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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
TPN1200APL，L1Q	0.8500	RFQ	3	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			100 v	40a（TC）	4.5V，10V	11.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 300µA	24 NC @ 10 V	±20V	1855 PF @ 50 V	-	630MW（ta），104W（tc）
TK14V65W，LQ	3.4800	RFQ	2719	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	4-VSFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		4-DFN-EP（8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			650 v	13.7A（TA）	10V	280MOHM @ 6.9a，10V	3.5V @ 690µA	35 NC @ 10 V	±30V	1300 PF @ 300 V	-	139W（TC）
2SC5200-O （S1，f	3.0100	RFQ	21	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	to-3pl				150 w	到3p（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	25																230 v	15 a								5µA（ICBO）	NPN	3V @ 800mA，8a	55 @ 1A，5V	30MHz
GT50JR21（sta1，E，S）	4.7900	RFQ	6501	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准		230 w	to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	264-GT50JR21（STA1ES）	Ear99	8541.29.0095	25			-												-	600 v	50 a	100 a	2V @ 15V，50a	-	-
SSM3J15CT，L3F	0.3100	RFQ	9	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SC-101，SOT-883			MOSFET （金属 o化物）		CST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000		P通道			30 V	（100mA）（TA）	2.5V，4V	12ohm @ 10mA，4V	1.7V @ 100µA		±20V	9.1 PF @ 3 V	-	100mW（TA）
TK8A25DA，S4X	0.9000	RFQ	40	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			250 v	7.5A（ta）	10V	500MOHM @ 3.8A，10V	3.5V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 100 V	-	30W（TC）
TK5P65W，RQ	1.3700	RFQ	2	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道			650 v	5.2a（ta）	10V	1.22OHM @ 2.6a，10V	3.5V @ 170µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 300 V	-	60W（TC）
TK055U60Z1，RQ	5.5900	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Powersfn			MOSFET （金属 o化物）		收费	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道			600 v	40a（ta）	10V	55mohm @ 15a，10v	4V @ 1.69mA	65 NC @ 10 V	±30V	3680 pf @ 300 V	-	270W（TC）
TW030Z120C，S1F	30.4100	RFQ	120	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-247-4			SIC （硅碳化物交界晶体管）		TO-247-4L x（X）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			1200 v	60a（TC）	18V	41mohm @ 30a，18v	5V @ 13mA	82 NC @ 18 V	+25V，-10V	2925 PF @ 800 V	-	249W（TC）
TK099V65Z，LQ	5.5600	RFQ	2	东芝半导体和存储	dtmosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	4-VSFN暴露垫	TK099V65		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN（8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			650 v	30a（TA）	10V	99mohm @ 15a，10v	4V @ 1.27mA	47 NC @ 10 V	±30V	2780 pf @ 300 V	-	230W（TC）
SSM6J206FE（TE85L，f	-	RFQ	3596	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6J206		MOSFET （金属 o化物）		ES6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000		P通道			20 v	2A（TA）	1.8V，4V	130MOHM @ 1A，4V	1V @ 1mA		±8V	335 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
TK50P04M1（T6RSS-Q）	-	RFQ	3751	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK50P04		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道			40 V	50a（ta）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 25A，10V	2.3V @ 500µA	38 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 10 V	-	60W（TC）
TPCP8103-H te85lfm	-	RFQ	9306	东芝半导体和存储	U-Mosiii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TPCP8103		MOSFET （金属 o化物）		PS-8（2.9x2.4）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道			40 V	4.8A（ta）	4.5V，10V	40mohm @ 2.4a，10v	2V @ 1mA	19 nc @ 10 V	±20V	800 pf @ 10 V	-	840MW（TA）
2SK880-BL（TE85L，F）	0.5900	RFQ	14	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SK880			100兆	SC-70	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道										13pf @ 10V										50 V	6 mA @ 10 V	1.5 V @ 100 na
SSM6J808R，LF	0.6400	RFQ	5	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6J808		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP-F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道			40 V	7a（ta）	4V，10V	35mohm @ 2.5a，10v	2V @ 100µA	24.2 NC @ 10 V	+10V，-20V	1020 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
SSM6P816R，LF	0.4900	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6P816		MOSFET （金属 o化物）	1.4W（TA）	6-TSOP-F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）				20V	6a（6a）		30.1MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	16.6nc @ 4.5V		1030pf @ 10V	逻辑水平门，1.8V
TPN1600ANH，L1Q	0.8800	RFQ	3	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN1600		MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			100 v	17a（TC）	10V	16mohm @ 8.5a，10v	4V @ 200µA	19 nc @ 10 V	±20V	1600 PF @ 50 V	-	700MW（TA），42W（TC）
SSM6L16FETE85LF	0.3800	RFQ	29	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TA）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6L16		MOSFET （金属 o化物）	150MW	ES6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000	n和p通道				20V	100mA		3ohm @ 10mA，4V	1.1V @ 100µA	-		9.3pf @ 3V	-
RN2903FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN2903			100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																50V	100mA								500NA	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200MHz	22KOHMS	22KOHMS
2SC5087R（TE85L，F）	0.1270	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-61AA	2SC5087			150MW	smq	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000				-												12V	80mA									NPN		120 @ 20mA，10v	8GHz			1.1db〜2dB @ 1GHz
HN1B04FU-Y，LF	0.2700	RFQ	12	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	HN1B04			200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																50V	150mA								100NA（ICBO）	NPN，PNP	250mv @ 10mA，100mA / 300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	150MHz
TK6A55DA（STA4，Q，m）	1.4900	RFQ	8915	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK6A55		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			550 v	5.5A（ta）	10V	1.48OHM @ 2.8A，10V	4.4V @ 1mA	12 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	35W（TC）
SSM6L36TU，LF	0.3800	RFQ	14	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6L36		MOSFET （金属 o化物）	500MW（TA）	UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道				20V	500mA（ta），330mA（ta）		630mohm @ 200ma，5v，1.31Ohm @ 100mA，4.5V	1V @ 1mA	1.23nc @ 4V，1.2NC @ 4V		46pf @ 10V，43pf @ 10V	逻辑级别门，1.5V
rn2961fe（te85l，f）	-	RFQ	9441	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN2961			100MW	ES6	-		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																50V	100mA								100NA（ICBO）	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	200MHz	4.7kohms	4.7kohms
HN1C01FU-Y t5l，f，t	-	RFQ	3498	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	HN1C01			200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																50V	150mA								100NA（ICBO）	2 NPN （双）	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
RN1909，LF（ct	0.2700	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1909			200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																50V	100mA								500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250MHz	47kohms	22KOHMS
TK1K2A60F，S4X	1.0400	RFQ	40	东芝半导体和存储	u-mosix	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK1K2A60		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	不适用		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			600 v	6a（6a）	10V	1.2OHM @ 3A，10V	4V @ 630µA	21 NC @ 10 V	±30V	740 pf @ 300 V	-	35W（TC）
RN2412，LXHF	0.0645	RFQ	2650	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2412			200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																50 V	100 ma								100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200 MHz	22 KOHMS
TPN11003NL，LQ	0.6800	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN11003		MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	11A（TC）	4.5V，10V	11MOHM @ 5.5A，10V	2.3V @ 100µA	7.5 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 15 V	-	700MW（TA），19w（tc）
TPC8208（TE12L，Q，M）	-	RFQ	2448	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	TPC8208		MOSFET （金属 o化物）	450MW	8-SOP（5.5x6.0）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）				20V	5a		50mohm @ 2.5a，4V	1.2V @ 200µA	9.5nc @ 5V		780pf @ 10V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²