SIC
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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1）
TK2R9E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK2R9E10PL，S1X 2.9000
RFQ
 ECAD 9020 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 100A（TA） 4.5V，10V 2.9MOHM @ 50a，10V 2.5V @ 1mA 161 NC @ 10 V ±20V 9500 PF @ 50 V - 306W（TC）
TK5A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A90E，S4X 1.4600
RFQ
 ECAD 9249 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 900 v 4.5A（ta） 10V 3.1OHM @ 2.3a，10V 4V @ 450µA 20 nc @ 10 V ±30V 950 pf @ 25 V - 40W（TC）
TPW3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW3R70APL，L1Q 2.9000
RFQ
 ECAD 5726 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET （金属 o化物） 8-dsop提前 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 100 v 90A（TC） 4.5V，10V 3.7MOHM @ 45A，10V 2.5V @ 1mA 67 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 50 V - 960MW（TA），170W（tc）
TDTA114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA114E，LM 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TDTA114 320兆W SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 30 @ 5mA，5V 250 MHz 10 kohms
TPW2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW2900ENH，L1Q 2.9800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET （金属 o化物） 8-dsop提前 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 200 v 33A（TC） 10V 29mohm @ 16.5a，10v 4V @ 1mA 22 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 100 V - 800MW（TA），142W （TC）
TPH5R60APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5R60APL，L1Q 1.3600
RFQ
 ECAD 3472 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 100 v 60a（TC） 4.5V，10V 5.6mohm @ 30a，10v 2.5V @ 500µA 52 NC @ 10 V ±20V 4300 PF @ 50 V - （960MW）（TA），132W（tc）
SSM3J118TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J118TU，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 3-SMD，平坦的铅 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 1.4a（ta） 4V，10V 240MOHM @ 650mA，10V 2.6V @ 1mA ±20V 137 pf @ 15 V - 500MW（TA）
TK16V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16V60W5，LVQ 3.4800
RFQ
 ECAD 3143 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 4-VSFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 4-DFN-EP（8x8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 15.8A（TA） 10V 245MOHM @ 7.9A，10V 4.5V @ 790µA 43 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 V - 139W（TC）
GT15J341,S4X Toshiba Semiconductor and Storage GT15J341，S4X 1.8100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 标准 30 W TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 300V，15a，333，15V 80 ns - 600 v 15 a 60 a 2V @ 15V，15a （300µJ）（300µJ），300µJ（） 60NS/170NS
2SA2061(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2061（TE85L，F） 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 625兆 TSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-2SA2061（TE85L，F）DKR Ear99 8541.21.0095 3,000 20 v 2.5 a 100NA（ICBO） PNP 190MV @ 53mA，1.6a 200 @ 500mA，2V -
SSM6N813R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N813R，LF 0.5500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6N813 MOSFET （金属 o化物） 1.5W（TA） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 3.5A（ta） 112MOHM @ 3.5A，10V 2.5V @ 100µA 3.6nc @ 4.5V 242pf @ 15V -
2SK3798(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3798 （STA4，Q，M） 1.4000
RFQ
 ECAD 9938 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 900 v 4A（ta） 10V 3.5OHM @ 2A，10V 4V @ 1mA 26 NC @ 10 V ±30V 800 pf @ 25 V - 40W（TC）
TK110E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK110E65Z，S1X 4.3100
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 24A（24A） 10V 110mohm @ 12a，10v 4V @ 1.02mA 40 NC @ 10 V ±30V 2250 pf @ 300 V - 190w（TC）
TK13P25D,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK13P25D，RQ 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 250 v 13A（TA） 10V 250mohm @ 6.5a，10v 3.5V @ 1mA 25 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 100 V - 96W（TC）
GT50N322A Toshiba Semiconductor and Storage GT50N322A 4.7800
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 标准 156 w to-3p n（n） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-GT50N322A Ear99 8541.29.0095 50 - 800 ns - 1000 v 50 a 120 a 2.8V @ 15V，60a - -
TPW5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW5200FNH，L1Q 3.0100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET （金属 o化物） 8-dsop提前 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 250 v 26a（TC） 10V 52MOHM @ 13A，10V 4V @ 1mA 22 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 100 V - 800MW（TA），142W （TC）
TK10E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK10E80W，S1X 3.6500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 9.5A（TA） 10V 550MOHM @ 4.8A，10V 4V @ 450µA 19 nc @ 10 V ±20V 1150 PF @ 300 V - 130W（TC）
GT50J341,Q Toshiba Semiconductor and Storage GT50J341，q 3.5900
RFQ
 ECAD 3865 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 标准 200 w to-3p n（n） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 - - 600 v 50 a 100 a 2.2V @ 15V，50a - -
TDTA123J,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA123J，LM 0.1800
RFQ
 ECAD 7429 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TDTA123 320兆W SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 2.2 kohms
GT40QR21(STA1,E,D Toshiba Semiconductor and Storage gt40qr21（sta1，e，d 3.6200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 GT40QR21 标准 230 w to-3p n（n） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-GT40QR21 （STA1ED Ear99 8541.29.0095 25 280V，40a，10ohm，20V 600 ns - 1200 v 40 a 80 a 2.7V @ 15V，40a - （290µJ）（290µJ） -
TPW1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW1500CNH，L1Q 2.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET （金属 o化物） 8-dsop提前 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 150 v 38A（TC） 10V 15.4mohm @ 19a，10v 4V @ 1mA 22 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 75 V - 800MW（TA），142W （TC）
SSM6L820R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L820R，LF 0.5300
RFQ
 ECAD 2581 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6L820 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V，20V 4A（ta） 39.1MOHM @ 2A，4.5V，45MOHM @ 3.5A，10V 1V @ 1MA，1.2V @ 1MA 3.2nc @ 4.5V，6.7nc @ 4.5V 310pf @ 15V，480pf @ 10V -
TK10P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10P50W，RQ 1.7600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 500 v 9.7A（ta） 10V 430MOHM @ 4.9A，10V 3.7V @ 500µA 20 nc @ 10 V ±30V 700 pf @ 300 V - 80W（TC）
TDTA124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA124E，LM 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TDTA124 320兆W SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 56 @ 5mA，5V 250 MHz 22 KOHMS
TW015N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015N65C，S1F 55.4500
RFQ
 ECAD 114 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-247-3 sicfet （碳化硅） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 100A（TC） 18V 21mohm @ 50a，18v 5V @ 11.7mA 128 NC @ 18 V +25V，-10V 4850 PF @ 400 V - 342W（TC）
TJ20A10M3(STA4,Q Toshiba Semiconductor and Storage tj20a10m3（sta4，q -
RFQ
 ECAD 6373 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 TJ20A10 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si - 264-TJ20A10M3（STA4Q Ear99 8541.29.0095 50 P通道 100 v 20A（TA） 10V 90mohm @ 10a，10v 4V @ 1mA 120 NC @ 10 V ±20V 5500 pf @ 10 V - 35W（TC）
TPC8227-H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPC8227-H，LQ -
RFQ
 ECAD 5995 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 大部分 积极的 150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TPC8227 MOSFET （金属 o化物） 1.5W（TA） 8-sop 下载 264-TPC8227-HLQ Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 40V 5.1a 33mohm @ 2.6a，10v 2.3V @ 100µA 10NC @ 10V 640pf @ 10V -
GT30J65MRB,S1E Toshiba Semiconductor and Storage GT30J65MRB，S1E 2.5800
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 GT30J65 标准 200 w to-3p n（n） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 400V，15a，56ohm，15V 200 ns - 650 v 60 a 1.8V @ 15V，30a 1.4MJ（在）（220µJ）上） 70 NC 75NS/400NS
SSM6K818R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K818R，LF 0.7000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6K818 MOSFET （金属 o化物） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 15A（TA） 4.5V，10V 12MOHM @ 4A，4.5V 2.1V @ 100µA 7.5 NC @ 4.5 V ±20V 1130 PF @ 15 V - 1.5W（TA）
SSM6K819R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K819R，LF 0.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6K819 MOSFET （金属 o化物） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 10a（10a） 4.5V，10V 25.8mohm @ 4A，10V 2.5V @ 100µA 8.5 NC @ 4.5 V ±20V 1110 PF @ 15 V - 1.5W（TA）
  • Daily average RFQ Volume

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    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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