晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SA2154CT-GR，L3F	0.3200	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	2SA2154		100毫W	CST3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
TK9A45D(STA4,Q,M)	1.7100	询价	8473	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK9A45	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	450伏	9A（塔）	10V	770毫欧@4.5A，10V	4V@1mA	16nC@10V	±30V	800pF@25V	-	40W（温度）
RN2505TE85LF	0.3400	询价	219	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74A、SOT-753	RN2505		300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
TPW4R50ANH,L1Q	2.7900	询价	3418	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	TPW4R50	MOSFET（金属O化物）		8-DSOP 高级	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	100V	92A（温度）	10V	4.5毫欧@46A，10V	4V@1mA	58nC@10V	±20V	5200pF@50V	-	800mW（Ta）、142W（Tc）
2SJ438,Q(J	-	询价	2689	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-220-3全包	2SJ438			TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1				5A（Tj）
SSM6J216FE,LF	0.4900	询价	2168	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6J216	MOSFET（金属O化物）		ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000		P沟道	12V	4.8A（塔）	1.5V、4.5V	32毫欧@3.5A，4.5V	1V@1mA	12.7nC@4.5V	±8V	1040pF@12V	-	700毫W（塔）
2SA1680(女,男)	-	询价	5165	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1680		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	120@100mA，2V	100兆赫兹
2SA1931,SINFQ(J	-	询价	1785	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1931		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1													50V	5A	1μA（ICBO）	国民党	400mV@200mA，2A	100 @ 1A、1V	60兆赫
TK8A65D(STA4,Q,M)	2.4000	询价	8	东芝半导体和存储	π-MOSVII	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK8A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	8A（塔）	10V	840毫欧@4A，10V	4V@1mA	25nC@10V	±30V	1350pF@25V	-	45W（温度）
2SC4935-Y,Q(J	-	询价	8469	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC4935		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1													50V	3A	1μA（ICBO）	NPN	600mV@200mA，2A	70@500mA，2V	80兆赫
2SC2229-Y(T6ONK1FM	-	询价	8244	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2229		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	2SC2229YT6ONK1FM	EAR99	8541.21.0075	1													150伏	50毫安	100nA（ICBO）	NPN	500mV@1mA、10mA	70@10mA，5V	120兆赫
2SD2257,Q(J	-	询价	9453	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SD2257		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1													100V	3A	10μA（ICBO）	NPN	1.5V@1.5mA，1.5A	2000 @ 2A、2V	-
SSM6P40TU,LF	0.4800	询价	3853	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6P40	MOSFET（金属O化物）	500毫W（塔）	六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）		30V	1.4A（塔）		226mOhm@1A，10V	2V@1mA	2.9nC@10V		120pF@15V	逻辑电平门，4V驱动
TK090Z65Z,S1F	6.3200	询价	25	东芝半导体和存储	DTMOSVI	管子	的积极	150℃	通孔	TO-247-4		MOSFET（金属O化物）		TO-247-4L(T)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	25		N沟道	650伏	30A（塔）	10V	90毫欧@15A，10V	4V@1.27mA	47nC@10V	±30V	2780 pF @ 300 V	-	230W（温度）
2SC5354,TOJSQ(O	-	询价	2914	东芝半导体和存储	*	管子	的积极				2SC5354				下载	符合RoHS标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50
TJ20S04M3L(T6L1,NQ	1.3300	询价	9822	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ20S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道	40V	20A（塔）	6V、10V	22.2毫欧@10A、10V	3V@1mA	37nC@10V	+10V，-20V	1850pF@10V	-	41W（温度）
TPC8092,LQ(S	-	询价	8376	东芝半导体和存储	U-MOSVII	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPC8092	MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	15A（塔）	4.5V、10V	9毫欧@7.5A，10V	2.3V@200μA	25nC@10V	±20V	1800pF@10V	-	1W（塔）
RN4904,LXHF(CT	0.4400	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4904		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	47k欧姆	47k欧姆
RN4987FE,LF(CT	0.2700	询价	32	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4987		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
TPC8134，LQ(S	0.7300	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPC8134	MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	40V	5A（塔）	4.5V、10V	52毫欧@2.5A，10V	2V@100μA	20nC@10V	+20V，-25V	10V时为890pF	-	1W（塔）
TK110A10PL,S4X	1.0900	询价	328	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-220-3全包	TK110A10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100V	36A（温度）	4.5V、10V	10.8毫欧@18A，10V	2.5V@300μA	33nC@10V	±20V	2040pF@50V	-	36W（温度）
RN2703,LF	0.2900	询价	5173	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN2703		200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	22k欧姆
TPWR8004PL,L1Q	2.9700	询价	1220	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	TPWR8004	MOSFET（金属O化物）		8-DSOP 高级	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	40V	150A（温度）	4.5V、10V	0.8毫欧@50A，10V	2.4V@1mA	10V时为103nC	±20V	9600pF@20V	-	1W（Ta）、170W（Tc）
SSM6K211FE,LF	0.5400	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6K211	MOSFET（金属O化物）		ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000		N沟道	20V	3.2A（塔）	1.5V、4.5V	47毫欧@2A，4.5V	1V@1mA	10.8nC@4.5V	±10V	510pF@10V	-	500毫W（塔）
TPHR9203PL,L1Q	1.6300	询价	8	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPHR9203	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	150A（温度）	4.5V、10V		2.1V@500μA	80nC@10V	±20V	7540pF@15V	-	132W（温度）
2SC3326-A，LF	0.4000	询价	78	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC3326		150毫W	TO-236	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													20V	300毫安	100nA（ICBO）	NPN	100毫伏@3毫安，30毫安	200@4mA，2V	30兆赫兹
RN2708JE(TE85L,F)	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-553	RN2708		100毫W	ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	47k欧姆
SSM3K341TU，LF	0.4400	询价	19号	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3K341	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	6A（塔）	4V、10V	36mOhm@4A，10V	2.5V@100μA	9.3nC@10V	±20V	550pF@10V	-	1.8W（塔）
RN2415,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2415		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	2.2欧姆	10欧姆
TJ20S04M3L,LXHQ	0.9400	询价	34	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ20S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道	40V	20A（塔）	6V、10V	22.2毫欧@10A、10V	3V@1mA	37nC@10V	+10V，-20V	1850pF@10V	-	41W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²