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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
TK10E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK10E80W，S1X 3.6500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 9.5A（TA） 10V 550MOHM @ 4.8A，10V 4V @ 450µA 19 nc @ 10 V ±20V 1150 PF @ 300 V - 130W（TC）
GT50J341,Q Toshiba Semiconductor and Storage GT50J341，q 3.5900
RFQ
 ECAD 3865 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 标准 200 w to-3p n（n） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 - - 600 v 50 a 100 a 2.2V @ 15V，50a - -
TDTA123J,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA123J，LM 0.1800
RFQ
 ECAD 7429 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TDTA123 320兆W SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 2.2 kohms
GT40QR21(STA1,E,D Toshiba Semiconductor and Storage gt40qr21（sta1，e，d 3.6200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 GT40QR21 标准 230 w to-3p n（n） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-GT40QR21 （STA1ED Ear99 8541.29.0095 25 280V，40a，10ohm，20V 600 ns - 1200 v 40 a 80 a 2.7V @ 15V，40a - （290µJ）（290µJ） -
TPW1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW1500CNH，L1Q 2.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET （金属 o化物） 8-dsop提前 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 150 v 38A（TC） 10V 15.4mohm @ 19a，10v 4V @ 1mA 22 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 75 V - 800MW（TA），142W （TC）
SSM6L820R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L820R，LF 0.5300
RFQ
 ECAD 2581 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6L820 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V，20V 4A（ta） 39.1MOHM @ 2A，4.5V，45MOHM @ 3.5A，10V 1V @ 1MA，1.2V @ 1MA 3.2nc @ 4.5V，6.7nc @ 4.5V 310pf @ 15V，480pf @ 10V -
TK10P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10P50W，RQ 1.7600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 500 v 9.7A（ta） 10V 430MOHM @ 4.9A，10V 3.7V @ 500µA 20 nc @ 10 V ±30V 700 pf @ 300 V - 80W（TC）
SSM3K16FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FV，L3F 0.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-723 MOSFET （金属 o化物） VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 n通道 20 v （100mA）（TA） 1.5V，4V 3ohm @ 10mA，4V 1.1V @ 100µA ±10V 9.3 pf @ 3 V - 150MW（TA）
TDTA124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA124E，LM 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TDTA124 320兆W SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 56 @ 5mA，5V 250 MHz 22 KOHMS
TTC014,L1NV Toshiba Semiconductor and Storage TTC014，L1NV 0.9900
RFQ
 ECAD 8196 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 1 w PW-MOLD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 800 v 1 a 100NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 100 @ 100mA，5V -
2SA2142(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2142（TE16L1，NQ） 0.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 1 w PW-MOLD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 2,000 600 v 500 MA 10µA（ICBO） PNP 1V @ 10mA，100mA 100 @ 50mA，5V 35MHz
SSM5N16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N16FU，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 SSM5N16 MOSFET （金属 o化物） 200mw（ta） USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V （100mA）（TA） 3ohm @ 10mA，4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3V -
RN2503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2503（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74A，SOT-753 RN2503 300MW SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（PNP- 预偏（双重）（） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200MHz 22KOHMS 22KOHMS
2SC2655-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-o（te6，f，m） -
RFQ
 ECAD 8083 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2655 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） NPN 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
2SC3325-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3325-o（te85l，f） 0.3900
RFQ
 ECAD 9502 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SC3325 200兆 S-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 500 MA 100NA（ICBO） NPN 250mv @ 10mA，100mA 70 @ 100mA，1V 300MHz
RN1413(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1413（TE85L，F） 0.2900
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1413 200兆 S-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250 MHz 47科姆斯
2SC5095-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5095-O（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 3191 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SC5095 100MW SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 13db〜7dB 10V 15mA NPN 80 @ 7mA，6v 10GHz 1.8dB @ 2GHz
2SA965-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-O te6，f，m） -
RFQ
 ECAD 2634 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA965 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） PNP 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
RN1406S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage RN1406S，LF（d -
RFQ
 ECAD 5653 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1406 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） RN1406SLF（d Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
HN1B04FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-gr，LF 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 HN1B04 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100NA（ICBO） NPN，PNP 250mv @ 10mA，100mA 200 @ 2mA，6v 150MHz
RN2710JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2710JE（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-553 RN2710 100MW ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（PNP- 预偏（双重）（） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200MHz 4.7kohms -
2SA1020-O,T6CSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O，T6CSF（j -
RFQ
 ECAD 8987 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1020 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
HN4C51J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4C51J（TE85L，F） 0.4500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 HN4C51 300MW SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN （双）共同基础 300mv @ 1mA，10mA 200 @ 2mA，6v 100MHz
2SA1312GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1312GRTE85LF 0.0618
RFQ
 ECAD 5284 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SA1312 150兆 S-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 ma 100NA（ICBO） PNP 300mv @ 1mA，10mA 200 @ 2mA，6v 100MHz
2SC4793,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793，f（j -
RFQ
 ECAD 3083 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SC4793 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA（ICBO） NPN 1.5V @ 50mA，500mA 100 @ 100mA，5V 100MHz
2SA1887(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1887（f） -
RFQ
 ECAD 2770 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SA1887 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 50 50 V 10 a 1µA（ICBO） PNP 400mv @ 250mA，5a 120 @ 1A，1V 45MHz
2SC2235-Y(T6KMATFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y t6kmatfm -
RFQ
 ECAD 9620 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2235 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） 2SC2235YT6KMATFM Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
RN1104T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104T5磅 0.3800
RFQ
 ECAD 528 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1104 100兆 SSM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 47科姆斯 47科姆斯
RN2901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2901 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 3843 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2901 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
2SC2229-Y(SHP1,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-y shp1，f，m -
RFQ
 ECAD 8240 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2229 800兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 mA 100NA（ICBO） NPN 500mv @ 1mA，10mA 70 @ 10mA，5V 120MHz
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