晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SC4682,T6CSF(日	-	询价	7435	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC4682		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													15V	3A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@30mA，3A	800@500mA，1V	150兆赫
TK380A60Y,S4X	1.5700	询价	63	东芝半导体和存储	DTMOSV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK380A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	9.7A（温度）	10V	380毫欧@4.9A，10V	4V@360μA	20nC@10V	±30V	590 pF @ 300 V	-	30W
SSM3J371R，LF	0.4700	询价	11	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J371	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	4A（塔）	1.5V、4.5V	55mOhm@3A，4.5V	1V@1mA	10.4nC@4.5V	+6V、-8V	630pF@10V	-	1W（塔）
TK2R9E10PL,S1X	2.9000	询价	9020	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	管子	的积极	175℃	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100伏	100A（塔）	4.5V、10V	2.9毫欧@50A，10V	2.5V@1mA	161nC@10V	±20V	9500pF@50V	-	306W（温度）
2SC2712-BL,LF	0.2000	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC2712		150毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	150毫安	100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	70@2mA，6V	80兆赫
TPC6006-H(TE85L,F)	-	询价	4684	东芝半导体和存储	U-MOSIII-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TPC6006	MOSFET（金属O化物）		VS-6 (2.9x2.8)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	40V	3.9A（塔）	4.5V、10V	75毫欧@1.9A，10V	2.3V@1mA	4.4nC@10V	±20V	251pF@10V	-	700毫W（塔）
TK17V65W,LQ	3.4300	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	TK17V65	MOSFET（金属O化物）		4-DFN-EP (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	650伏	17.3A（塔）	10V	210毫欧@8.7A，10V	3.5V@900μA	45nC@10V	±30V	1800 pF @ 300 V	-	156W（温度）
RN4902,LXHF(CT	0.4400	询价	1969年	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4902		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	10k欧姆	10k欧姆
RN1109CT(TPL3)	-	询价	8001	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1109		50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000													20V	50毫安	500纳安	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	100@10mA，5V		47欧姆	22欧姆
SSM6L820R，LF	0.5300	询价	2581	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6L820	MOSFET（金属O化物）	1.4W（塔）	6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道		30V、20V	4A（塔）		39.1毫欧@2A、4.5V、45毫欧@3.5A、10V	1V@1mA，1.2V@1mA	4.5V时为3.2nC，4.5V时为6.7nC		15V时为310pF，10V时为480pF	-
SSM6P15FU,LF	0.3800	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6P15	MOSFET（金属O化物）	200毫W（塔）	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）		30V	100毫安		12欧姆@10mA，4V	1.7V@100μA	-		9.1pF@3V	-
TK5A50D(STA4,Q,M)	1.2500	询价	48	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK5A50	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	500V	5A（塔）	10V	1.5欧姆@2.5A，10V	4.4V@1mA	11nC@10V	±30V	490pF@25V	-	35W（温度）
RN1119MFV，L3F	0.1800	询价	6434	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1119		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		1欧姆
RN1412，LF	0.1900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1412		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	22欧姆
TW070J120B,S1Q	32.4200	询价	104	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	-55℃～175℃	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	TW070J120	SiCFET（碳化硅）		TO-3P(N)	下载		1（无限制）	264-TW070J120BS1Q	EAR99	8541.29.0095	25		N沟道	1200伏	36A（温度）	20V	90毫欧@18A，20V	5.8V@20mA	67nC@20V	±25V、-10V	800V时为1680pF	标准	272W（温度）
RN1315，LF	0.2200	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1315		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	10欧姆
TK25A60X,S5X	4.0100	询价	3	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK25A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	25A（塔）	10V	125mOhm@7.5A，10V	3.5V@1.2mA	40nC@10V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	45W（温度）
TK3A60DA(STA4,Q,M)	1.2100	询价	50	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK3A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	2.5A（塔）	10V	2.8欧姆@1.3A，10V	4.4V@1mA	9nC@10V	±30V	380pF@25V	-	30W（温度）
TK4A55DA(STA4,Q,M)	-	询价	7445	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK4A55	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	550伏	3.5A（塔）	10V	2.45欧姆@1.8A，10V	4.4V@1mA	9nC@10V	±30V	380pF@25V	-	30W（温度）
TK20G60W,RVQ	2.5000	询价	5025	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	TK20G60	MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	20A（塔）	10V	155mOhm@10A，10V	3.7V@1mA	48nC@10V	±30V	1680 pF @ 300 V	-	165W（温度）
TK25S06N1L,LXHQ	0.9300	询价	3804	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK25S06	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	60V	25A（塔）	4.5V、10V	36.8毫欧@12.5A，4.5V	2.5V@100μA	15nC@10V	±20V	10V时为855pF	-	57W（温度）
RN1965(TE85L,F)	0.0865	询价	3211	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1965		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
TPW5200FNH,L1Q	3.0100	询价	4	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	8-PowerWDFN		MOSFET（金属O化物）		8-DSOP 高级	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	250伏	26A（温度）	10V	52毫欧@13A，10V	4V@1mA	22nC@10V	±20V	2200 pF @ 100 V	-	800mW（Ta）、142W（Tc）
SSM6K819R，LF	0.6600	询价	4	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6K819	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100伏	10A（塔）	4.5V、10V	25.8毫欧@4A，10V	2.5V@100μA	8.5nC@4.5V	±20V	1110pF@15V	-	1.5W（塔）
SSM3K335R，LF	0.4700	询价	95	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3K335	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	6A（塔）	4.5V、10V	38毫欧@4A，10V	2.5V@100μA	2.7nC@4.5V	±20V	15V时为340pF	-	1W（塔）
RN1902,LF(CT	0.3500	询价	3188	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1902		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	10k欧姆
SSM6J801R，LF	0.4300	询价	124	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6J801	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	6A（塔）	1.5V、4.5V	32.5毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	12.8nC@4.5V	+6V、-8V	10V时为840pF	-	1.5W（塔）
2SA1832-GR，LF	0.2000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	2SA1832		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	150毫安	100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
RN1107MFV,L3F(CT	0.1800	询价	4060	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1107		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V		10欧姆	47欧姆
RN2909,LXHF(CT	0.4400	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2909		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	22k欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²