晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
RN1111CT(TPL3)	-	询价	5359	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1111		50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000													20V	50毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	300@1mA，5V		10欧姆
2SK2376(Q)	-	询价	4520	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3，微型	2SK2376	MOSFET（金属O化物）		TO-220FL	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	60V	45A（塔）	4V、10V	17毫欧@25A，10V	2V@1mA	110nC@10V	±20V	3350pF@10V	-	100W（温度）
TK100E10N1,S1X	3.9800	询价	147	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK100E10	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100伏	100A（塔）	10V	3.4毫欧@50A，10V	4V@1mA	140nC@10V	±20V	8800pF@50V	-	255W（温度）
TK8A50DA(STA4,Q,M)	1.6000	询价	2557	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK8A50	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	500V	7.5A（塔）	10V	1.04欧姆@3.8A，10V	4.4V@1mA	16nC@10V	±30V	700pF@25V	-	35W（温度）
RN1108ACT(TPL3)	-	询价	7969	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1108		100毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000													50V	80毫安	500纳安	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	80@10mA，5V		22欧姆	47欧姆
TK10A80W,S4X	2.8400	询价	4462	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK10A80	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	800V	9.5A（塔）	10V	550mOhm@4.8A，10V	4V@450μA	19nC@10V	±20V	1150 pF @ 300 V	-	40W（温度）
RN2302,LF	0.0379	询价	2065	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2302		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	10欧姆
SSM6N15AFE，LM	0.3500	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6N15	MOSFET（金属O化物）	150毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）		30V	100毫安		4欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA	-		13.5pF@3V	逻辑电平门
RN2318(TE85L,F)	0.2600	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2318		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	10欧姆
2SK2719(女)	-	询价	7516	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	2SK2719	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	900伏	3A（塔）	10V	4.3欧姆@1.5A，10V	4V@1mA	25nC@10V	±30V	750pF@25V	-	125W（温度）
TK5A65D(STA4,Q,M)	1.6200	询价	第1402章	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK5A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	TK5A65D(STA4QM)	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	5A（塔）	10V	1.43欧姆@2.5A，10V	4V@1mA	16nC@10V	±30V	800pF@25V	-	40W（温度）
TDTA124E,LM	0.1800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TDTA124		320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	56@5mA，5V	250兆赫	22欧姆
RN2113,LF(CT	0.2100	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2113		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	47欧姆
RN1114(T5L,F,T)	-	询价	5709	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1114		100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	1欧姆	10欧姆
SSM3K361TU，LF	0.4700	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3K361	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100伏	3.5A（塔）	4.5V、10V	69毫欧@2A，10V	2.5V@100μA	3.2nC@4.5V	±20V	15V时为430pF	-	1W（塔）
TK58A06N1,S4X	1.3300	询价	46	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK58A06	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	60V	58A（温度）	10V	5.4毫欧@29A，10V	4V@500μA	46nC@10V	±20V	3400pF@30V	-	35W（温度）
2SJ304(女)	-	询价	2391	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SJ304	MOSFET（金属O化物）		TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		P沟道	60V	14A（塔）	4V、10V	120毫欧@7A，10V	2V@1mA	45nC@10V	±20V	1200pF@10V	-	40W（温度）
RN1910,LXHF(CT	0.3600	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1910		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	-
2SK3403(Q)	-	询价	第1637章	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3，微型	2SK3403	MOSFET（金属O化物）		TO-220FL	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	450伏	13A（塔）	10V	400mOhm@6A，10V	5V@1mA	34nC@10V	±30V	1600pF@25V	-	100W（温度）
SSM3K7002BSU，LF	-	询价	7505	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	SIC停产	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	SSM3K7002	MOSFET（金属O化物）		USM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	60V	200mA（塔）	4.5V、10V	2.1欧姆@500mA，10V	3.1V@250μA		±20V	17pF@25V	-	150毫W（塔）
HN1A01FE-Y,LXHF	0.4500	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN1A01		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	150毫安	100nA（ICBO）	2 PNP（双）	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
TPCA8065-H,LQ(S	-	询价	3579	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8065	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	16A（塔）	4.5V、10V	11.4毫欧@8A，10V	2.3V@200μA	20nC@10V	±20V	1600pF@10V	-	1.6W（Ta）、25W（Tc）
SSM3J334R，LF	0.4500	询价	208	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J334	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	4A（塔）	4V、10V	71毫欧@3A，10V	2V@100μA	5.9nC@10V	±20V	280pF@15V	-	1W（塔）
TPC8113(TE12L,Q)	-	询价	9646	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8113	MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	11A（塔）	4V、10V	10毫欧@5.5A，10V	2V@1mA	107nC@10V	±20V	4500pF@10V	-	1W（塔）
TPCF8201(TE85L,F,M	-	询价	6558	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	TPCF8201	MOSFET（金属O化物）	330毫W	VS-8 (2.9x1.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）		20V	3A		49毫欧@1.5A，4.5V	1.2V@200μA	7.5nC@5V		590pF@10V	逻辑电平门
TK065N65Z,S1F	7.1500	询价	13	东芝半导体和存储	DTMOSVI	管子	的积极	150℃	通孔	TO-247-3	TK065N65	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-TK065N65ZS1F	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	650伏	38A（塔）	10V	65毫欧@19A，10V	4V@1.69mA	62nC@10V	±30V	3650 pF @ 300 V	-	270W（温度）
2SK2883(TE24L,Q)	-	询价	9932	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SK2883	MOSFET（金属O化物）		TO-220SM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	800V	3A（塔）	10V	3.6欧姆@1.5A，10V	4V@1mA	25nC@10V	±30V	750pF@25V	-	75W（温度）
SSM3K344R，LF	0.4400	询价	32	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3K344	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	3A（塔）	1.5V、4.5V	71毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	2nC@4V	±8V	153pF@10V	-	1W（塔）
2SK3388(TE24L,Q)	-	询价	7495	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-97	2SK3388	MOSFET（金属O化物）		4-TFP (9.2x9.2)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道	250伏	20A（塔）	10V	105毫欧@10A、10V	3.5V@1mA	100nC@10V	±20V	4000pF@10V	-	125W（温度）
RN2902(T5L,F,T)	-	询价	3010	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2902		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	10k欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²