SIC
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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
TPC8207(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8207（TE12L，Q） -
RFQ
 ECAD 8561 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8207 MOSFET （金属 o化物） 450MW 8-SOP（5.5x6.0） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 6a 20mohm @ 4.8A，4V 1.2V @ 200µA 22nc @ 5V 2010pf @ 10V 逻辑级别门
SSM3K106TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K106TU（TE85L） -
RFQ
 ECAD 1623年 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvi 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 SSM3K106 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 1.2A（TA） 4V，10V 310MOHM @ 600mA，10V 2.3V @ 100µA ±20V 36 pf @ 10 V - 500MW（TA）
SSM3K15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15FS，LF -
RFQ
 ECAD 2330 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvi 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SC-75，SOT-416 SSM3K15 MOSFET （金属 o化物） SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 4ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA ±20V 7.8 pf @ 3 V - 200mw（ta）
SSM6J207FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J207FE，LF 0.4200
RFQ
 ECAD 9048 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSII 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6J207 MOSFET （金属 o化物） ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 P通道 30 V 1.4a（ta） 4V，10V 251MOHM @ 650mA，10V 2.6V @ 1mA ±20V 137 pf @ 15 V - 500MW（TA）
TK13A65U(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A65U（sta4，Q，m） -
RFQ
 ECAD 1833年 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosii 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK13A65 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 500 n通道 650 v 13A（TA） 10V 380MOHM @ 6.5A，10V 5V @ 1mA 17 NC @ 10 V ±30V 950 pf @ 10 V - 40W（TC）
TK3A60DA(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A60DA（Q，M） 1.2000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK3A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 2.5a（ta） 10V 2.8ohm @ 1.3a，10v 4.4V @ 1mA 9 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 25 V - 30W（TC）
TK50P03M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK50P03M1（T6RSS-Q） -
RFQ
 ECAD 8706 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK50P03 MOSFET （金属 o化物） D-pak 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 30 V 50a（ta） 4.5V，10V 7.5mohm @ 25a，10v 2.3V @ 200µA 25.3 NC @ 10 V ±20V 1700 PF @ 10 V - 47W（TC）
TK5A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A65D（sta4，Q，m） 1.6200
RFQ
 ECAD 1402 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK5A65 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TK5A65D（STA4QM） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 5A（5A） 10V 1.43OHM @ 2.5A，10V 4V @ 1mA 16 NC @ 10 V ±30V 800 pf @ 25 V - 40W（TC）
RN1314(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1314（TE85L，F） 0.0474
RFQ
 ECAD 7121 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1314 100兆 SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 1 kohms 10 kohms
RN1425TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1425TE85LF 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1425 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 800 MA 500NA npn-预先偏见 250mv @ 1mA，50mA 90 @ 100mA，1V 300 MHz 470欧姆 10 kohms
RN2318(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2318（TE85L，F） 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN2318 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200 MHz 47科姆斯 10 kohms
TK40P03M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1（T6RSS-Q） -
RFQ
 ECAD 4208 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK40P03 MOSFET （金属 o化物） D-pak 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 30 V 40a（ta） 4.5V，10V 10.8mohm @ 20a，10v 2.3V @ 100µA 17.5 NC @ 10 V ±20V 1150 pf @ 10 V - -
SSM3J129TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J129TU（TE85L） -
RFQ
 ECAD 8685 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSV 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 SSM3J129 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 4.6a（ta） 1.5V，4.5V 46mohm @ 3A，4.5V 1V @ 1mA 8.1 NC @ 4.5 V ±8V 640 pf @ 10 V - 500MW（TA）
SSM3J321T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J321T（TE85L，f） -
RFQ
 ECAD 4337 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSV 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3J321 MOSFET （金属 o化物） TSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 5.2a（ta） 1.5V，4.5V 46mohm @ 3A，4.5V 1V @ 1mA 8.1 NC @ 4.5 V ±8V 640 pf @ 10 V - 700MW（TA）
SSM3J46CTB(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J46CTB（TPL3） 0.4000
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 SSM3J46 MOSFET （金属 o化物） CST3B 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 10,000 P通道 20 v 2A（TA） 1.5V，4.5V 103MOHM @ 1.5A，4.5V 1V @ 1mA 4.7 NC @ 4.5 V ±8V 290 pf @ 10 V - -
SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K123TU，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 397 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 SSM3K123 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 4.2A（ta） 1.5V，4V 28mohm @ 3a，4v 1V @ 1mA 13.6 NC @ 4 V ±10V 1010 PF @ 10 V - 500MW（TA）
SSM3K7002BSU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BSU，LF -
RFQ
 ECAD 7505 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 SSM3K7002 MOSFET （金属 o化物） USM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 200ma（ta） 4.5V，10V 2.1ohm @ 500mA，10v 3.1V @ 250µA ±20V 17 pf @ 25 V - 150MW（TA）
SSM5G10TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM5G10TU（TE85L，F） 0.3600
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 SSM5G10 MOSFET （金属 o化物） UFV 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 1.5A（TA） 1.8V，4V 213MOHM @ 1A，4V 1V @ 1mA 6.4 NC @ 4 V ±8V 250 pf @ 10 V Schottky 二极管（孤立） 500MW（TA）
SSM6J212FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J212FE，LF 0.4600
RFQ
 ECAD 6467 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6J212 MOSFET （金属 o化物） ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 P通道 20 v 4A（ta） 1.5V，4.5V 40.7MOHM @ 3A，4.5V 1V @ 1mA 14.1 NC @ 4.5 V ±8V 970 pf @ 10 V - 500MW（TA）
SSM6L35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FE，LM 0.4100
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6L35 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 20V 180mA，100mA 3ohm @ 50mA，4V 1V @ 1mA - 9.5pf @ 3V 逻辑级别门
SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L36FE，LM 0.4500
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6L36 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 20V 500mA，330mA 630mohm @ 200ma，5v 1V @ 1mA 1.23nc @ 4V 46pf @ 10V 逻辑级别门
TTC5200(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTC5200（Q） 2.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 150°C（TJ） 通过洞 to-3pl TTC5200 150 w 到3p（l） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 100 230 v 15 a 5µA（ICBO） NPN 3V @ 800mA，8a 80 @ 1A，5V 30MHz
RN2503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2503（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74A，SOT-753 RN2503 300MW SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（PNP- 预偏（双重）（） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200MHz 22KOHMS 22KOHMS
2SC2655-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-o（te6，f，m） -
RFQ
 ECAD 8083 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2655 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） NPN 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
2SC3325-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3325-o（te85l，f） 0.3900
RFQ
 ECAD 9502 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SC3325 200兆 S-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 500 MA 100NA（ICBO） NPN 250mv @ 10mA，100mA 70 @ 100mA，1V 300MHz
RN1413(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1413（TE85L，F） 0.2900
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1413 200兆 S-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250 MHz 47科姆斯
2SC5095-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5095-O（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 3191 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SC5095 100MW SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 13db〜7dB 10V 15mA NPN 80 @ 7mA，6v 10GHz 1.8dB @ 2GHz
2SA965-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-O te6，f，m） -
RFQ
 ECAD 2634 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA965 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） PNP 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
RN1406S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage RN1406S，LF（d -
RFQ
 ECAD 5653 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1406 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） RN1406SLF（d Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
HN1B04FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-gr，LF 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 HN1B04 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100NA（ICBO） NPN，PNP 250mv @ 10mA，100mA 200 @ 2mA，6v 150MHz
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    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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