SIC
close

2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
TK20A25D,S5Q(M Toshiba Semiconductor and Storage TK20A25D，S5Q （M -
RFQ
 ECAD 8354 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK20A25 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 20A（TA） 10V 100mohm @ 10a，10v 3.5V @ 1mA 55 NC @ 10 V ±20V 2550 pf @ 100 V - 45W（TC）
TK20P04M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK20P04M1，RQ s -
RFQ
 ECAD 3613 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 TK20P04 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 40 V 20A（TA） 4.5V，10V 29mohm @ 10a，10v 2.3V @ 100µA 15 NC @ 10 V ±20V 985 PF @ 10 V - 27W（TC）
TK20S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20S04K3L （T6L1，NQ -
RFQ
 ECAD 2714 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴（（tr） 过时的 175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 TK20S04 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 40 V 20A（TA） 6V，10V 14mohm @ 10a，10v 3V @ 1mA 18 nc @ 10 V ±20V 820 pf @ 10 V - 38W（TC）
TK25E06K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK25E06K3，S1X（s -
RFQ
 ECAD 4655 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TK25E06 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 25A（TA） 18mohm @ 12.5a，10v - 29 NC @ 10 V - 60W（TC）
TK3A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65D（sta4，Q，m） 1.6100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK3A65 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 3A（3A） 10V 2.25OHM @ 1.5A，10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±30V 540 pf @ 25 V - 35W（TC）
TK45P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK45P03M1，RQ s -
RFQ
 ECAD 5821 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 TK45P03 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 30 V 45A（TA） 4.5V，10V 9.7MOHM @ 22.5A，10V 2.3V @ 200µA 25 NC @ 10 V ±20V 1500 pf @ 10 V - -
TK4A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A55D（sta4，Q，m） -
RFQ
 ECAD 6988 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK4A55 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 550 v 4A（ta） 10V 1.88OHM @ 2A，10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±30V 490 pf @ 25 V - 35W（TC）
TK4P55D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P55D（t6rss-Q） -
RFQ
 ECAD 5025 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 TK4P55 MOSFET （金属 o化物） D-pak 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TK4P55DT6RSQ Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 550 v 4A（ta） 10V 1.88OHM @ 2A，10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±30V 490 pf @ 25 V - 80W（TC）
TK4P60DB(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DB（T6RSS-Q） -
RFQ
 ECAD 1320 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 TK4P60 MOSFET （金属 o化物） D-pak 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TK4P60DBT6RSQ Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 3.7a（ta） 10V 2ohm @ 1.9a，10v 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±30V 540 pf @ 25 V - 80W（TC）
TK5A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60D（sta4，Q，m） 1.5700
RFQ
 ECAD 3980 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK5A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 5A（5A） 10V 1.43OHM @ 2.5A，10V 4.4V @ 1mA 16 NC @ 10 V ±30V 700 pf @ 25 V - 35W（TC）
TK5P53D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK5P53D（T6RSS-Q） 1.3400
RFQ
 ECAD 4199 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 TK5P53 MOSFET （金属 o化物） D-pak 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 525 v 5A（5A） 10V 1.5OHM @ 2.5A，10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±30V 540 pf @ 25 V - 80W（TC）
TK60P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK60P03M1，RQ s -
RFQ
 ECAD 6408 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 TK60P03 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 30 V 60a（ta） 4.5V，10V 6.4mohm @ 30a，10v 2.3V @ 500µA 40 NC @ 10 V ±20V 2700 PF @ 10 V - 63W（TC）
2SA1244-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1244-y Q） -
RFQ
 ECAD 1152 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-251-3，IPAK，TO-251AA 2SA1244 1 w PW-MOLD - （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 200 50 V 5 a 1µA（ICBO） PNP 400mv @ 150mA，3a 120 @ 1A，1V 60MHz
2SA1930(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930（Q，M） -
RFQ
 ECAD 3597 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SA1930 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 500 180 v 2 a 5µA（ICBO） PNP 1V @ 100mA，1a 100 @ 100mA，5V 200MHz
2SC5439(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5439（f） -
RFQ
 ECAD 9123 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SC5439 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 450 v 8 a 100µA（ICBO） NPN 1V @ 640mA，3.2a 14 @ 1a，5v -
2SD2406-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2406-y（f） -
RFQ
 ECAD 9090 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SD2406 25 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 80 V 4 a 30µA（ICBO） NPN 1.5V @ 300mA，3a 120 @ 500mA，5V 8MHz
2SK3309(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3309（TE24L，Q） -
RFQ
 ECAD 7505 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 2SK3309 MOSFET （金属 o化物） TO-220SM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 450 v 10a（10a） 10V 650MOHM @ 5A，10V 5V @ 1mA 23 NC @ 10 V ±30V 920 PF @ 10 V - 65W（TC）
TK12A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60U（Q，M） -
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosii 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK12A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 12a（12a） 10V 400mohm @ 6a，10v 5V @ 1mA 14 NC @ 10 V ±30V 720 PF @ 10 V - 35W（TC）
TK20J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage TK20J60U（f） -
RFQ
 ECAD 2851 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosii 托盘 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 TK20J60 MOSFET （金属 o化物） to-3p n（n） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 20A（TA） 10V 190mohm @ 10a，10v 5V @ 1mA 27 NC @ 10 V ±30V 1470 pf @ 10 V - 190w（TC）
TK70D06J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK70D06J1（Q） -
RFQ
 ECAD 8209 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TK70 MOSFET （金属 o化物） TO-220（W） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 70a（ta） 4.5V，10V 6.4MOHM @ 35A，10V 2.3V @ 1mA 87 NC @ 10 V ±20V 5450 pf @ 10 V - 45W（TC）
TPC6107(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6107（TE85L，F，M） -
RFQ
 ECAD 1647年 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 TPC6107 MOSFET （金属 o化物） VS-6（2.9x2.8） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 4.5A（ta） 2V，4.5V 55mohm @ 2.2a，4.5V 1.2V @ 200µA 9.8 NC @ 5 V ±12V 680 pf @ 10 V - 700MW（TA）
TPC6901(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6901（TE85L，F，M） -
RFQ
 ECAD 6955 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 TPC6901 400MW VS-6（2.9x2.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 1A，700mA 100NA（ICBO） NPN，PNP 170mv @ 6mA，300mA / 230mv @ 10mA，300mA 400 @ 100mA，2v / 200 @ 100mA，2v -
TPC8031-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8031-H （TE12LQM） -
RFQ
 ECAD 5858 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8031 MOSFET （金属 o化物） 8-SOP（5.5x6.0） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 11a（11a） 13.3MOHM @ 5.5A，10V 2.5V @ 1mA 21 NC @ 10 V 2150 pf @ 10 V - -
TPC8110(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8110（TE12L，Q，M） -
RFQ
 ECAD 6368 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8110 MOSFET （金属 o化物） 8-SOP（5.5x6.0） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 40 V 8a（8a） 4V，10V 25mohm @ 4A，10V 2V @ 1mA 48 NC @ 10 V ±20V 2180 pf @ 10 V - 1W（ta）
TPC8208(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8208（TE12L，Q，M） -
RFQ
 ECAD 2448 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8208 MOSFET （金属 o化物） 450MW 8-SOP（5.5x6.0） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 5a 50mohm @ 2.5a，4V 1.2V @ 200µA 9.5nc @ 5V 780pf @ 10V 逻辑级别门
TPCA8003-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage tpca8003-h te12lqm -
RFQ
 ECAD 4120 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPCA8003 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 35A（TA） 4.5V，10V 6.6mohm @ 18a，10v 2.3V @ 1mA 25 NC @ 10 V ±20V 1465 pf @ 10 V - 1.6W（ta），45W（tc）
TPCA8010-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage tpca8010-h（TE12LQM -
RFQ
 ECAD 6650 0.00000000 东芝半导体和存储 π-MOSV 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPCA8010 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 200 v 5.5A（ta） 10V 450MOHM @ 2.7A，10V 4V @ 1mA 10 NC @ 10 V ±20V 600 pf @ 10 V - 1.6W（ta），45W（tc）
TPCA8023-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage tpca8023-h（TE12LQM -
RFQ
 ECAD 3367 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPCA8023 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 21a（21a） 4.5V，10V 12.9mohm @ 11a，10v 2.5V @ 1mA 21 NC @ 10 V ±20V 2150 pf @ 10 V - 1.6W（TA），30W（TC）
TPCA8105(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8105（te12l，Q，m -
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPCA8105 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 12 v 6a（6a） 1.8V，4.5V 33mohm @ 3A，4.5V 1.2V @ 200µA 18 nc @ 5 V ±8V 1600 PF @ 10 V - 1.6W（TA），20W（tc）
TPCF8304(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8304 （TE85L，F，m -
RFQ
 ECAD 5747 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TPCF8304 MOSFET （金属 o化物） 330MW VS-8 （2.9x1.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 3.2a 72MOHM @ 1.6A，10V 1.2V @ 1mA 14NC @ 10V 600pf @ 10V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭