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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 配置 fet 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
TK12V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12V60W，LVQ 1.1283
RFQ
 ECAD 3905 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 4-VSFN暴露垫 TK12V60 MOSFET （金属 o化物） 4-DFN-EP（8x8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 11.5A（TA） 10V 300MOHM @ 5.8A，10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 pf @ 300 V - 104W（TC）
TPC6006-H(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6006-H te85l，f） -
RFQ
 ECAD 4684 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 TPC6006 MOSFET （金属 o化物） VS-6（2.9x2.8） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 40 V 3.9a（ta） 4.5V，10V 75MOHM @ 1.9A，10V 2.3V @ 1mA 4.4 NC @ 10 V ±20V 251 PF @ 10 V - 700MW（TA）
TK10A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK10A55D（sta4，Q，m） 2.3000
RFQ
 ECAD 5713 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK10A55 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 550 v 10a（10a） 10V 720MOHM @ 5A，10V 4V @ 1mA 24 NC @ 10 V ±30V 1200 pf @ 25 V - 45W（TC）
RN1315,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1315，LF 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1315 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
TK7A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK7A65W，S5X 1.6700
RFQ
 ECAD 2976 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK7A65 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 6.8a（ta） 10V 780MOHM @ 3.4A，10V 3.5V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±30V 490 pf @ 300 V - 30W（TC）
RN1316,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1316，LF 0.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1316 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 10 kohms
TPCF8201(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage tpcf8201（te85l，f，m -
RFQ
 ECAD 6558 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TPCF8201 MOSFET （金属 o化物） 330MW VS-8 （2.9x1.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 3a 49mohm @ 1.5A，4.5V 1.2V @ 200µA 7.5nc @ 5V 590pf @ 10V 逻辑级别门
2SA1869-Y,MTSAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1869-Y，MTSAQ（j -
RFQ
 ECAD 6264 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SA1869 10 W TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 50 V 3 a 1µA（ICBO） PNP 600mv @ 200mA，2a 70 @ 500mA，2V 100MHz
TK50E08K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK50E08K3，S1X s -
RFQ
 ECAD 8993 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 - 通过洞 TO-220-3 TK50E08 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 50A（TC） 12mohm @ 25a，10v - 55 NC @ 10 V - -
TPC8109(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8109（TE12L） -
RFQ
 ECAD 2232 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8109 MOSFET （金属 o化物） 8-SOP（5.5x6.0） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 10a（10a） 20mohm @ 5a，10v 2V @ 1mA 45 NC @ 10 V 2260 pf @ 10 V -
2SC2655-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-y，f（j -
RFQ
 ECAD 7966 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2655 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） NPN 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
TK10E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK10E60W，S1VX 3.0600
RFQ
 ECAD 3786 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TK10E60 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 9.7A（ta） 10V 380MOHM @ 4.9A，10V 3.7V @ 500µA 20 nc @ 10 V ±30V 700 pf @ 300 V - 100W（TC）
RN1609(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1609（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN1609 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz 47kohms 22KOHMS
SSM6N42FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N42FE（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 4807 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6N42 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 800mA 240MOHM @ 500mA，4.5V 1V @ 1mA 2NC @ 4.5V 90pf @ 10V 逻辑级别门
RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1115，lf（Ct 0.2000
RFQ
 ECAD 633 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1115 100兆 SSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
2SC2714-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2714-O （TE85L，f） 0.0964
RFQ
 ECAD 6404 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SC2714 100MW S-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 23dB 30V 20mA NPN 70 @ 1mA，6v 550MHz 2.5db @ 100MHz
RN4906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4906fe，lf（Ct 0.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4906 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 4.7kohms 47kohms
SSM6N37CTD(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N37CTD（TPL3） -
RFQ
 ECAD 2918 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6N37 MOSFET （金属 o化物） 140MW CST6D 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 20V 250mA 2.2OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 1mA - 12pf @ 10V 逻辑级别门
RN4911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911，LF（ct 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4911 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200MHz，250MHz 10KOHMS -
2SC4215-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4215-y te85l，f） 0.4900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SC4215 100MW SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 17db〜23dB 30V 20mA NPN 100 @ 1mA，6v 550MHz 2DB〜5DB @ 100MHz
RN1905,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1905，LF -
RFQ
 ECAD 6546 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1905 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
SSM6H19NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6H19NU，LF 0.3700
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 SSM6H19 MOSFET （金属 o化物） 6-udfn （2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 2A（TA） 1.8V，8V 185mohm @ 1a，8v 1.2V @ 1mA 2.2 NC @ 4.2 V ±12V 130 pf @ 10 V - 1W（ta）
2SA949-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-y，f（j -
RFQ
 ECAD 1766年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA949 800兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 mA 100NA（ICBO） PNP 800mv @ 1mA，10a 70 @ 10mA，5V 120MHz
TK31V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60W，LVQ 7.8500
RFQ
 ECAD 3694 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 4-VSFN暴露垫 TK31V60 MOSFET （金属 o化物） 4-DFN-EP（8x8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 30.8A（TA） 10V 98mohm @ 15.4a，10v 3.7V @ 1.5mA 86 NC @ 10 V ±30V 3000 PF @ 300 V - 240W（TC）
TPCA8103(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8103（TE12L，Q，m -
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPCA8103 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 40a（ta） 4V，10V 4.2MOHM @ 20A，10V 2V @ 1mA 184 NC @ 10 V ±20V 7880 pf @ 10 V - 1.6W（ta），45W（tc）
TK3R1A04PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1A04PL，S4X 1.2700
RFQ
 ECAD 3177 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK3R1A04 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 82A（TC） 4.5V，10V 3.8mohm @ 30a，4.5V 2.4V @ 500µA 63.4 NC @ 10 V ±20V 4670 pf @ 20 V - 36W（TC）
TPCF8102(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage tpcf8102（te85l，f，m -
RFQ
 ECAD 8048 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TPCF8102 MOSFET （金属 o化物） VS-8 （2.9x1.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 P通道 20 v 6a（6a） 1.8V，4.5V 30mohm @ 3a，4.5V 1.2V @ 200µA 19 nc @ 5 V ±8V 1550 pf @ 10 V - 700MW（TA）
TK100A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK100A06N1，S4X 2.7600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK100A06 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 100A（TC） 10V 2.7MOHM @ 50A，10V 4V @ 1mA 140 NC @ 10 V ±20V 10500 PF @ 30 V - 45W（TC）
TPC8211(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8211（TE12L，Q，M） -
RFQ
 ECAD 1656年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8211 MOSFET （金属 o化物） 450MW 8-SOP（5.5x6.0） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 5.5a 36mohm @ 3a，10v 2.5V @ 1mA 25nc @ 10V 1250pf @ 10V 逻辑级别门
2SB1457,T6YMEF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457，T6ymef （m -
RFQ
 ECAD 5204 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SB1457 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 100 v 2 a 10µA（ICBO） PNP 1.5V @ 1mA，1a 2000 @ 1A，2V 50MHz
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    每日平均RFQ量

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196-LFBGA裸露的垫子

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