晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
RN2105MFV,L3F(CT	0.1800	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2105			150毫W	VESM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	8,000															50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	47欧姆
HN1A01FE-GR,LF	0.3300	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN1A01			100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	4,000															50V	150毫安					100nA（ICBO）	2 PNP（双）	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
TPH1R204PL,L1Q	1.5500	询价	4	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH1R204		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		40V	150A（温度）	4.5V、10V	1.24毫欧@50A，10V	2.4V@500μA	74nC@10V	±20V	7200pF@20V	-	960mW（Ta）、132W（Tc）
2SC2229-O(T6SAN2FM	-	询价	1326	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2229			800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		2SC2229OT6SAN2FM	EAR99	8541.21.0075	1															150伏	50毫安					100nA（ICBO）	NPN	500mV@1mA、10mA	70@10mA，5V	120兆赫
SSM5N16FU,LF	0.4500	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	SSM5N16		MOSFET（金属O化物）	200毫W（塔）	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			20V	100mA（塔）		3欧姆@10mA，4V	1.1V@100μA	-		9.3pF@3V	-
2SC4604,T6F(J	-	询价	8219	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC4604			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	1															50V	3A					100nA（ICBO）	NPN	500mV@75mA，1.5A	120@100mA，2V	100兆赫兹
GT50J341,Q	3.5900	询价	3865	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		标准		200W	TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50			-											-	600伏	50A	100A	2.2V@15V，50A	-	-
2SD2129，ALPSQ(M	-	询价	9406	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SD2129			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1															100伏	3A					100μA（ICBO）	NPN	2V@12mA，3A	2000@1.5A，3V	-
SSM3J143TU，LF	0.4500	询价	4	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J143		MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		20V	5.5A（塔）	1.5V、4.5V	29.8毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	12.8nC@4.5V	+6V、-8V	10V时为840pF	-	500毫W（塔）
RN2110,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2110			100毫W	SSM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安					100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7欧姆
TK5A65D(STA4,Q,M)	1.6200	询价	第1402章	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK5A65		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		TK5A65D(STA4QM)	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		650伏	5A（塔）	10V	1.43欧姆@2.5A，10V	4V@1mA	16nC@10V	±30V	800pF@25V	-	40W（温度）
2SC2655-O,F(J	-	询价	3435	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	1															50V	2A					1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN2112ACT(TPL3)	0.0527	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2112			100毫W	CST3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	10,000															50V	80毫安					100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@1mA，5V		22欧姆
TTC4116FU，LF	0.2400	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	TTC4116			100毫W	SC-70	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	150毫安					100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
RN2116,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2116			100毫W	SSM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	10欧姆
RN1102T5LFT	-	询价	1640	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1102			100毫W	SSM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安					500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	10欧姆
2SA2070(TE12L,F)	0.5400	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	2SA2070			1W	PW-MINI	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1,000															50V	1A					100nA（ICBO）	国民党	200毫伏@10毫安、300毫安	200@100mA，2V	-
RN2305,LF	0.1800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2305			100毫W	SC-70	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2欧姆	47欧姆
RN1408,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1408			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安					500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	47欧姆
RN2901(T5L,F,T)	-	询价	3843	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2901			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安					100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
RN2101MFV,L3XHF(CT	0.3400	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2101			150毫W	VESM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	8,000															50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
TPCA8012-H(TE12LQM	-	询价	9067	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8012		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	40A（塔）	4.5V、10V	4.9毫欧@20A，10V	2.5V@1mA	42nC@10V	±20V	3713pF@10V	-	-
2SA1586SU-Y,LF	-	询价	4878	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	SIC停产	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SA1586			100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	150毫安					100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	70@2mA，6V	80兆赫
RN2907,LXHF(CT	0.4400	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2907			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安					500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
RN1104T5LFT	0.3800	询价	528	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1104			100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安					500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	47欧姆
TTC009,F(J	-	询价	3543	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TTC009			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	1															80V	3A					100nA（ICBO）	NPN	500mV@100mA，1A	100@500mA，5V	150兆赫
2SC5232BTE85LF	0.1300	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC5232			150毫W	SC-59	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000															12V	500毫安					100nA（ICBO）	NPN	250mV@10mA、200mA	500@10mA，2V	130兆赫
RN2901,LXHF(CT	0.4400	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2901			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安					500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
2SA1869-Y,MTSAQ(J	-	询价	6264	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1869			10W	TO-220NIS	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	1															50V	3A					1μA（ICBO）	国民党	600mV@200mA，2A	70@500mA，2V	100兆赫兹
2SJ438,MDKQ(J	-	询价	第1464章	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-220-3全包	2SJ438				TO-220NIS	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1					5A（Tj）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²