RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
TK8S06K3L（T6L1，NQ）	1.2600	RFQ	4739	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK8S06	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	8a（8a）	6V，10V	54mohm @ 4A，10V	3V @ 1mA	10 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 10 V	-	25W（TC）
TK9A55DA（sta4，Q，m）	2.0200	RFQ	9871	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK9A55	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	550 v	8.5a（ta）	10V	860MOHM @ 4.3A，10V	4V @ 1mA	20 nc @ 10 V	±30V	1050 pf @ 25 V	-	40W（TC）
tpc6009-h te85l，FM	-	RFQ	2245	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	TPC6009	MOSFET （金属 o化物）		VS-6（2.9x2.8）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	40 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	81MOHM @ 2.7A，10V	2.3V @ 100µA	4.7 NC @ 10 V	±20V	290 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
tpc6010-h te85l，FM	-	RFQ	7814	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	TPC6010	MOSFET （金属 o化物）		VS-6（2.9x2.8）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	6.1a（ta）	4.5V，10V	59MOHM @ 3.1A，10V	2.3V @ 100µA	12 nc @ 10 V	±20V	830 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
TPC6110（TE85L，F，M）	-	RFQ	4645	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	TPC6110	MOSFET （金属 o化物）		VS-6（2.9x2.8）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	4.5A（ta）		56mohm @ 2.2a，10v	2V @ 100µA	14 NC @ 10 V		510 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
TPC8066-H，LQ s	-	RFQ	9428	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8066	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	16mohm @ 5.5a，10v	2.3V @ 100µA	15 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 10 V	-	1W（ta）
tpc8125，lq（s	0.7300	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8125	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	10a（10a）	4.5V，10V	13mohm @ 5a，10v	2V @ 500µA	64 NC @ 10 V	+20V，-25V	2580 pf @ 10 V	-	1W（ta）
tpc8126，lq（cm	-	RFQ	6338	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	TPC8126	MOSFET （金属 o化物）		8-SOP（5.5x6.0）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	10mohm @ 5.5a，10v	2V @ 500µA	56 NC @ 10 V	+20V，-25V	2400 pf @ 10 V	-	1W（ta）
tpc8132，lq（s	0.9600	RFQ	1	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8132	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	7a（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 3.5a，10v	2V @ 200µA	34 NC @ 10 V	+20V，-25V	1580 pf @ 10 V	-	1W（ta）
tpc8133，lq（s	1.2800	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8133	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	9a（9a）	4.5V，10V	15mohm @ 4.5A，10V	2V @ 500µA	64 NC @ 10 V	+20V，-25V	2900 PF @ 10 V	-	1W（ta）
tpc8407，lq（s	-	RFQ	5590	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8407	MOSFET （金属 o化物）	450MW	8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	2,500	n和p通道		30V	9a，7.4a		17mohm @ 4.5A，10V	2.3V @ 100µA	17NC @ 10V		1190pf @ 10V	逻辑级别门
TPCA8056-H，LQ （M	-	RFQ	5127	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8056	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	48a（ta）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 24A，10V	2.3V @ 1mA	74 NC @ 10 V	±20V	6200 pf @ 10 V	-	1.6W（TA），63w（tc）
tpcc8009，lq（o	-	RFQ	6494	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCC8009	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	24A（24A）		7mohm @ 12a，10v	3V @ 200µA	26 NC @ 10 V		1270 pf @ 10 V	-	-
TPCL4201（TE85L，F）	-	RFQ	1167	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	4-xflga	TPCL4201	MOSFET （金属 o化物）	500MW	4芯片lga（1.59x1.59）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000	2 n 通道（半桥）		-	-		-	1.2V @ 200µA	-		720pf @ 10V	-
TPCL4202（TE85L，F）	-	RFQ	3500	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	4-xflga	TPCL4202	MOSFET （金属 o化物）	500MW	4芯片lga（1.59x1.59）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000	2 n 通道（半桥）		-	-		-	1.2V @ 200µA	-		780pf @ 10V	-
TPCL4203（TE85L，F）	-	RFQ	2304	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	4-xflga	TPCL4203	MOSFET （金属 o化物）	500MW	4芯片lga（1.59x1.59）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000	2 n 通道（半桥）		-	-		-	1.2V @ 200µA	-		685pf @ 10V	-
TTC012（Q）	-	RFQ	1714年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TTC012		1.1 w	PW-mold2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	TTC012Q	Ear99	8541.29.0095	200													375 v	2 a	10µA（ICBO）	NPN	1V @ 62.5mA，500mA	100 @ 300mA，5V	-
SSM3K36FS，LF	0.2900	RFQ	31	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SSM3K36	MOSFET （金属 o化物）		SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	500mA（ta）	1.5V，5V	630mohm @ 200ma，5v	1V @ 1mA	1.23 NC @ 4 V	±10V	46 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
SSM3K7002B，LF	-	RFQ	5298	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3K7002	MOSFET （金属 o化物）		S-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	200ma（ta）	4.5V，10V	2.1ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	17 pf @ 25 V	-	200mw（ta）
RN1103MFV，L3F	0.1700	RFQ	254	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	RN1103		150兆	VESM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	70 @ 10mA，5V		22 KOHMS	22 KOHMS
SSM3J327R，LF	0.4000	RFQ	35	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3J327	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.9a（ta）	1.5V，4.5V	93mohm @ 1.5A，4.5V	1V @ 1mA	4.6 NC @ 4.5 V	±8V	290 pf @ 10 V	-	1W（ta）
SSM3K15AFU，LF	0.2300	RFQ	102	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SSM3K15	MOSFET （金属 o化物）		USM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	（100mA）（TA）	2.5V，4V	3.6OHM @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA		±20V	13.5 pf @ 3 V	-	150MW（TA）
SSM3K2615R，LF	0.4600	RFQ	4	东芝半导体和存储	π-MOSV	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3K2615	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	2A（TA）	3.3V，10V	300MOHM @ 1A，10V	2V @ 1mA		±20V	150 pf @ 10 V	-	1W（ta）
TMBT3904，LM	0.1800	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TMBT3904		320兆W	SOT-23-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
SSM3K336R，LF	0.4300	RFQ	6	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3K336	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	3A（3A）	4.5V，10V	95MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 100µA	1.7 NC @ 4.5 V	±20V	126 pf @ 15 V	-	1W（ta）
SSM6N43FU，LF	0.4500	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SSM6N43	MOSFET （金属 o化物）	200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	500mA		630mohm @ 200ma，5v	1V @ 1mA	1.23nc @ 4V		46pf @ 10V	逻辑级别门，1.5V
2SB906-y te16l1，nq	1.2100	RFQ	5609	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SB906		1 w	PW-MOLD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000													60 V	3 a	100µA（ICBO）	PNP	1.7V @ 300mA，3a	100 @ 500mA，5V	9MHz
SSM3K09FU，LF	0.4200	RFQ	74	东芝半导体和存储	π-mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SC-70，SOT-323	SSM3K09	MOSFET （金属 o化物）		USM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	400mA（TA）	3.3V，10V	700mohm @ 200ma，10v	1.8V @ 100µA		±20V	20 pf @ 5 v	-	150MW（TA）
SSM3K56CT，L3F	0.4600	RFQ	16	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TA）	表面安装	SC-101，SOT-883	SSM3K56	MOSFET （金属 o化物）		CST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	20 v	800mA（ta）	1.5V，4.5V	235mohm @ 800mA，4.5V	1V @ 1mA	1 NC @ 4.5 V	±8V	55 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
TPW1R306PL，L1Q	3.0600	RFQ	10	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powerwdfn	TPW1R306	MOSFET （金属 o化物）		8-dsop提前	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	260a（TC）	4.5V，10V	1.29mohm @ 50a，10v	2.5V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	8100 PF @ 30 V	-	960MW（TA），170W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²