SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
2SA1869-Y(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1869-y(Q,m) -
RFQ
ECAD 1659年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 2SA1869 10 W TO-220NIS 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0075 1 50 V 3 a 1µA(ICBO) PNP 600mv @ 200mA,2a 70 @ 500mA,2V 100MHz
TK4A65DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A65DA (STA4,Q,m) -
RFQ
ECAD 7758 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK4A65 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 3.5A(ta) 10V 1.9OHM @ 1.8A,10V 4.4V @ 1mA 12 nc @ 10 V ±30V 600 pf @ 25 V - 35W(TC)
RN1404,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1404,LXHF 0.3400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 RN1404 200兆 S-Mini 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250 MHz 47科姆斯 47科姆斯
TK15A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK15A60D(sta4,Q,m) -
RFQ
ECAD 5345 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK15A60 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 15A(TA) 10V 370MOHM @ 7.5A,10V 4V @ 1mA 45 NC @ 10 V ±30V 2600 PF @ 25 V - 50W(TC)
2SA1943N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943N (S1,E,S) 2.4400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 2SA1943 150 w to-3p n(n) 下载 rohs3符合条件 不适用 2SA1943N (S1ES) Ear99 8541.29.0075 25 230 v 15 a 5µA(ICBO) PNP 3V @ 800mA,8a 80 @ 1A,5V 30MHz
2SA1162S-Y, LF(D Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162S-y,lf(d -
RFQ
ECAD 5535 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 125°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2SA1162 150兆 S-Mini 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA(ICBO) PNP 300mv @ 10mA,100mA 120 @ 2mA,6v 80MHz
2SC2655-Y(T6TOJ,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-y t6toj,fm -
RFQ
ECAD 5228 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SC2655 900兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA(ICBO) NPN 500mv @ 50mA,1a 70 @ 500mA,2V 100MHz
SSM3J36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J36F,LF 0.2900
RFQ
ECAD 479 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-75,SOT-416 SSM3J36 MOSFET (金属 o化物) SSM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 330ma(ta) 1.5V,4.5V 1.31OHM @ 100mA,4.5V 1V @ 1mA 1.2 NC @ 4 V ±8V 43 pf @ 10 V - 150MW(TA)
2SK3670,F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670,f (m -
RFQ
ECAD 2389 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SK3670 to-92mod 下载 (1 (无限) 2SK3670F(M Ear99 8541.21.0095 1 670mA(TJ)
TK380A60Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK380A60Y,S4X 1.5700
RFQ
ECAD 63 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSV 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK380A60 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 9.7a(TC) 10V 380MOHM @ 4.9A,10V 4V @ 360µA 20 nc @ 10 V ±30V 590 pf @ 300 V - 30W
TPCP8701(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage tpcp8701(te85l,f,m -
RFQ
ECAD 5797 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 TPCP8701 1.77W PS-8 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TPCP8701(TE85LFM Ear99 8541.29.0095 3,000 80V 3a 100NA(ICBO) 2 NPN (双) 140mv @ 20mA,1a 400 @ 300mA,2V -
2SC4604,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4604,T6F (M -
RFQ
ECAD 4358 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SC4604 900兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 1 50 V 3 a 100NA(ICBO) NPN 500MV @ 75mA,1.5a 120 @ 100mA,2V 100MHz
2SA1943-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943-O(Q) 2.9800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 150°C(TJ) 通过洞 to-3pl 2SA1943 150 w 到3p(l) 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0075 100 230 v 15 a 5µA(ICBO) PNP 3V @ 800mA,8a 80 @ 1A,5V 30MHz
TPCC8002-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage tpcc8002-h te12l,q -
RFQ
ECAD 2822 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSV-H 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 TPCC8002 MOSFET (金属 o化物) 8-tson Advance(3.3x3.3) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 22a(22a) 4.5V,10V 8.3mohm @ 11a,10v 2.5V @ 1mA 27 NC @ 10 V ±20V 2500 pf @ 10 V - 700MW(TA),30W(TC)
RN2608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2608(TE85L,F) 0.4700
RFQ
ECAD 8298 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-74,SOT-457 RN2608 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2 PNP-) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 200MHz 22KOHMS 47kohms
2SD2257(CANO,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257(Cano,Q,M) -
RFQ
ECAD 9887 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 2SD2257 2 w TO-220NIS 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10µA(ICBO) NPN 1.5V @ 1.5mA,1.5a 2000 @ 2a,2v -
HN2C01FEYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2C01FEYTE85LF 0.1000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 HN2C01 100MW ES6 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100NA(ICBO) 2 NPN (双) 250mv @ 10mA,100mA 120 @ 2mA,6v 60MHz
2SC2229-Y(T6MITIFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-y t6mitifm -
RFQ
ECAD 7080 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SC2229 800兆 to-92mod 下载 (1 (无限) 2SC2229YT6MITIFM Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 mA 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 1mA,10mA 70 @ 10mA,5V 120MHz
TPCC8008(TE12L,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8008(TE12L,QM) -
RFQ
ECAD 3585 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv (CT) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 TPCC8008 MOSFET (金属 o化物) 8-tson Advance(3.3x3.3) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 25A(TA) 4.5V,10V 6.8mohm @ 12.5a,10v 2.5V @ 1A 30 NC @ 10 V ±25V 1600 PF @ 10 V - 700MW(TA),30W(TC)
2SC2482(FJTN,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2482(fjtn,f,m) -
RFQ
ECAD 1055 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SC2482 900兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 1 300 v 100 ma 1µA(ICBO) NPN 1V @ 1mA,10mA 30 @ 20mA,10v 50MHz
2SC6040(TPF2,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6040(tpf2,Q,m) -
RFQ
ECAD 6660 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 SC-71 2SC6040 1 w MSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 800 v 1 a 100µA(ICBO) NPN 1V @ 100mA,800mA 60 @ 100mA,5V -
RN1442ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1442ATE85LF -
RFQ
ECAD 4776 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 RN1442 200兆 S-Mini 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 v 300 MA 100NA(ICBO) npn-预先偏见 100mv @ 3mA,30mA 200 @ 4mA,2V 30 MHz 10 kohms
RN2105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2105MFV,L3F(ct 0.1800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-723 RN2105 150兆 VESM 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250 MHz 2.2 kohms 47科姆斯
2SC2235-Y(DNSO,AF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC22235-y dnso,AF) -
RFQ
ECAD 8875 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SC2235 900兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA(ICBO) NPN 1V @ 50mA,500mA 80 @ 100mA,5V 120MHz
RN1963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1963FE(TE85L,F) 0.1000
RFQ
ECAD 915 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN1963 100MW ES6 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 250µA,5mA 70 @ 10mA,5V 250MHz 22KOHMS 22KOHMS
RN1112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112ACT(TPL3) 0.3300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-101,SOT-883 RN1112 100兆 CST3 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 100NA(ICBO) npn-预先偏见 150mv @ 250µA,5mA 120 @ 1mA,5V 22 KOHMS
2SA1680,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680,f(j -
RFQ
ECAD 4997 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SA1680 900兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,1a 120 @ 100mA,2V 100MHz
2SC4604,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4604,T6F(j -
RFQ
ECAD 8219 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SC4604 900兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 1 50 V 3 a 100NA(ICBO) NPN 500MV @ 75mA,1.5a 120 @ 100mA,2V 100MHz
RN2315TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2315TE85LF 0.3000
RFQ
ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 RN2315 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 50 @ 10mA,5V 200 MHz 2.2 kohms 10 kohms
TK14A45DA(STA4,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TK14A45DA (STA4,QM) 2.7100
RFQ
ECAD 3625 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 - 通过洞 TO-220-3完整包 TK14A45 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 450 v 13.5A 410MOHM @ 6.8A,10V - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库