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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电压 -测试 电压 -故障（ v br（br）GSS） 电流 -idss） @ vds（vgs = 0） 电压 -截止（ -vgs Off） @ ID 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） （ID） - 最大
2SK208-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-O（TE85L，F） 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SK208 100兆 SC-59 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 8.2pf @ 10V 50 V 600 µA @ 10 V 400 mv @ 100 na 6.5 MA
2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-bl（TE85L，F） 0.4400
RFQ
 ECAD 1670年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SK209 150兆 SC-59 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 13pf @ 10V 50 V 14 mA @ 10 V 1.5 V @ 100 na 14 ma
2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-y te85l，f） 0.4700
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SK209 150兆 SC-59 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 13pf @ 10V 50 V 14 mA @ 10 V 1.5 V @ 100 na 14 ma
2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-y te85l，f） 0.5600
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SK880 100兆 USM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 13pf @ 10V 50 V 1.2 ma @ 10 V 1.5 V @ 100 na
3SK293(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK293（TE85L，F） 0.5200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 12.5 v 表面安装 SC-82A，SOT-343 3SK293 800MHz MOSFET USQ 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道双门 30mA 10 MA - 22DB 2.5dB 6 V
RN1106MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV （TL3，T） -
RFQ
 ECAD 5110 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-723 RN1106 150兆 VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 80 @ 10mA，5V 4.7科姆斯 47科姆斯
RN1109(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1109 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 2234 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1109 100兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250 MHz 47科姆斯 22 KOHMS
RN1113(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113 （T5L，F，T） 0.0305
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1113 100兆 SSM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250 MHz 47科姆斯
RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1602（TE85L，F） 0.3800
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN1602 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250MHz 10KOHMS 10KOHMS
RN1906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1906 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 8467 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1906 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
RN1962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1962FE（TE85L，F） 0.1500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1962 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250MHz 10KOHMS 10KOHMS
RN1964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1964FE（TE85L，F） 0.1000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1964 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 47kohms 47kohms
RN4985,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985，LF（ct 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4985 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 2.2kohms 47kohms
2SC2712-OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-OTE85LF 0.2000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SC2712 150兆 TO-236 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） NPN 250mv @ 10mA，100mA 70 @ 2mA，6v 80MHz
2SC4116-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-BL，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 982 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SC4116 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） NPN 250mv @ 10mA，100mA 350 @ 2mA，6v 80MHz
SSM3J16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J16CT（TPL3） -
RFQ
 ECAD 2106 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-101，SOT-883 SSM3J16 MOSFET （金属 o化物） CST3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 P通道 20 v （100mA）（TA） 1.5V，4V 8ohm @ 10mA，4V 1.1V @ 100µA ±10V 11 pf @ 3 V - 100mW（TA）
SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56MFV，L3F 0.4500
RFQ
 ECAD 490 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-723 SSM3J56 MOSFET （金属 o化物） VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 P通道 20 v 800mA（ta） 1.2V，4.5V 390MOHM @ 800mA，4.5V - ±8V 100 pf @ 10 V - 150MW（TA）
SSM3K01T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K01T（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 7187 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvi 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3K01 MOSFET （金属 o化物） TSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 3.2A（ta） 2.5V，4V 120MOHM @ 1.6A，4V - ±10V 152 PF @ 10 V - 1.25W（TA）
SSM3K302T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K302T（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 9175 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3K302 MOSFET （金属 o化物） TSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 3A（3A） 1.8V，4V 71MOHM @ 2A，4V - 4.3 NC @ 4 V ±12V 270 pf @ 10 V - 700MW（TA）
SSM5N15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N15FE（TE85L，F） 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-553 SSM5N15 MOSFET （金属 o化物） ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 n通道 30 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 4ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA ±20V 7.8 pf @ 3 V - 150MW（TA）
SSM5N15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N15FU，LF 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 SSM5N15 MOSFET （金属 o化物） 5-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 4ohm @ 10mA，4V - ±20V 7.8 pf @ 3 V - 200mw（ta）
TK16V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16V60W，LVQ 1.5822
RFQ
 ECAD 7838 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 4-VSFN暴露垫 TK16V60 MOSFET （金属 o化物） 4-DFN-EP（8x8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 15.8A（TA） 10V 190mohm @ 7.9a，10v 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 V - 139W（TC）
TK20V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20V60W，LVQ 2.8963
RFQ
 ECAD 5645 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 4-VSFN暴露垫 TK20V60 MOSFET （金属 o化物） 4-DFN-EP（8x8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 20A（TA） 10V 170MOHM @ 10a，10v 3.7V @ 1mA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 PF @ 300 V - 156W（TC）
TK20E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20E60W，S1VX 5.3700
RFQ
 ECAD 1878年 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TK20E60 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 20A（TA） 10V 155mohm @ 10a，10v 3.7V @ 1mA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 PF @ 300 V - 165W（TC）
TPH11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH11003NL，LQ 0.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPH11003 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 32a（ta） 4.5V，10V 11MOHM @ 5.5A，10V 2.3V @ 100µA 7.5 NC @ 10 V ±20V 660 pf @ 15 V - 1.6W（ta），21W（21W）TC）
TK7Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7Q60W，S1VQ 2.1200
RFQ
 ECAD 4963 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK TK7Q60 MOSFET （金属 o化物） 我帕克 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 75 n通道 600 v 7a（ta） 10V 600MOHM @ 3.5A，10V 3.7V @ 350µA 15 NC @ 10 V ±30V 490 pf @ 300 V - 60W（TC）
SSM3J114TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J114TU（TE85L） 0.4400
RFQ
 ECAD 193 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 SSM3J114 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 1.8A（ta） 1.5V，4V 149mohm @ 600mA，4V 1V @ 1mA 7.7 NC @ 4 V ±8V 331 PF @ 10 V - 500MW（TA）
TK46E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK46E08N1，S1X 1.2400
RFQ
 ECAD 6212 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TK46E08 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 80A（TC） 10V 8.4mohm @ 23A，10V 4V @ 500µA 37 NC @ 10 V ±20V 2500 PF @ 40 V - 103W（TC）
TK34E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK34E10N1，S1X 1.5900
RFQ
 ECAD 1876年 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TK34E10 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 75A（TC） 10V 9.5Mohm @ 17a，10v 4V @ 500µA 38 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 50 V - 103W（TC）
TK10A60W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W，S4X 1.6339
RFQ
 ECAD 3281 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 TK10A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TK10A60WS4X Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 9.7A（ta） 10V 380MOHM @ 4.9A，10V 3.7V @ 500µA 20 nc @ 10 V ±30V 720 PF @ 300 V - 30W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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