	国民党	300mV@1mA、10mA	200@2mA，6V	100兆赫兹
2SD2206A(T6SEP,F,M	-	询价	4911	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SD2206		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	1												120V	2A	-	NPN	1.5V@1mA，1A	2000 @ 1A，2V	-
SSM3K131TU，LF	0.5000	询价	11	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3K131	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道	30V	6A（塔）	4.5V、10V	27.6毫欧@4A，10V	2.5V@1mA	10V时为10.1nC	±20V	450pF@15V	-	500毫W（塔）
2SA1943-O(Q)	2.9800	询价	10	东芝半导体和存储	-	托盘	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3PL	2SA1943		150W	TO-3P(L)	下载	符合ROHS3标准	不适用	EAR99	8541.29.0075	100												230伏	15A	5μA（ICBO）	国民党	3V@800mA，8A	80@1A，5V	30兆赫兹
2SC5712(TE12L,F)	0.4600	询价	989	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	2SC5712		1W	PW-MINI	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1,000												50V	3A	100nA（ICBO）	NPN	140mV@20mA，1A	400@300mA，2V	-
2SA1020-Y(T6OMI,FM	-	询价	4882	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1												50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TK9A90E,S4X	2.2100	询价	40	东芝半导体和存储	π-MOSVIII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK9A90	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50	N沟道	900伏	9A（塔）	10V	1.3欧姆@4.5A，10V	4V@900μA	46nC@10V	±30V	2000pF@25V	-	50W（温度）
2SA1428-Y,T2F(M	-	询价	5045	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SA1428		900毫W	MSTM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1												50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TPN1R603PL,L1Q	0.8900	询价	63	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN1R603	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000	N沟道	30V	80A（温度）	4.5V、10V	1.6毫欧@40A，10V	2.1V@300μA	41nC@10V	±20V	15V时为3900pF	-	104W（温度）
SSM3J35CT，L3F	0.3400	询价	7	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3J35	MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000	P沟道	20V	100mA（塔）	1.2V、4V	8欧姆@50mA，4V	1V@1mA		±10V	12.2pF@3V	-	100毫W（塔）
RN4983FE,LXHF(CT	0.3800	询价	1250	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4983		100毫W	ES6	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000												50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	22k欧姆	22k欧姆
RN2411,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2411		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000												50V	100毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10欧姆
HN1B04FU-GR,LXHF	0.4200	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1B04		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000												50V	150毫安	100nA（ICBO）	NPN、PNP	250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA	200@2mA，6V	150兆赫、120兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²