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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SC2229-y shp1，f，m	-	RFQ	8240	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2229		800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	1													150 v	50 mA	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	70 @ 10mA，5V	120MHz
RN1102T5磅	-	RFQ	1640年	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN1102		100兆	SSM	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
RN2702TE85LF	-	RFQ	6945	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	RN2702		200MW	5-SSOP	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	2（PNP- 预偏（双重）（）	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200MHz	10KOHMS	10KOHMS
RN2901 （T5L，F，T）	-	RFQ	3843	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2901		200MW	US6	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	100NA（ICBO）	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	200MHz	4.7kohms	4.7kohms
RN2907，LXHF（ct	0.4400	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2907		200MW	US6	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	3,000													50V	100mA	500NA	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	10KOHMS	47kohms
tpcf8201（te85l，f，m	-	RFQ	6558	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TPCF8201	MOSFET （金属 o化物）	330MW	VS-8 （2.9x1.5）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	4,000	2 n 通道（双）		20V	3a		49mohm @ 1.5A，4.5V	1.2V @ 200µA	7.5nc @ 5V		590pf @ 10V	逻辑级别门
TK12A55D（sta4，Q，m）	2.8400	RFQ	5060	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK12A55	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	550 v	12a（12a）	10V	570MOHM @ 6A，10V	4V @ 1mA	28 NC @ 10 V	±30V	1550 pf @ 25 V	-	45W（TC）
SSM4K27CTTPL3	-	RFQ	8402	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	SSM4K27	MOSFET （金属 o化物）		CST4（1.2x0.8）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	20 v	500mA（ta）	1.8V，4V	205MOHM @ 250mA，4V	1.1V @ 1mA		±12V	174 pf @ 10 V	-	400MW（TA）
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TPC6006-H te85l，f）	-	RFQ	4684	东芝半导体和存储	U-Mosiii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	TPC6006	MOSFET （金属 o化物）		VS-6（2.9x2.8）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	40 V	3.9a（ta）	4.5V，10V	75MOHM @ 1.9A，10V	2.3V @ 1mA	4.4 NC @ 10 V	±20V	251 PF @ 10 V	-	700MW（TA）
RN1111CT（tpl3）	-	RFQ	5359	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-101，SOT-883	RN1111		50兆	CST3	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	10,000													20 v	50 mA	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	300 @ 1mA，5v		10 kohms
RN1609（TE85L，F）	0.4800	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-74，SOT-457	RN1609		300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250MHz	47kohms	22KOHMS
2SC2655-y，f（j	-	RFQ	7966	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2655		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	1													50 V	2 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
TK50E08K3，S1X s	-	RFQ	8993	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	TK50E08	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	75 v	50A（TC）		12mohm @ 25a，10v	-	55 NC @ 10 V			-	-
TK10E60W，S1VX	3.0600	RFQ	3786	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK10E60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	9.7A（ta）	10V	380MOHM @ 4.9A，10V	3.7V @ 500µA	20 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 300 V	-	100W（TC）
TPC8109（TE12L）	-	RFQ	2232	东芝半导体和存储	-	（CT）	过时的		表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	TPC8109	MOSFET （金属 o化物）		8-SOP（5.5x6.0）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	10a（10a）		20mohm @ 5a，10v	2V @ 1mA	45 NC @ 10 V		2260 pf @ 10 V	-
SSM6N42FE（TE85L，F）	-	RFQ	4807	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6N42	MOSFET （金属 o化物）	150MW	ES6	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	4,000	2 n 通道（双）		20V	800mA		240MOHM @ 500mA，4.5V	1V @ 1mA	2NC @ 4.5V		90pf @ 10V	逻辑级别门
SSM6P16FE（TE85L，F）	-	RFQ	1655年	东芝半导体和存储	-	（CT）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6P16	MOSFET （金属 o化物）		ES6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	4,000		P通道	20 v	（100mA）（TA）		8ohm @ 10mA，4V	-			11 pf @ 3 V	-	150MW（TA）
TK12V60W，LVQ	1.1283	RFQ	3905	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	4-VSFN暴露垫	TK12V60	MOSFET （金属 o化物）		4-DFN-EP（8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	11.5A（TA）	10V	300MOHM @ 5.8A，10V	3.7V @ 600µA	25 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 300 V	-	104W（TC）
TK7A65W，S5X	1.6700	RFQ	2976	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK7A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	6.8a（ta）	10V	780MOHM @ 3.4A，10V	3.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 300 V	-	30W（TC）
TK8P60W，RVQ	1.1354	RFQ	8551	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	TK8P60	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	8a（8a）	10V	500MOHM @ 4A，10V	3.7V @ 400µA	18.5 NC @ 10 V	±30V	570 pf @ 300 V	-	80W（TC）
SSM6H19NU，LF	0.3700	RFQ	61	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	SSM6H19	MOSFET （金属 o化物）		6-udfn （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	2A（TA）	1.8V，8V	185mohm @ 1a，8v	1.2V @ 1mA	2.2 NC @ 4.2 V	±12V	130 pf @ 10 V	-	1W（ta）
RN1908 （T5L，F，T）	0.3400	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1908		200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	22KOHMS	47kohms
TK3R1A04PL，S4X	1.2700	RFQ	3177	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK3R1A04	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	不适用	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	40 V	82A（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 30a，4.5V	2.4V @ 500µA	63.4 NC @ 10 V	±20V	4670 pf @ 20 V	-	36W（TC）
TK62N60W，S1VF	16.4000	RFQ	6481	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TK62N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	61.8A（TA）	10V	40mohm @ 30.9a，10v	3.7V @ 3.1mA	180 NC @ 10 V	±30V	6500 PF @ 300 V	-	400W（TC）
TK10A55D（sta4，Q，m）	2.3000	RFQ	5713	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK10A55	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	550 v	10a（10a）	10V	720MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	24 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 25 V	-	45W（TC）
TPCA8065-H，LQ s	-	RFQ	3579	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8065	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	16A（TA）	4.5V，10V	11.4mohm @ 8a，10v	2.3V @ 200µA	20 nc @ 10 V	±20V	1600 PF @ 10 V	-	1.6W（ta），25W（25W）TC）
TK31V60W，LVQ	7.8500	RFQ	3694	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	4-VSFN暴露垫	TK31V60	MOSFET （金属 o化物）		4-DFN-EP（8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	30.8A（TA）	10V	98mohm @ 15.4a，10v	3.7V @ 1.5mA	86 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	240W（TC）
tpcf8102（te85l，f，m	-	RFQ	8048	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TPCF8102	MOSFET （金属 o化物）		VS-8 （2.9x1.5）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	4,000		P通道	20 v	6a（6a）	1.8V，4.5V	30mohm @ 3a，4.5V	1.2V @ 200µA	19 nc @ 5 V	±8V	1550 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
TK100A06N1，S4X	2.7600	RFQ	50	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK100A06	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	不适用	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	100A（TC）	10V	2.7MOHM @ 50A，10V	4V @ 1mA	140 NC @ 10 V	±20V	10500 PF @ 30 V	-	45W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²