晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SB906-Y(TE16L1,NQ	1.2100	询价	5609	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SB906			1W	PW-模具	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000																60V	3A					100μA（ICBO）	国民党	1.7V@300mA，3A	100@500mA，5V	9兆赫兹
TPH2R408QM,L1Q	1.7000	询价	3476	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH2R408		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		80V	120A（温度）	6V、10V	2.43毫欧@50A，10V	3.5V@1mA	87nC@10V	±20V	8300pF@40V	-	3W（Ta）、210W（Tc）
RN1422TE85LF	0.4200	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1422			200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	800毫安					500纳安	NPN - 预偏置	250mV@1mA、50mA	65@100mA，1V	300兆赫	2.2欧姆	2.2欧姆
TPCP8107，LF	0.7200	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-SMD，写入	TPCP8107		MOSFET（金属O化物）		PS-8	-		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		40V	8A（塔）	6V、10V	18毫欧@4A，10V	3V@1mA	44.6nC@10V	+10V，-20V	10V时为2160pF	-	1W（塔）
TK100A08N1,S4X	3.7500	询价	2898	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK100A08		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		80V	100A（温度）	10V	3.2毫欧@50A，10V	4V@1mA	130nC@10V	±20V	9000pF@40V	-	45W（温度）
SSM6K810R,LF	0.6300	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6K810		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	3.5A（塔）	4.5V、10V	69毫欧@2A，10V	2.5V@100μA	3.2nC@4.5V	±20V	15V时为430pF	-	1.5W（塔）
RN1105,LF(CT	0.2700	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1105			100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	100毫安					500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	47欧姆
RN1106MFV(TL3,T)	-	询价	5110	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-723	RN1106			150毫W	VESM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	8,000																50V	100毫安					500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V		4.7欧姆	47欧姆
SSM3J374R，LXHF	0.4000	询价	9279	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写			MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	4A（塔）	4V、10V	71毫欧@3A，10V	2V@100μA	5.9nC@10V	+10V，-20V	280pF@15V	-	1W（塔）
TK35A08N1,S4X	1.0500	询价	24	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK35A08		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		80V	35A（温度）	10V	12.2毫欧@17.5A，10V	4V@300μA	25nC@10V	±20V	1700 pF @ 40 V	-	30W（温度）
RN1711,LF	0.3100	询价	1202	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN1711			200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	100毫安					100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10k欧姆	-
SSM6J212FE,LF	0.4600	询价	6467	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6J212		MOSFET（金属O化物）		ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000		P沟道		20V	4A（塔）	1.5V、4.5V	40.7毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	14.1nC@4.5V	±8V	970pF@10V	-	500毫W（塔）
TPC8048-H(TE12L,Q)	-	询价	7690	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	切带 (CT)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8048		MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		60V	16A（塔）	4.5V、10V	6.9毫欧@8A，10V	2.3V@1mA	87nC@10V	±20V	7540pF@10V	-	1W（塔）
SSM6K804R，LF	0.7000	询价	7187	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6K804		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		40V	12A（塔）	4.5V、10V	12毫欧@4A，10V	2.4V@100μA	7.5nC@4.5V	±20V	1110pF@20V	-	1.5W（塔）
SSM3K72KCT，L3F	0.2500	询价	71	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K72		MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道		60V	400mA（塔）	4.5V、10V	1.5欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	0.6nC@4.5V	±20V	40pF@10V	-	500毫W（塔）
SSM3K15FS,LF	-	询价	2330	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	SSM3K15		MOSFET（金属O化物）		SSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		30V	100mA（塔）	2.5V、4V	4欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	7.8pF@3V	-	200毫W（塔）
SSM6N40TU,LF	0.4800	询价	18	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6N40		MOSFET（金属O化物）	500毫W（塔）	六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			30V	1.6A（塔）		122毫欧@1A，10V	2.6V@1mA	5.1nC@10V		180pF@15V	逻辑电平门，4V驱动
HN1A01FU-GR,LF	0.2600	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1A01			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																50V	150毫安					100nA（ICBO）	2 PNP（双）	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
TK58E06N1,S1X	1.4600	询价	7818	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK58E06		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	58A（塔）	10V	5.4毫欧@29A，10V	4V@500μA	46nC@10V	±20V	3400pF@30V	-	110W（温度）
TPN2R805PL,L1Q	0.9800	询价	4	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN2R805		MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		45V	139A（Ta）、80A（Tc）	4.5V、10V	2.8毫欧@40A，10V	2.4V@300μA	39nC@10V	±20V	3200pF@22.5V	-	2.67W（Ta）、104W（Tc）
2SC2235-Y(T6OMI,FM	-	询价	2579	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																120V	800毫安					100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
TK60D08J1(Q)	-	询价	6420	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK60D08		MOSFET（金属O化物）		TO-220(W)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		75V	60A（塔）	4.5V、10V	7.8毫欧@30A，10V	2.3V@1mA	86nC@10V	±20V	5450pF@10V	-	140W（温度）
HN1B04FU-GR,LF	0.3300	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1B04			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	150毫安					100nA（ICBO）	NPN、PNP	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	150兆赫
TPH1110ENH,L1Q	0.6941	询价	3205	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH1110		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		200V	7.2A（塔）	10V	114毫欧@3.6A，10V	4V@200μA	7nC@10V	±20V	600 pF @ 100 V	-	1.6W（Ta）、42W（Tc）
RN2315TE85LF	0.3000	询价	15	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2315			100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	2.2欧姆	10欧姆
RN1901,LXHF(CT	0.3600	询价	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1901			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																50V	100毫安					500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
SSM3K72KFS,LXHF	0.3300	询价	9054	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-75、SOT-416			MOSFET（金属O化物）		SSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		60V	300mA（塔）	4.5V、10V	1.5欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	0.6nC@4.5V	±20V	40pF@10V	-	150毫W（塔）
TK10A50D(STA4,Q,M)	1.9000	询价	5682	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK10A50		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		500V	10A（塔）	10V	720毫欧@5A，10V	4V@1mA	20nC@10V	±30V	1050pF@25V	-	45W（温度）
GT30J65MRB,S1E	2.5800	询价	74	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	GT30J65	标准		200W	TO-3P(N)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	25			400V，15A，56欧姆，15V											200纳秒	-	650伏	60A	1.8V@15V，30A	1.4mJ（开），220μJ（关）	70℃	75纳秒/400纳秒
TPC6010-H(TE85L,FM	-	询价	7814	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TPC6010		MOSFET（金属O化物）		VS-6 (2.9x2.8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		60V	6.1A（塔）	4.5V、10V	59毫欧@3.1A，10V	2.3V@100μA	12nC@10V	±20V	10V时为830pF	-	700毫W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²