SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
SSM6K804R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K804R,LF 0.7000
RFQ
ECAD 7187 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C 表面安装 6-SMD,平坦的铅 SSM6K804 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 12a(12a) 4.5V,10V 12mohm @ 4a,10v 2.4V @ 100µA 7.5 NC @ 4.5 V ±20V 1110 PF @ 20 V - 1.5W(TA)
2SK2719(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2719(f) -
RFQ
ECAD 7516 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 2SK2719 MOSFET (金属 o化物) to-3p n(n) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 900 v 3A(3A) 10V 4.3OHM @ 1.5A,10V 4V @ 1mA 25 NC @ 10 V ±30V 750 pf @ 25 V - 125W(TC)
2SK3127(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3127(TE24L,Q) -
RFQ
ECAD 2581 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 2SK3127 MOSFET (金属 o化物) TO-220SM 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 45A(TA) 10V 12mohm @ 25a,10v 3V @ 1mA 66 NC @ 10 V ±20V 2300 PF @ 10 V - 65W(TC)
TTC5200(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTC5200(Q) 2.7000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 150°C(TJ) 通过洞 to-3pl TTC5200 150 w 到3p(l) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0075 100 230 v 15 a 5µA(ICBO) NPN 3V @ 800mA,8a 80 @ 1A,5V 30MHz
SSM3K37MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37MFV,L3F 0.2900
RFQ
ECAD 25 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-723 SSM3K37 MOSFET (金属 o化物) VESM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 8,000 n通道 20 v 250mA(ta) 1.5V,4.5V 2.2OHM @ 100mA,4.5V 1V @ 1mA ±10V 12 pf @ 10 V - 150MW(TA)
TJ10S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ10S04M3L (T6L1,NQ 1.3300
RFQ
ECAD 8845 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 TJ10S04 MOSFET (金属 o化物) DPAK+ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 40 V 10a(10a) 6V,10V 44mohm @ 5A,10V 3V @ 1mA 19 nc @ 10 V +10V,-20V 930 PF @ 10 V - 27W(TC)
TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S04M3L (T6L1,NQ 1.4000
RFQ
ECAD 6560 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 TJ60S04 MOSFET (金属 o化物) DPAK+ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 40 V 60a(ta) 6V,10V 6.3mohm @ 30a,10v 3V @ 1mA 125 NC @ 10 V +10V,-20V 6510 PF @ 10 V - 90W(TC)
TK10A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK10A50D(sta4,Q,m) 1.9000
RFQ
ECAD 5682 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK10A50 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 10a(10a) 10V 720MOHM @ 5A,10V 4V @ 1mA 20 nc @ 10 V ±30V 1050 pf @ 25 V - 45W(TC)
TK11A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A50D(sta4,Q,m) 2.1600
RFQ
ECAD 3743 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK11A50 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 11a(11a) 10V 600MOHM @ 5.5A,10V 4V @ 1mA 24 NC @ 10 V ±30V 1200 pf @ 25 V - 45W(TC)
TK11A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A55D(sta4,Q,m) 2.5900
RFQ
ECAD 5991 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK11A55 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 550 v 11a(11a) 10V 630MOHM @ 5.5A,10V 4V @ 1mA 25 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 25 V - 45W(TC)
TK11A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A60D(sta4,Q,m) -
RFQ
ECAD 6517 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK11A60 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 11a(11a) 10V 650MOHM @ 5.5A,10V 4V @ 1mA 28 NC @ 10 V ±30V 1550 pf @ 25 V - 45W(TC)
TK12A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50D(sta4,Q,m) 2.4700
RFQ
ECAD 40 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK12A50 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 12a(12a) 10V 520MOHM @ 6A,10V 4V @ 1mA 25 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 25 V - 45W(TC)
TK16A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A55D(sta4,Q,m) -
RFQ
ECAD 3760 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK16A55 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 550 v 16A(TA) 330mohm @ 8a,10v 4V @ 1mA 45 NC @ 10 V 2600 PF @ 25 V - -
TK19A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK19A45D(sta4,Q,m) 3.6700
RFQ
ECAD 2154 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK19A45 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 450 v (19a ta) 10V 250MOHM @ 9.5A,10V 4V @ 1mA 45 NC @ 10 V ±30V 2600 PF @ 25 V - 50W(TC)
TK2A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK2A65D(sta4,Q,m) 1.4400
RFQ
ECAD 6893 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK2A65 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 2A(TA) 10V 3.26OHM @ 1A,10V 4.4V @ 1mA 9 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 25 V - 30W(TC)
TK2Q60D(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK2Q60D Q) 0.9400
RFQ
ECAD 6036 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 大部分 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3存根线,IPAK TK2Q60 MOSFET (金属 o化物) PW-mold2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) TK2Q60DQ Ear99 8541.29.0095 200 n通道 600 v 2A(TA) 10V 4.3OHM @ 1A,10V 4.4V @ 1mA 7 NC @ 10 V ±30V 280 pf @ 25 V - 60W(TC)
TK30S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK30S06K3L (T6L1,NQ -
RFQ
ECAD 1314 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 TK30S06 MOSFET (金属 o化物) DPAK+ 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 60 V 30a(TA) 6V,10V 18ohm @ 15a,10v 3V @ 1mA 28 NC @ 10 V ±20V 1350 pf @ 10 V - 58W(TC)
TK3A60DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A60DA (STA4,Q,m) 1.2100
RFQ
ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK3A60 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 2.5a(ta) 10V 2.8ohm @ 1.3a,10v 4.4V @ 1mA 9 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 25 V - 30W(TC)
TK3A65DA(STA4,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65DA (STA4,QM) 1.5200
RFQ
ECAD 4118 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK3A65 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 2.5a(ta) 10V 2.51OHM @ 1.3A,10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±30V 490 pf @ 25 V - 35W(TC)
TK3P50D,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK3P50D,RQ s 1.1700
RFQ
ECAD 6966 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 TK3P50 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 500 v 3A(3A) 10V 3ohm @ 1.5A,10V 4.4V @ 1mA 7 NC @ 10 V ±30V 280 pf @ 25 V - 60W(TC)
TK4A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A50D(sta4,Q,m) 0.9300
RFQ
ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK4A50 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 4A(ta) 10V 2ohm @ 2a,10v 4.4V @ 1mA 9 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 25 V - 30W(TC)
TK4A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A55DA(STA4,Q,m) -
RFQ
ECAD 7445 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK4A55 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 550 v 3.5A(ta) 10V 2.45OHM @ 1.8A,10V 4.4V @ 1mA 9 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 25 V - 30W(TC)
TK50E06K3A,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK50E06K3A,S1X(s -
RFQ
ECAD 5024 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 管子 过时的 - 通过洞 TO-220-3 TK50E06 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 50A(TC) 8.5mohm @ 25a,10v - 54 NC @ 10 V - -
TK50E06K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK50E06K3(S1SS-Q) -
RFQ
ECAD 5965 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 管子 过时的 - 通过洞 TO-220-3 TK50E06 - TO-220-3 - Rohs符合条件 (1 (无限) TK50E06K3S1SSQ Ear99 8541.29.0095 50 - - - - - -
TK5A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A45DA(STA4,Q,m) 1.0600
RFQ
ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK5A45 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 450 v 4.5A(ta) 10V 1.75OHM @ 2.3a,10V 4.4V @ 1mA 9 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 25 V - 30W(TC)
TK5A65DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A65DA(STA4,Q,m) 1.5900
RFQ
ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK5A65 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 4.5A(ta) 10V 1.67OHM @ 2.3a,10V 4.4V @ 1mA 16 NC @ 10 V ±30V 700 pf @ 25 V - 35W(TC)
TK60E08K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK60E08K3,S1X(s -
RFQ
ECAD 6639 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 - 通过洞 TO-220-3 TK60E08 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 60a 9mohm @ 30a,10v - 75 NC @ 10 V - 128W
TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK60S06K3L (T6L1,NQ 0.8108
RFQ
ECAD 2326 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 TK60S06 MOSFET (金属 o化物) DPAK+ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 60 V 60a(ta) 6V,10V 8mohm @ 30a,10v 3V @ 1mA 60 NC @ 10 V ±20V 2900 PF @ 10 V - 88W(TC)
TK7P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK7P50D(t6rss-Q) 1.4300
RFQ
ECAD 9717 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 TK7P50 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 500 v 7a(ta) 10V 1.22OHM @ 3.5A,10V 4.4V @ 1mA 12 nc @ 10 V ±30V 600 pf @ 25 V - 100W(TC)
TK8A50DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A50DA(sta4,Q,m) 1.6000
RFQ
ECAD 2557 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK8A50 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 7.5A(ta) 10V 1.04OHM @ 3.8A,10V 4.4V @ 1mA 16 NC @ 10 V ±30V 700 pf @ 25 V - 35W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库