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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
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![]() | TK15A60D(sta4,Q,m) | - | ![]() | 5345 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK15A60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 15A(TA) | 10V | 370MOHM @ 7.5A,10V | 4V @ 1mA | 45 NC @ 10 V | ±30V | 2600 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||
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![]() | 2SC4604,T6F (M | - | ![]() | 4358 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 | 2SC4604 | 900兆 | to-92mod | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 3 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500MV @ 75mA,1.5a | 120 @ 100mA,2V | 100MHz | |||||||||||||||||
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![]() | tpcc8002-h te12l,q | - | ![]() | 2822 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-MOSV-H | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | TPCC8002 | MOSFET (金属 o化物) | 8-tson Advance(3.3x3.3) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 22a(22a) | 4.5V,10V | 8.3mohm @ 11a,10v | 2.5V @ 1mA | 27 NC @ 10 V | ±20V | 2500 pf @ 10 V | - | 700MW(TA),30W(TC) | |||||||||||||
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![]() | TK14A45DA (STA4,QM) | 2.7100 | ![]() | 3625 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK14A45 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 450 v | 13.5A | 410MOHM @ 6.8A,10V | - | - | - |
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