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![]() | tpcc8002-h te12l,q | - | ![]() | 2822 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-MOSV-H | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | TPCC8002 | MOSFET (金属 o化物) | 8-tson Advance(3.3x3.3) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 22a(22a) | 4.5V,10V | 8.3mohm @ 11a,10v | 2.5V @ 1mA | 27 NC @ 10 V | ±20V | 2500 pf @ 10 V | - | 700MW(TA),30W(TC) | |||||||||||||||
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![]() | tpcp8701(te85l,f,m | - | ![]() | 5797 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | TPCP8701 | 1.77W | PS-8 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | TPCP8701(TE85LFM | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 80V | 3a | 100NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 140mv @ 20mA,1a | 400 @ 300mA,2V | - | |||||||||||||||||
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![]() | 2SA1931,Nikkiq(j。 | - | ![]() | 1734年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | 2SA1931 | 2 w | TO-220NIS | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 V | 5 a | 1µA(ICBO) | PNP | 400mv @ 200mA,2a | 100 @ 1A,1V | 60MHz | |||||||||||||||||||
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