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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
TK50P03M1（T6RSS-Q）	-	RFQ	8706	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK50P03	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	30 V	50a（ta）	4.5V，10V	7.5mohm @ 25a，10v	2.3V @ 200µA	25.3 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 10 V	-	47W（TC）
TK5A65D（sta4，Q，m）	1.6200	RFQ	1402	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK5A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		TK5A65D（STA4QM）	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	5A（5A）	10V	1.43OHM @ 2.5A，10V	4V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±30V	800 pf @ 25 V	-	40W（TC）
RN1314（TE85L，F）	0.0474	RFQ	7121	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	RN1314		100兆	SC-70	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000												50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250 MHz	1 kohms	10 kohms
RN1425TE85LF	0.4200	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1425		200兆	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000												50 V	800 MA	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 1mA，50mA	90 @ 100mA，1V	300 MHz	470欧姆	10 kohms
RN2318（TE85L，F）	0.2600	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	RN2318		100兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000												50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200 MHz	47科姆斯	10 kohms
TK40P03M1（T6RSS-Q）	-	RFQ	4208	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK40P03	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	30 V	40a（ta）	4.5V，10V	10.8mohm @ 20a，10v	2.3V @ 100µA	17.5 NC @ 10 V	±20V	1150 pf @ 10 V	-	-
TK6A60W，S4VX	2.2500	RFQ	9900	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK6A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	6.2a（ta）	10V	750MOHM @ 3.1A，10V	3.7V @ 310µA	12 nc @ 10 V	±30V	390 pf @ 300 V	-	30W（TC）
TK31J60W5，S1VQ	9.6500	RFQ	2743	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK31J60	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25	n通道	600 v	30.8A（TA）	10V	88mohm @ 15.4a，10v	3.7V @ 1.5mA	105 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	230W（TC）
TK5Q60W，S1VQ	1.8600	RFQ	2135	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TK5Q60	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75	n通道	600 v	5.4A（ta）	10V	900MOHM @ 2.7a，10V	3.7V @ 270µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 300 V	-	60W（TC）
TPH4R008NH，L1Q	2.7900	RFQ	5	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH4R008	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	80 V	60a（TC）	10V	4mohm @ 30a，10v	4V @ 1mA	59 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 40 V	-	1.6W（TA），78W（tc）
TK16G60W，RVQ	6.0900	RFQ	6936	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	TK16G60	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	15.8A（TA）	10V	190mohm @ 7.9a，10v	3.7V @ 790µA	38 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 300 V	-	130W（TC）
TK100L60W，VQ	34.7700	RFQ	5509	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	to-3pl	TK100L60	MOSFET （金属 o化物）		到3p（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	100	n通道	600 v	100A（TA）	10V	18mohm @ 50a，10v	3.7V @ 5mA	360 NC @ 10 V	±30V	15000 PF @ 30 V	-	797W（TC）
TPH2R306NH，L1Q	1.5700	RFQ	3872	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH2R306	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	60 V	60a（TC）	6.5V，10V	2.3MOHM @ 30a，10v	4V @ 1mA	72 NC @ 10 V	±20V	6100 PF @ 30 V	-	1.6W（TA），78W（tc）
TK16A60W，S4VX	2.9700	RFQ	50	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK16A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	15.8A（TA）	10V	190mohm @ 7.9a，10v	3.7V @ 790µA	38 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 300 V	-	40W（TC）
TK16J60W，S1VQ	-	RFQ	8499	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK16J60	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25	n通道	600 v	15.8A（TA）	10V	190mohm @ 7.9a，10v	3.7V @ 790µA	38 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 300 V	-	130W（TC）
TK12E60W，S1VX	3.4000	RFQ	50	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK12E60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	11.5A（TA）	10V	300MOHM @ 5.8A，10V	3.7V @ 600µA	25 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 300 V	-	110W（TC）
TK16E60W，S1VX	2.8600	RFQ	4631	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK16E60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	15.8A（TA）	10V	190mohm @ 7.9a，10v	3.7V @ 790µA	38 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 300 V	-	130W（TC）
TPH12008NH，L1Q	1.2500	RFQ	9998	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH12008	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	80 V	24A（TC）	10V	12.3mohm @ 12a，10v	4V @ 300µA	22 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 40 V	-	1.6W（TA），48W（tc）
TPH8R008NH，L1Q	1.6400	RFQ	5756	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH8R008	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	80 V	34A（TC）	10V	8mohm @ 17a，10v	4V @ 500µA	35 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 40 V	-	1.6W（61W），61W（tc）
SSM3J334R，LF	0.4500	RFQ	208	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3J334	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	4A（ta）	4V，10V	71MOHM @ 3A，10V	2V @ 100µA	5.9 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 15 V	-	1W（ta）
SSM3K335R，LF	0.4700	RFQ	95	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3K335	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	6a（6a）	4.5V，10V	38mohm @ 4a，10v	2.5V @ 100µA	2.7 NC @ 4.5 V	±20V	340 pf @ 15 V	-	1W（ta）
SSM3K339R，LF	0.4500	RFQ	42	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3K339	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	2A（TA）	1.8V，8V	185mohm @ 1a，8v	1.2V @ 1mA	1.1 NC @ 4.2 V	±12V	130 pf @ 10 V	-	1W（ta）
TK10J80E，S1E	3.0700	RFQ	15	东芝半导体和存储	π-mosviii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK10J80	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	不适用			Ear99	8541.29.0095	25	n通道	800 v	10a（10a）	10V	1欧姆 @ 5A，10V	4V @ 1mA	46 NC @ 10 V	±30V	2000 pf @ 25 V	-	250W（TC）
TK15S04N1L，LQ	1.6400	RFQ	4104	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK15S04	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	40 V	15A（TA）	4.5V，10V	17.8mohm @ 7.5A，10V	2.5V @ 100µA	10 NC @ 10 V	±20V	610 pf @ 10 V	-	46W（TC）
TK9A90E，S4X	2.2100	RFQ	40	东芝半导体和存储	π-mosviii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK9A90	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	900 v	9a（9a）	10V	1.3OHM @ 4.5A，10V	4V @ 900µA	46 NC @ 10 V	±30V	2000 pf @ 25 V	-	50W（TC）
TPH5900CNH，L1Q	1.0100	RFQ	3577	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH5900	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	150 v	9a（9a）	10V	59MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 200µA	7 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 75 V	-	1.6W（ta），42W（tc）
TPN2010FNH，L1Q	1.5500	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN2010	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	250 v	5.6a（ta）	10V	198MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 200µA	7 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 100 V	-	700MW（TA），39W （TC）
2SC5200N （S1，E，S）	2.2100	RFQ	3081	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SC5200		150 w	to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	不适用		2SC5200N（S1ES）	Ear99	8541.29.0075	25												230 v	15 a	5µA（ICBO）	NPN	3V @ 800mA，8a	80 @ 1A，5V	30MHz
TJ15S06M3L，LXHQ	0.9500	RFQ	16	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TJ15S06	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	P通道	60 V	15A（TA）	6V，10V	50MOHM @ 7.5A，10V	3V @ 1mA	36 NC @ 10 V	+10V，-20V	1770 pf @ 10 V	-	41W（TC）
XK1R9F10QB，LXGQ	3.9000	RFQ	4008	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	XK1R9F10	MOSFET （金属 o化物）		TO-220SM（W）	下载		3（168））			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	100 v	160a（ta）	6V，10V	1.92MOHM @ 80A，10V	3.5V @ 1mA	184 NC @ 10 V	±20V	11500 PF @ 10 V	-	375W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²