SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
TPCC8002-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage tpcc8002-h te12l,q -
RFQ
ECAD 2822 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSV-H 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 TPCC8002 MOSFET (金属 o化物) 8-tson Advance(3.3x3.3) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 22a(22a) 4.5V,10V 8.3mohm @ 11a,10v 2.5V @ 1mA 27 NC @ 10 V ±20V 2500 pf @ 10 V - 700MW(TA),30W(TC)
2SA1162S-Y, LF(D Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162S-y,lf(d -
RFQ
ECAD 5535 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 125°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2SA1162 150兆 S-Mini 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA(ICBO) PNP 300mv @ 10mA,100mA 120 @ 2mA,6v 80MHz
TPCP8701(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage tpcp8701(te85l,f,m -
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ECAD 5797 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 TPCP8701 1.77W PS-8 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TPCP8701(TE85LFM Ear99 8541.29.0095 3,000 80V 3a 100NA(ICBO) 2 NPN (双) 140mv @ 20mA,1a 400 @ 300mA,2V -
2SC2655-Y(T6TOJ,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-y t6toj,fm -
RFQ
ECAD 5228 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SC2655 900兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA(ICBO) NPN 500mv @ 50mA,1a 70 @ 500mA,2V 100MHz
2SC4604,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4604,T6F (M -
RFQ
ECAD 4358 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SC4604 900兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 1 50 V 3 a 100NA(ICBO) NPN 500MV @ 75mA,1.5a 120 @ 100mA,2V 100MHz
TTA006B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage tta006b,q(s -
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ECAD 1451 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 积极的 TTA006 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0075 250
RN2106CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2106CT(tpl3) -
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ECAD 9972 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-101,SOT-883 RN2106 50兆 CST3 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA,5mA 120 @ 10mA,5V 4.7科姆斯 47科姆斯
RN1905,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1905,LF -
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ECAD 6546 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 RN1905 200MW US6 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
2SA1428-O,T2CLAF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-O,T2CLAF (M -
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ECAD 3673 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 SC-71 2SA1428 900兆 MSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,1a 70 @ 500mA,2V 100MHz
HN2C01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN2C01FU-Y(te85l,f 0.4700
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ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 125°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 HN2C01 200MW US6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100NA(ICBO) 2 NPN (双) 250mv @ 10mA,100mA 120 @ 2mA,6v 80MHz
RN1110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1110,lf(Ct 0.2000
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ECAD 1031 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-75,SOT-416 RN1110 100兆 SSM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) npn-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 120 @ 1mA,5V 250 MHz 4.7科姆斯
2SA1931,NIKKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931,Nikkiq(j。 -
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ECAD 1734年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 2SA1931 2 w TO-220NIS 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0075 1 50 V 5 a 1µA(ICBO) PNP 400mv @ 200mA,2a 100 @ 1A,1V 60MHz
2SD1223,L1XGQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1223,L1XGQ o -
RFQ
ECAD 3909 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 2SD1223 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000
2SC2714-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2714-O (TE85L,f) 0.0964
RFQ
ECAD 6404 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 125°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2SC2714 100MW S-Mini 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 23dB 30V 20mA NPN 70 @ 1mA,6v 550MHz 2.5db @ 100MHz
RN4906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4906fe,lf(Ct 0.2600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN4906 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 200MHz 4.7kohms 47kohms
RN2902(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2902 (T5L,F,T) -
RFQ
ECAD 3010 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 RN2902 200MW US6 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2 PNP-) 300mv @ 250µA,5mA 50 @ 10mA,5V 200MHz 10KOHMS 10KOHMS
2SC2235(T6KMAT,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235(t6kmat,f,m -
RFQ
ECAD 3473 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SC2235 900兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA(ICBO) NPN 1V @ 50mA,500mA 80 @ 100mA,5V 120MHz
2SC4215-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4215-y te85l,f) 0.4900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 125°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 2SC4215 100MW SC-70 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 17db〜23dB 30V 20mA NPN 100 @ 1mA,6v 550MHz 2DB〜5DB @ 100MHz
2SA1873-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1873-gr (TE85L,f 0.3500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 125°C(TJ) 表面安装 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 2SA1873 200MW USV 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100NA(ICBO) 2(PNP (双),共同发射器 300mv @ 10mA,100mA 200 @ 2mA,6v 80MHz
2SD2257,NIKKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257,Nikkiq(j( -
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ECAD 2832 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 2SD2257 2 w TO-220NIS 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10µA(ICBO) NPN 1.5V @ 1.5mA,1.5a 2000 @ 2a,2v -
RN1303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1303(TE85L,F) -
RFQ
ECAD 4362 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 RN1303 100兆 SC-70 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 70 @ 10mA,5V 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
HN4B01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B01JE(TE85L,F) 0.3800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-553 HN4B01 100MW ESV 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100NA(ICBO) NPN,PNP (发射器耦合) 250mv @ 10mA,100mA 120 @ 2mA,6v 80MHz
RN1424TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1424TE85LF 0.4200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 RN1424 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 800 MA 500NA npn-预先偏见 250mv @ 1mA,50mA 90 @ 100mA,1V 300 MHz 10 kohms 10 kohms
RN1114(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1114 (T5L,F,T) -
RFQ
ECAD 5709 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-75,SOT-416 RN1114 100兆 SSM 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 50 @ 10mA,5V 250 MHz 1 kohms 10 kohms
2SC2655-Y(6MBH1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y (6MBH1,AF -
RFQ
ECAD 2308 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SC2655 900兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA(ICBO) NPN 500mv @ 50mA,1a 70 @ 500mA,2V 100MHz
2SC5712(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5712(TE12L,F) 0.4600
RFQ
ECAD 989 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA 2SC5712 1 w PW-Mini 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1,000 50 V 3 a 100NA(ICBO) NPN 140mv @ 20mA,1a 400 @ 300mA,2V -
RN1904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904FE,LF(ct 0.2500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN1904 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz 47kohms 47kohms
RN2111,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2111,LF(ct 0.2000
RFQ
ECAD 6434 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-75,SOT-416 RN2111 100兆 SSM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) pnp-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 120 @ 1mA,5V 200 MHz 10 kohms
RN2118MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2118MFV(TPL3) 0.2700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-723 RN2118 150兆 VESM 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA,5mA 50 @ 10mA,5V 47科姆斯 10 kohms
2SA2154MFV-GR(TPL3 Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFV-gr(tpl3 -
RFQ
ECAD 6607 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-723 2SA2154 150兆 VESM 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 150 ma 100NA(ICBO) PNP 300mv @ 10mA,100mA 200 @ 2mA,6v 80MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库