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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
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TK45P03M1，RQ s	-	RFQ	5821	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK45P03	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	45A（TA）	4.5V，10V	9.7MOHM @ 22.5A，10V	2.3V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 10 V	-	-
TK8A60W，S4VX	2.6600	RFQ	4513	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK8A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	8a（8a）	10V	500MOHM @ 4A，10V	3.7V @ 400µA	18.5 NC @ 10 V	±30V	570 pf @ 300 V	-	30W（TC）
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tpca8028-h（TE12LQM	-	RFQ	9696	东芝半导体和存储	U-MOSIV-H	（CT）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8028	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	50a（ta）	4.5V，10V	2.8mohm @ 25a，10v	2.3V @ 1mA	88 NC @ 10 V	±20V	7800 PF @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）
RN4902，LF（ct	0.2800	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4902		200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200MHz	10KOHMS	10KOHMS
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TK12P50W，RQ	2.0000	RFQ	6704	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	500 v	11.5A（TA）	10V	340MOHM @ 5.8A，10V	3.7V @ 600µA	25 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 300 V	-	100W（TC）
2SC3665-y t2nsw，FM	-	RFQ	1068	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SC3665		1 w	MSTM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1													120 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
HN1B04FU-Y，LXHF	0.4200	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	HN1B04		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													50V	150mA	100NA（ICBO）	NPN，PNP	250mv @ 10mA，100mA / 300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	150MHz，120MHz
TPCA8045-H （T2L1，VM	-	RFQ	3369	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8045	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	46a（ta）	4.5V，10V	3.6mohm @ 23A，10V	2.3V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±20V	7540 pf @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）
tpcc8136.lq	-	RFQ	7165	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Powervdfn	TPCC8136	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	-		（1 （无限）	264-TPCC8136.LQTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	9.4A（TA）	1.8V，4.5V	16mohm @ 9.4a，4.5V	1.2V @ 1mA	36 NC @ 5 V	±12V	2350 pf @ 10 V	-	700MW（TA），18W （TC）
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RN2106MFV，L3XHF（ct	0.3400	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	RN2106		150兆	VESM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
RN1131MFV，L3F	0.1800	RFQ	8	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	RN1131		150兆	VESM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000													50 V	100 ma	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	120 @ 1mA，5V		100 kohms
SSM6K405TU，LF	0.3700	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6K405	MOSFET （金属 o化物）		UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2A（TA）	1.5V，4V	126mohm @ 1A，4V	1V @ 1mA	3.4 NC @ 4 V	±10V	195 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
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TK5R3E08QM，S1X	1.5800	RFQ	98	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	80 V	120A（TC）	6V，10V	5.3MOHM @ 50a，10V	3.5V @ 700µA	55 NC @ 10 V	±20V	3980 pf @ 40 V	-	150W（TC）
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²