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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
2SC2712-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-gr，LXHF 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） NPN 250mv @ 10mA，100mA 200 @ 2mA，6v 80MHz
RN2907FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN2907 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 47kohms
RN2402,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2402，LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN2402 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
RN2909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2909FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN2909 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 22KOHMS
RN2109,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2109，LXHF（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN2109 100兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200 MHz 47科姆斯 22 KOHMS
RN1103,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103，LXHF（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1103 100兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
RN1107MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107MFV，L3XHF（ct 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1107 150兆 VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 80 @ 10mA，5V 10 kohms 47科姆斯
RN1910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1910 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250MHz 4.7kohms -
2SA1162-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-y，LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） PNP 300mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 80MHz
RN2101MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101MFV，L3XHF（ct 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2101 150兆 VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
RN4983FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 1250 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4983 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 22KOHMS 22KOHMS
RN2105MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2105MFV，L3XHF（ct 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2105 150兆 VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 47科姆斯
SSM3K16FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FV，L3F 0.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-723 MOSFET （金属 o化物） VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 n通道 20 v （100mA）（TA） 1.5V，4V 3ohm @ 10mA，4V 1.1V @ 100µA ±10V 9.3 pf @ 3 V - 150MW（TA）
2SC5886A(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5886A （T6L1，NQ） 0.7000
RFQ
 ECAD 8546 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 1 w PW-MOLD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 50 V 5 a 100NA（ICBO） NPN 220mv @ 32mA，1.6a 400 @ 500mA，2V -
GT20J341,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage GT20J341，S4X s 2.0600
RFQ
 ECAD 7000 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 标准 45 W TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 300V，20a，33ohm，15V 90 ns - 600 v 20 a 80 a 2V @ 15V，20A （500µJ）（在400µJ上） 60NS/240NS
2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1201-y te12l，ZC 0.5200
RFQ
 ECAD 3081 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 500兆 PW-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1,000 120 v 800 MA 100NA（ICBO） PNP 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
TTD1409B,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TTD1409B，S4X 1.6000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TTD1409 2 w TO-220Si 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 400 v 6 a 20µA（ICBO） npn-达灵顿 2V @ 40mA，4a 600 @ 2a，2v -
SSM6K809R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K809R，LF 0.7200
RFQ
 ECAD 5425 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6K809 MOSFET （金属 o化物） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 6a（6a） 4V，10V 36mohm @ 5A，10V 2.5V @ 100µA 9.3 NC @ 10 V ±20V 550 pf @ 10 V - 1.5W（TA）
SSM6K810R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K810R，LF 0.6300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6K810 MOSFET （金属 o化物） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 3.5A（ta） 4.5V，10V 69mohm @ 2a，10v 2.5V @ 100µA 3.2 NC @ 4.5 V ±20V 430 pf @ 15 V - 1.5W（TA）
TTC014,L1NV Toshiba Semiconductor and Storage TTC014，L1NV 0.9900
RFQ
 ECAD 8196 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 1 w PW-MOLD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 800 v 1 a 100NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 100 @ 100mA，5V -
2SA2142(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2142（TE16L1，NQ） 0.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 1 w PW-MOLD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 2,000 600 v 500 MA 10µA（ICBO） PNP 1V @ 10mA，100mA 100 @ 50mA，5V 35MHz
SSM5N16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N16FU，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 SSM5N16 MOSFET （金属 o化物） 200mw（ta） USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V （100mA）（TA） 3ohm @ 10mA，4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3V -
TDTA143Z,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA143Z，LM 0.1800
RFQ
 ECAD 7848 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TDTA143 320兆W SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯
TK2R9E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK2R9E10PL，S1X 2.9000
RFQ
 ECAD 9020 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 100A（TA） 4.5V，10V 2.9MOHM @ 50a，10V 2.5V @ 1mA 161 NC @ 10 V ±20V 9500 PF @ 50 V - 306W（TC）
TK5A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A90E，S4X 1.4600
RFQ
 ECAD 9249 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 900 v 4.5A（ta） 10V 3.1OHM @ 2.3a，10V 4V @ 450µA 20 nc @ 10 V ±30V 950 pf @ 25 V - 40W（TC）
TPW3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW3R70APL，L1Q 2.9000
RFQ
 ECAD 5726 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET （金属 o化物） 8-dsop提前 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 100 v 90A（TC） 4.5V，10V 3.7MOHM @ 45A，10V 2.5V @ 1mA 67 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 50 V - 960MW（TA），170W（tc）
TDTA114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA114E，LM 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TDTA114 320兆W SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 30 @ 5mA，5V 250 MHz 10 kohms
TPW2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW2900ENH，L1Q 2.9800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET （金属 o化物） 8-dsop提前 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 200 v 33A（TC） 10V 29mohm @ 16.5a，10v 4V @ 1mA 22 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 100 V - 800MW（TA），142W （TC）
TPH5R60APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5R60APL，L1Q 1.3600
RFQ
 ECAD 3472 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 100 v 60a（TC） 4.5V，10V 5.6mohm @ 30a，10v 2.5V @ 500µA 52 NC @ 10 V ±20V 4300 PF @ 50 V - （960MW）（TA），132W（tc）
SSM3J118TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J118TU，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 3-SMD，平坦的铅 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 1.4a（ta） 4V，10V 240MOHM @ 650mA，10V 2.6V @ 1mA ±20V 137 pf @ 15 V - 500MW（TA）
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    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    2800+

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196-LFBGA裸露的垫子

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