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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SA1837，HFEMBJF（j	-	RFQ	3388	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1837		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1												230 v	1 a	1µA（ICBO）	PNP	1.5V @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	70MHz
2SA1837，HFEYHF（j	-	RFQ	6394	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1837		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1												230 v	1 a	1µA（ICBO）	PNP	1.5V @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	70MHz
2SA1837，hfeyhf（m	-	RFQ	6958	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1837		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1												230 v	1 a	1µA（ICBO）	PNP	1.5V @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	70MHz
2SA1931，Q（j	-	RFQ	8362	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1931		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1												50 V	5 a	1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 200mA，2a	100 @ 1A，1V	60MHz
2SA949-y te6，f，m）	-	RFQ	6398	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA949		800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1												150 v	50 mA	100NA（ICBO）	PNP	800mv @ 1mA，10a	70 @ 10mA，5V	120MHz
2SA949-y，onk-1f（m	-	RFQ	6594	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA949		800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1												150 v	50 mA	100NA（ICBO）	PNP	800mv @ 1mA，10a	70 @ 10mA，5V	120MHz
2SA965-y t6cano，FM	-	RFQ	3779	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA965		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1												120 v	800 MA	100NA（ICBO）	PNP	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
2SB1457（TE6，F，M）	-	RFQ	8231	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SB1457		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1												100 v	2 a	10µA（ICBO）	PNP	1.5V @ 1mA，1a	2000 @ 1A，2V	50MHz
2SC2229-O（T6SAN2FM	-	RFQ	1326	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2229		800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	2SC2229OT6SAN2FM	Ear99	8541.21.0075	1												150 v	50 mA	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	70 @ 10mA，5V	120MHz
2SC2235-O （T6FJT，FM	-	RFQ	6710	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2235		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1												120 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
2SC2235-y，USNHF（m	-	RFQ	6441	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2235		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1												120 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
2SC2383-Y，T6KeHF（m	-	RFQ	1154	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2383		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1												160 v	1 a	1µA（ICBO）	NPN	1.5V @ 50mA，500mA	60 @ 200ma，5V	100MHz
2SC3668-Y，F2PANF（j	-	RFQ	1899年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SC3668		1 w	MSTM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1												50 V	2 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
2SC3669-y t2omi，FM	-	RFQ	8935	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SC3669		1 w	MSTM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1												80 V	2 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
2SC4604，f（j	-	RFQ	8562	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC4604		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1												50 V	3 a	100NA（ICBO）	NPN	500MV @ 75mA，1.5a	120 @ 100mA，2V	100MHz
2SC4682，T6CSF（j	-	RFQ	7435	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC4682		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1												15 v	3 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 30mA，3a	800 @ 500mA，1V	150MHz
2SC4682，t6f（j	-	RFQ	4429	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC4682		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1												15 v	3 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 30mA，3a	800 @ 500mA，1V	150MHz
SSM6K514NU，LF	0.4700	RFQ	47	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6K514	MOSFET （金属 o化物）		6-udfnb（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	12a（12a）	4.5V，10V	11.6mohm @ 4A，10V	2.4V @ 100µA	7.5 NC @ 4.5 V	±20V	1110 PF @ 20 V	-	2.5W（TA）
RN1115MFV，L3F	0.0261	RFQ	9911	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SOT-723	RN1115		150兆	VESM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	8,000												50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	10 kohms
2SC4116-O （TE85L，F）	0.0403	RFQ	8189	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC4116		100兆	SC-70	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000												50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 2mA，6v	80MHz
TK10A80W，S4X	2.8400	RFQ	4462	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK10A80	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	不适用		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	9.5A（TA）	10V	550MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 450µA	19 nc @ 10 V	±20V	1150 PF @ 300 V	-	40W（TC）
TK17E80W，S1X	4.5900	RFQ	4719	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3	TK17E80	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	17A（TA）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 850µA	32 NC @ 10 V	±20V	2050 pf @ 300 V	-	180W（TC）
2SC2712-bl，LF	0.2000	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SC2712		150兆	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000												50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 2mA，6v	80MHz
SSM3J351R，LXHF	0.6500	RFQ	73	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-MOSVI	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SOT-23-3平线		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	60 V	3.5A（ta）	4V，10V	134mohm @ 1A，10V	2V @ 1mA	15.1 NC @ 10 V	+10V，-20V	660 pf @ 10 V	-	1W（ta）
SSM3J377R，LXHF	0.4700	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-MOSVI	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SOT-23-3平线		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	3.9a（ta）	1.5V，4.5V	93mohm @ 1.5A，4.5V	1V @ 1mA	4.6 NC @ 4.5 V	+6V，-8V	290 pf @ 10 V	-	1W（ta）
SSM3J378R，LXHF	0.5000	RFQ	24	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-MOSVI	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SOT-23-3平线		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	6a（6a）	1.5V，4.5V	29.8mohm @ 3A，4.5V	1V @ 1mA	12.8 NC @ 4.5 V	+6V，-8V	840 pf @ 10 V	-	1W（ta）
TK065U65Z，RQ	6.3200	RFQ	7	东芝半导体和存储	dtmosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Powersfn		MOSFET （金属 o化物）		收费	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	650 v	38a（ta）	10V	65mohm @ 19a，10v	4V @ 1.69mA	62 NC @ 10 V	±30V	3650 PF @ 300 V	-	270W（TC）
TK110U65Z，RQ	4.5300	RFQ	3	东芝半导体和存储	dtmosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Powersfn		MOSFET （金属 o化物）		收费	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	650 v	24A（24A）	10V	110mohm @ 12a，10v	4V @ 1.02mA	40 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 300 V	-	190w（TC）
XPH3R206NC，L1XHQ	1.7500	RFQ	19	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-SOIC （0.197英寸，5.00mm宽度）	XPH3R206	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	60 V	70a（ta）		3.2MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 500µA	65 NC @ 10 V	±20V	4180 pf @ 10 V	-	（960MW）（TA），132W（tc）
TW060Z120C，S1F	17.8200	RFQ	7048	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-247-4		SIC （硅碳化物交界晶体管）		TO-247-4L x（X）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1200 v	36a（TC）	18V	82mohm @ 18a，18v	5V @ 4.2mA	46 NC @ 18 V	+25V，-10V	1530 PF @ 800 V	-	170W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²