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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
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RN2908FE（TE85L，F）	0.3500	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN2908		100MW	ES6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	4,000												50V	100mA	100NA（ICBO）	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	22KOHMS	47kohms
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RN1105CT（tpl3）	-	RFQ	8471	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-101，SOT-883	RN1105		50兆	CST3	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	10,000												20 v	50 mA	500NA	npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	120 @ 10mA，5V		2.2 kohms	47科姆斯
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HN1A01FE-GR，LF	0.3300	RFQ	4	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	HN1A01		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	4,000												50V	150mA	100NA（ICBO）	2 PNP （双）	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
HN2A01FE-gr（TE85LF	-	RFQ	8778	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	HN2A01		100MW	ES6	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	4,000												50V	150mA	100NA（ICBO）	2 PNP （双）	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	800MHz
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TK40A10N1，S4X	1.8500	RFQ	100	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK40A10	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	40a（TC）	10V	8.2MOHM @ 20A，10V	4V @ 500µA	49 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 50 V	-	35W（TC）
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TK58A06N1，S4X	1.3300	RFQ	46	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK58A06	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	58A（TC）	10V	5.4mohm @ 29a，10v	4V @ 500µA	46 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 30 V	-	35W（TC）
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TPH3300CNH，L1Q	1.6100	RFQ	8	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH3300	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	150 v	18A（18A）	10V	33mohm @ 9a，10v	4V @ 300µA	10.6 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 75 V	-	1.6W（TA），57W（tc）
SSM3K106TU（TE85L）	-	RFQ	1623年	东芝半导体和存储	π-mosvi	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3K106	MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	20 v	1.2A（TA）	4V，10V	310MOHM @ 600mA，10V	2.3V @ 100µA		±20V	36 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
SSM3K15FS，LF	-	RFQ	2330	东芝半导体和存储	π-mosvi	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SSM3K15	MOSFET （金属 o化物）		SSM	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	（100mA）（TA）	2.5V，4V	4ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA		±20V	7.8 pf @ 3 V	-	200mw（ta）
SSM6J207FE，LF	0.4200	RFQ	9048	东芝半导体和存储	U-MOSII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6J207	MOSFET （金属 o化物）		ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	4,000	P通道	30 V	1.4a（ta）	4V，10V	251MOHM @ 650mA，10V	2.6V @ 1mA		±20V	137 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
TK13A65U（sta4，Q，m）	-	RFQ	1833年	东芝半导体和存储	dtmosii	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK13A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	650 v	13A（TA）	10V	380MOHM @ 6.5A，10V	5V @ 1mA	17 NC @ 10 V	±30V	950 pf @ 10 V	-	40W（TC）
TK3A60DA（Q，M）	1.2000	RFQ	6	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK3A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	2.5a（ta）	10V	2.8ohm @ 1.3a，10v	4.4V @ 1mA	9 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 25 V	-	30W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²