晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
RN1108MFV,L3F	0.1800	询价	29	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1108		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000														50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V		22欧姆	47欧姆
RN2308,LXHF	0.3900	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2308		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	22欧姆	47欧姆
2SD2257(CANO,A,Q)	-	询价	7754	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SD2257		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1														100V	3A	10μA（ICBO）	NPN	1.5V@1.5mA，1.5A	2000 @ 2A、2V	-
2SA1943-O(S1,F	2.9200	询价	20	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3PL			150W	TO-3P(L)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	25														230伏	15A	5μA（ICBO）	国民党	3V@800mA，8A	80@1A，5V	30兆赫兹
TK12J60W,S1VE(S	-	询价	8348	东芝半导体和存储	-	托盘	的积极	150℃	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	TK12J60	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	-		1（无限制）	264-TK12J60WS1VE(S	EAR99	8541.29.0095	25		N沟道		600伏	11.5A（塔）	10V	300mOhm@5.8A，10V	3.7V@600μA	25nC@10V	±30V	890 pF @ 300 V	-	110W（温度）
RN1444ATE85LF	-	询价	7205	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1444		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000														20V	300毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	100毫伏@3毫安，30毫安	200@4mA，2V	30兆赫	2.2欧姆
MT4S300U(TE85L,O,F	0.6800	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-82A、SOT-343	MT4S300		250毫W	南昆士兰大学	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000			16.9分贝											4V	50毫安		NPN		200@10mA，3V	26.5GHz			0.55dB@2GHz
TPC6012(TE85L,F,M)	-	询价	5714	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TPC6012	MOSFET（金属O化物）		VS-6 (2.9x2.8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		20V	6A（塔）	2.5V、4.5V	20毫欧@3A，4.5V	1.2V@200μA	9nC@5V	±12V	630pF@10V	-	700毫W（塔）
TPN11003NL,LQ	0.6800	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN11003	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	11A（温度）	4.5V、10V	11毫欧@5.5A，10V	2.3V@100μA	10V时为7.5nC	±20V	660pF@15V	-	700mW（Ta）、19W（Tc）
2SK2962,T6F(J	-	询价	4247	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SK2962			TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1					1A（Tj）
RN1108(T5L,F,T)	0.2300	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1108		100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	47欧姆
2SC4793,YHF(米	-	询价	9650	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC4793		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1														230伏	1A	1μA（ICBO）	NPN	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	100兆赫兹
2SC2235-Y(6MBH1,AF	-	询价	8417	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1														120V	800毫安	100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
2SJ438(CANO,A,Q)	-	询价	6374	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-220-3全包	2SJ438			TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1					5A（Tj）
TK5P65W,RQ	1.3700	询价	2	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		DPAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		650伏	5.2A（塔）	10V	1.22欧姆@2.6A，10V	3.5V@170μA	10V时为10.5nC	±30V	380 pF @ 300 V	-	60W（温度）
2SC2655-Y(T6CANOFM	-	询价	8697	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	2SC2655YT6CANOFM	EAR99	8541.21.0075	1														50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
SSM3J114TU(T5L,T)	-	询价	2761	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J114	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		20V	1.8A（塔）	1.5V、4V	149毫欧@600mA，4V	1V@1mA	7.7nC@4V	±8V	10V时为331pF	-	500毫W（塔）
TPCA8045-H(T2L1,VM	-	询价	3369	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8045	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		40V	46A（塔）	4.5V、10V	3.6毫欧@23A，10V	2.3V@1mA	90nC@10V	±20V	7540pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
TK6Q65W,S1Q	1.4000	询价	8899	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	TK6Q65	MOSFET（金属O化物）		爱帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道		650伏	5.8A（塔）	10V	1.05欧姆@2.9A，10V	3.5V@180μA	11nC@10V	±30V	390 pF @ 300 V	-	60W（温度）
SSM6P54TU，LF	0.4100	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6P54	MOSFET（金属O化物）	500毫W（塔）	六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			20V	1.2A（塔）		228毫欧@600mA，2.5V	1V@1mA	7.7nC@4V		331pF@10V	逻辑电平门，1.5V驱动
RN1309,LXHF	0.3900	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1309		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@5mA，5V	250兆赫	47欧姆	22欧姆
RN2904FE(T5L,F,T)	-	询价	8069	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2904		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000														50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
TJ60S06M3L,LXHQ	1.6500	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ60S06	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道		60V	60A（塔）	6V、10V	11.2毫欧@30A，10V	3V@1mA	156nC@10V	+10V，-20V	7760pF@10V	-	100W（温度）
2SC4793，HFEF(M	-	询价	4903	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC4793		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1														230伏	1A	1μA（ICBO）	NPN	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	100兆赫兹
TK1P90A,LQ(CO	-	询价	9799	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK1P90	MOSFET（金属O化物）		PW-模具	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TK1P90ALQ(CO	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		900伏	1A（塔）	10V	9欧姆@500mA，10V	4V@1mA	13nC@10V	±30V	320pF@25V	-	20W（温度）
SSM3K35CT，L3F	0.3200	询价	13	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K35	MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道		20V	180mA（塔）	1.2V、4V	3欧姆@50mA，4V	1V@1mA		±10V	9.5pF@3V	-	100毫W（塔）
RN1905FE,LF(CT	0.2700	询价	第458章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1905		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000														50V	100毫安	500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
TK560A65Y,S4X	1.5700	询价	12	东芝半导体和存储	DTMOSV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK560A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		650伏	7A（温度）	10V	560毫欧@3.5A，10V	4V@240μA	10V时为14.5nC	±30V	380 pF @ 300 V	-	30W
SSM3J15CT，L3F	0.3100	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-101、SOT-883		MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000		P沟道		30V	100mA（塔）	2.5V、4V	12欧姆@10mA，4V	1.7V@100μA		±20V	9.1pF@3V	-	100毫W（塔）
TPCA8A01-H(TE12L,Q	-	询价	3926	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8A01	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	36A（塔）	4.5V、10V	5.6毫欧@18A，10V	2.3V@1mA	35nC@10V	±20V	1970pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²