电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TPC8066-H,LQ s | - | ![]() | 9428 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvii-H | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TPC8066 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 16mohm @ 5.5a,10v | 2.3V @ 100µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 1100 pf @ 10 V | - | 1W(ta) | |||||||||||
![]() | tpc8125,lq(s | 0.7300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvi | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TPC8125 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 10a(10a) | 4.5V,10V | 13mohm @ 5a,10v | 2V @ 500µA | 64 NC @ 10 V | +20V,-25V | 2580 pf @ 10 V | - | 1W(ta) | |||||||||||
![]() | tpc8126,lq(cm | - | ![]() | 6338 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvi | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) | TPC8126 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOP(5.5x6.0) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 10mohm @ 5.5a,10v | 2V @ 500µA | 56 NC @ 10 V | +20V,-25V | 2400 pf @ 10 V | - | 1W(ta) | |||||||||||
![]() | tpc8132,lq(s | 0.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvi | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TPC8132 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 40 V | 7a(ta) | 4.5V,10V | 25mohm @ 3.5a,10v | 2V @ 200µA | 34 NC @ 10 V | +20V,-25V | 1580 pf @ 10 V | - | 1W(ta) | |||||||||||
![]() | tpc8133,lq(s | 1.2800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvi | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TPC8133 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 40 V | 9a(9a) | 4.5V,10V | 15mohm @ 4.5A,10V | 2V @ 500µA | 64 NC @ 10 V | +20V,-25V | 2900 PF @ 10 V | - | 1W(ta) | |||||||||||
![]() | tpc8407,lq(s | - | ![]() | 5590 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TPC8407 | MOSFET (金属 o化物) | 450MW | 8-sop | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 9a,7.4a | 17mohm @ 4.5A,10V | 2.3V @ 100µA | 17NC @ 10V | 1190pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||
![]() | TPCA8056-H,LQ (M | - | ![]() | 5127 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvii-H | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | TPCA8056 | MOSFET (金属 o化物) | 8(5x5) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 48a(ta) | 4.5V,10V | 2.2MOHM @ 24A,10V | 2.3V @ 1mA | 74 NC @ 10 V | ±20V | 6200 pf @ 10 V | - | 1.6W(TA),63w(tc) | |||||||||||
![]() | tpcc8009,lq(o | - | ![]() | 6494 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosiv | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | TPCC8009 | MOSFET (金属 o化物) | 8-tson Advance(3.1x3.1) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 24A(24A) | 7mohm @ 12a,10v | 3V @ 200µA | 26 NC @ 10 V | 1270 pf @ 10 V | - | - | ||||||||||||||
![]() | TPCL4201(TE85L,F) | - | ![]() | 1167 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 4-xflga | TPCL4201 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 4芯片lga(1.59x1.59) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 2 n 通道(半桥) | - | - | - | 1.2V @ 200µA | - | 720pf @ 10V | - | ||||||||||||||
![]() | TPCL4202(TE85L,F) | - | ![]() | 3500 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 4-xflga | TPCL4202 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 4芯片lga(1.59x1.59) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 2 n 通道(半桥) | - | - | - | 1.2V @ 200µA | - | 780pf @ 10V | - | ||||||||||||||
![]() | TPCL4203(TE85L,F) | - | ![]() | 2304 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 4-xflga | TPCL4203 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 4芯片lga(1.59x1.59) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 2 n 通道(半桥) | - | - | - | 1.2V @ 200µA | - | 685pf @ 10V | - | ||||||||||||||
![]() | TTC012(Q) | - | ![]() | 1714年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | TTC012 | 1.1 w | PW-mold2 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | TTC012Q | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 375 v | 2 a | 10µA(ICBO) | NPN | 1V @ 62.5mA,500mA | 100 @ 300mA,5V | - | ||||||||||||||
![]() | TJ10S04M3L (T6L1,NQ | 1.3300 | ![]() | 8845 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvi | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | TJ10S04 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK+ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P通道 | 40 V | 10a(10a) | 6V,10V | 44mohm @ 5A,10V | 3V @ 1mA | 19 nc @ 10 V | +10V,-20V | 930 PF @ 10 V | - | 27W(TC) | |||||||||||
![]() | TJ60S04M3L (T6L1,NQ | 1.4000 | ![]() | 6560 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvi | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | TJ60S04 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK+ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P通道 | 40 V | 60a(ta) | 6V,10V | 6.3mohm @ 30a,10v | 3V @ 1mA | 125 NC @ 10 V | +10V,-20V | 6510 PF @ 10 V | - | 90W(TC) | |||||||||||
![]() | TK10A50D(sta4,Q,m) | 1.9000 | ![]() | 5682 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK10A50 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 10a(10a) | 10V | 720MOHM @ 5A,10V | 4V @ 1mA | 20 nc @ 10 V | ±30V | 1050 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | |||||||||||
![]() | TK11A50D(sta4,Q,m) | 2.1600 | ![]() | 3743 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK11A50 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 11a(11a) | 10V | 600MOHM @ 5.5A,10V | 4V @ 1mA | 24 NC @ 10 V | ±30V | 1200 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | |||||||||||
![]() | TK11A55D(sta4,Q,m) | 2.5900 | ![]() | 5991 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK11A55 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 550 v | 11a(11a) | 10V | 630MOHM @ 5.5A,10V | 4V @ 1mA | 25 NC @ 10 V | ±30V | 1350 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | |||||||||||
![]() | TK11A60D(sta4,Q,m) | - | ![]() | 6517 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK11A60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 11a(11a) | 10V | 650MOHM @ 5.5A,10V | 4V @ 1mA | 28 NC @ 10 V | ±30V | 1550 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | |||||||||||
![]() | TK12A50D(sta4,Q,m) | 2.4700 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK12A50 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 12a(12a) | 10V | 520MOHM @ 6A,10V | 4V @ 1mA | 25 NC @ 10 V | ±30V | 1350 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | |||||||||||
![]() | TK16A55D(sta4,Q,m) | - | ![]() | 3760 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK16A55 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 550 v | 16A(TA) | 330mohm @ 8a,10v | 4V @ 1mA | 45 NC @ 10 V | 2600 PF @ 25 V | - | - | |||||||||||||
![]() | TK19A45D(sta4,Q,m) | 3.6700 | ![]() | 2154 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK19A45 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 450 v | (19a ta) | 10V | 250MOHM @ 9.5A,10V | 4V @ 1mA | 45 NC @ 10 V | ±30V | 2600 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | |||||||||||
![]() | TK2A65D(sta4,Q,m) | 1.4400 | ![]() | 6893 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK2A65 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 650 v | 2A(TA) | 10V | 3.26OHM @ 1A,10V | 4.4V @ 1mA | 9 NC @ 10 V | ±30V | 380 pf @ 25 V | - | 30W(TC) | |||||||||||
![]() | TK2Q60D Q) | 0.9400 | ![]() | 6036 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3存根线,IPAK | TK2Q60 | MOSFET (金属 o化物) | PW-mold2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | TK2Q60DQ | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | n通道 | 600 v | 2A(TA) | 10V | 4.3OHM @ 1A,10V | 4.4V @ 1mA | 7 NC @ 10 V | ±30V | 280 pf @ 25 V | - | 60W(TC) | ||||||||||
![]() | TK30S06K3L (T6L1,NQ | - | ![]() | 1314 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosiv | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | TK30S06 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK+ | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 60 V | 30a(TA) | 6V,10V | 18ohm @ 15a,10v | 3V @ 1mA | 28 NC @ 10 V | ±20V | 1350 pf @ 10 V | - | 58W(TC) | |||||||||||
![]() | TK3A60DA (STA4,Q,m) | 1.2100 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK3A60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 2.5a(ta) | 10V | 2.8ohm @ 1.3a,10v | 4.4V @ 1mA | 9 NC @ 10 V | ±30V | 380 pf @ 25 V | - | 30W(TC) | |||||||||||
![]() | TK3A65DA (STA4,QM) | 1.5200 | ![]() | 4118 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK3A65 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 650 v | 2.5a(ta) | 10V | 2.51OHM @ 1.3A,10V | 4.4V @ 1mA | 11 NC @ 10 V | ±30V | 490 pf @ 25 V | - | 35W(TC) | |||||||||||
![]() | TK3P50D,RQ s | 1.1700 | ![]() | 6966 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | TK3P50 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 500 v | 3A(3A) | 10V | 3ohm @ 1.5A,10V | 4.4V @ 1mA | 7 NC @ 10 V | ±30V | 280 pf @ 25 V | - | 60W(TC) | |||||||||||
![]() | TK4A50D(sta4,Q,m) | 0.9300 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK4A50 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 4A(ta) | 10V | 2ohm @ 2a,10v | 4.4V @ 1mA | 9 NC @ 10 V | ±30V | 380 pf @ 25 V | - | 30W(TC) | |||||||||||
![]() | TK4A55DA(STA4,Q,m) | - | ![]() | 7445 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK4A55 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 550 v | 3.5A(ta) | 10V | 2.45OHM @ 1.8A,10V | 4.4V @ 1mA | 9 NC @ 10 V | ±30V | 380 pf @ 25 V | - | 30W(TC) | |||||||||||
![]() | TK50E06K3A,S1X(s | - | ![]() | 5024 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosiv | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-220-3 | TK50E06 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 60 V | 50A(TC) | 8.5mohm @ 25a,10v | - | 54 NC @ 10 V | - | - |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库