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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
SSM3J374R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J374R，LF 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3J374 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 4A（ta） 4V，10V 71MOHM @ 3A，10V 2V @ 100µA 5.9 NC @ 10 V +10V，-20V 280 pf @ 15 V - 1W（ta）
2SA1428-O,T2CLAF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-O，T2CLAF （M -
RFQ
 ECAD 3673 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 SC-71 2SA1428 900兆 MSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
RN2111,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2111，LF（ct 0.2000
RFQ
 ECAD 6434 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN2111 100兆 SSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200 MHz 10 kohms
2SD2257,NIKKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257，Nikkiq（j（ -
RFQ
 ECAD 2832 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SD2257 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10µA（ICBO） NPN 1.5V @ 1.5mA，1.5a 2000 @ 2a，2v -
RN1424TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1424TE85LF 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1424 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 800 MA 500NA npn-预先偏见 250mv @ 1mA，50mA 90 @ 100mA，1V 300 MHz 10 kohms 10 kohms
2SA1020-Y(T6ND3,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y t6nd3，AF -
RFQ
 ECAD 3760 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1020 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
RN2701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2701JE（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-553 RN2701 100MW ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（PNP- 预偏（双重）（） 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
2SD2129,ALPSQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2129，Alpsq（m -
RFQ
 ECAD 9406 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SD2129 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 100µA（ICBO） NPN 2V @ 12mA，3a 2000 @ 1.5A，3V -
2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-gr，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SA1162 150兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） PNP 300mv @ 10mA，100mA 200 @ 2mA，6v 80MHz
RN1904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904，LF（ct 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1904 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 47kohms 47kohms
2SB1481(TOJS,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1481（tojs，Q，m） -
RFQ
 ECAD 3254 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SB1481 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 100 v 4 a 2µA（ICBO） PNP 1.5V @ 6mA，3a 2000 @ 3A，2V -
2SA1013-O,T6MIBF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1013-O，T6MIBF（j -
RFQ
 ECAD 1634年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1013 900兆 TO-92L 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 160 v 1 a 1µA（ICBO） PNP 1.5V @ 50mA，500mA 60 @ 200ma，5V 50MHz
2SC2712-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-gr，LF 0.2000
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SC2712 150兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） NPN 250mv @ 10mA，100mA 70 @ 2mA，6v 80MHz
2SC2235-Y(T6ND,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y t6nd，AF -
RFQ
 ECAD 7383 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2235 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
TPH1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage tph1111111110enh，L1Q 0.6941
RFQ
 ECAD 3205 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPH1110 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 200 v 7.2A（ta） 10V 114MOHM @ 3.6A，10V 4V @ 200µA 7 NC @ 10 V ±20V 600 pf @ 100 V - 1.6W（ta），42W（tc）
RN1304,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1304，LF 0.2200
RFQ
 ECAD 8205 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1304 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 47科姆斯 47科姆斯
TK6R7P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6R7P06PL，RQ 0.9600
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 TK6R7P06 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 46A（TC） 4.5V，10V 6.7MOHM @ 23A，10V 2.5V @ 300µA 26 NC @ 10 V ±20V 1990 pf @ 30 V - 66W（TC）
TK58E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK58E06N1，S1X 1.4600
RFQ
 ECAD 7818 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TK58E06 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 58a（ta） 10V 5.4mohm @ 29a，10v 4V @ 500µA 46 NC @ 10 V ±20V 3400 PF @ 30 V - 110W（TC）
2SA1020-Y(T6ND1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y t6nd1，af -
RFQ
 ECAD 8322 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1020 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
RN2118MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2118MFV（TPL3） 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2118 150兆 VESM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 50 @ 10mA，5V 47科姆斯 10 kohms
RN2712JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2712JE（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-553 RN2712 100MW ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（PNP- 预偏（双重）（） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200MHz 22KOHMS -
RN4989(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4989 （T5L，F，T） 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4989 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 47kohms 22KOHMS
2SC5712(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5712（TE12L，F） 0.4600
RFQ
 ECAD 989 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 2SC5712 1 w PW-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,000 50 V 3 a 100NA（ICBO） NPN 140mv @ 20mA，1a 400 @ 300mA，2V -
RN4905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905，LF（ct 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4905 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 2.2kohms 47kohms
RN1906,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1906，LF（ct 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1906 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
RN1312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1312（TE85L，F） 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1312 150兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250 MHz 22 KOHMS
TPCA8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8065-H，LQ s -
RFQ
 ECAD 3579 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPCA8065 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 16A（TA） 4.5V，10V 11.4mohm @ 8a，10v 2.3V @ 200µA 20 nc @ 10 V ±20V 1600 PF @ 10 V - 1.6W（ta），25W（25W）TC）
RN1908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1908 （T5L，F，T） 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1908 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 47kohms
2SA1869-Y(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1869-y（Q，m） -
RFQ
 ECAD 1659年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SA1869 10 W TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 50 V 3 a 1µA（ICBO） PNP 600mv @ 200mA，2a 70 @ 500mA，2V 100MHz
TK4A65DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A65DA （STA4，Q，m） -
RFQ
 ECAD 7758 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK4A65 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 3.5A（ta） 10V 1.9OHM @ 1.8A，10V 4.4V @ 1mA 12 nc @ 10 V ±30V 600 pf @ 25 V - 35W（TC）
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196-LFBGA裸露的垫子

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