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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs (ciss)(最大(ciss) @ vds fet 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 电压 -故障( v br(br)GSS) 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) 电压 -截止( -vgs Off) @ ID 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f) (ID) - 最大
SSM6N15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFU,LF 0.3500
RFQ
ECAD 39 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SSM6N15 MOSFET (金属 o化物) 300MW US6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 100mA 3.6OHM @ 10mA,4V 1.5V @ 100µA - 13.5pf @ 3V 逻辑级别门
2SK208-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-R(TE85L,F) 0.4900
RFQ
ECAD 36 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 125°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2SK208 100兆 S-Mini 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 8.2pf @ 10V 50 V 300 µA @ 10 V 400 mv @ 100 na 6.5 MA
2SK2145-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-gr (TE85L,f 0.6800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 125°C(TJ) 表面安装 SC-74A,SOT-753 2SK2145 300兆 SMV 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 13pf @ 10V 2.6 ma @ 10 V 200 mv @ 100 na
2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK879-y te85l,f) 0.4200
RFQ
ECAD 24 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 125°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 2SK879 100兆 USM 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 8.2pf @ 10V 1.2 ma @ 10 V 400 mv @ 100 na
3SK292(TE85R,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK292(TE85R,F) -
RFQ
ECAD 9325 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 12.5 v 表面安装 SC-61AA 3SK292 500MHz MOSFET smq - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道双门 30mA 10 MA - 26dB 1.4dB 6 V
RN2108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108CT(tpl3) -
RFQ
ECAD 4145 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-101,SOT-883 RN2108 50兆 CST3 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA,5mA 120 @ 10mA,5V 22 KOHMS 47科姆斯
RN2108ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108(TPL3) -
RFQ
ECAD 4994 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-101,SOT-883 RN2108 100兆 CST3 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 22 KOHMS 47科姆斯
RN2112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2112ACT(TPL3) 0.0527
RFQ
ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-101,SOT-883 RN2112 100兆 CST3 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 100NA(ICBO) pnp-预先偏见 150mv @ 250µA,5mA 120 @ 1mA,5V 22 KOHMS
2SC5086-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5086-O,LF -
RFQ
ECAD 4240 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 125°C(TJ) 表面安装 SC-75,SOT-416 2SC5086 100MW SSM 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80mA NPN 80 @ 20mA,10v 7GHz 1dB @ 500MHz
2SC5085-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5085-O(TE85L,F) -
RFQ
ECAD 7025 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 125°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 2SC5085 100MW SC-70 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80mA NPN 80 @ 20mA,10v 7GHz 1dB @ 500MHz
RN1907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1907,LF(ct 0.2800
RFQ
ECAD 9444 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 RN1907 200MW US6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz 10KOHMS 47kohms
RN2107ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2107ACT(TPL3) -
RFQ
ECAD 7491 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-101,SOT-883 RN2107 100兆 CST3 - (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 10 kohms 47科姆斯
2SC5086-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5086-y,LF -
RFQ
ECAD 9674 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 125°C(TJ) 表面安装 SC-75,SOT-416 2SC5086 100MW SSM 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80mA NPN 120 @ 20mA,10v 7GHz 1dB @ 500MHz
RN1111,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1111,lf(Ct 0.0355
RFQ
ECAD 4214 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-75,SOT-416 RN1111 100兆 SSM 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) npn-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 120 @ 1mA,5V 250 MHz 10 kohms
RN1606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1606(TE85L,F) 0.4200
RFQ
ECAD 390 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-74,SOT-457 RN1606 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
2SA1588-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1588-O,LF 0.0478
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 125°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 2SA1588 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 500 MA 100NA(ICBO) PNP 250mv @ 10mA,100mA 70 @ 100mA,1V 200MHz
HN2C01FU-GR(T5L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2C01FU-gr(t5l,f) 0.0865
RFQ
ECAD 5142 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 125°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 HN2C01 200MW US6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100NA(ICBO) 2 NPN (双) 250mv @ 10mA,100mA 200 @ 2mA,6v 80MHz
RN1607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1607(TE85L,F) 0.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-74,SOT-457 RN1607 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz 10KOHMS 47kohms
RN1503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1503(TE85L,F) 0.4500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - (CT) 积极的 表面安装 SC-74A,SOT-753 RN1503 300MW SMV 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2(NPN- 预偏(双重)()() 300mv @ 250µA,5mA 70 @ 10mA,5V 250MHz 22KOHMS 22KOHMS
RN1510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1510(TE85L,F) 0.4500
RFQ
ECAD 142 0.00000000 东芝半导体和存储 - (CT) 积极的 表面安装 SC-74A,SOT-753 RN1510 300MW SMV 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2(NPN- 预偏(双重)()() 300mv @ 250µA,5mA 120 @ 1mA,5V 250MHz 4.7kohms -
HN2A01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN2A01FU-Y te85l,f 0.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - (CT) 积极的 125°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 HN2A01 200MW US6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100NA(ICBO) 2 PNP (双) 300mv @ 10mA,100mA 120 @ 2mA,6v 80MHz
RN1704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1704JE(TE85L,F) 0.4700
RFQ
ECAD 116 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-553 RN1704 100MW ESV 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2(NPN- 预偏(双重)()() 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz 47kohms 47kohms
RN2709JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2709JE(TE85L,F) 0.4700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-553 RN2709 100MW ESV 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2(PNP- 预偏(双重)() 300mv @ 250µA,5mA 70 @ 10mA,5V 200MHz 47kohms 22KOHMS
RN2510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2510(TE85L,F) 0.4700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-74A,SOT-753 RN2510 300MW SMV 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2(PNP- 预偏(双重)() 300mv @ 250µA,5mA 120 @ 1mA,5V 200MHz 4.7kohms -
RN1601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1601(TE85L,F) 0.4700
RFQ
ECAD 6159 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-74,SOT-457 RN1601 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 250µA,5mA 30 @ 10mA,5V 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN1604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1604(TE85L,F) 0.0618
RFQ
ECAD 1849年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-74,SOT-457 RN1604 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz 47kohms 47kohms
RN1910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910,LF (CT 0.2700
RFQ
ECAD 8287 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 RN1910 100MW US6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 250µA,5mA 120 @ 1mA,5V 250MHz 4.7kohms -
RN1965(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1965(TE85L,F) 0.0865
RFQ
ECAD 3211 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 RN1965 200MW US6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
RN2901FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2901FE(TE85L,F) 0.3500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN2901 100MW ES6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2 PNP-) 300mv @ 250µA,5mA 30 @ 10mA,5V 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN2908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2908FE(TE85L,F) 0.3500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN2908 100MW ES6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2 PNP-) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 200MHz 22KOHMS 47kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库