SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
TPC8066-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8066-H,LQ s -
RFQ
ECAD 9428 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TPC8066 MOSFET (金属 o化物) 8-sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 11a(11a) 4.5V,10V 16mohm @ 5.5a,10v 2.3V @ 100µA 15 NC @ 10 V ±20V 1100 pf @ 10 V - 1W(ta)
TPC8125,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage tpc8125,lq(s 0.7300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TPC8125 MOSFET (金属 o化物) 8-sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 10a(10a) 4.5V,10V 13mohm @ 5a,10v 2V @ 500µA 64 NC @ 10 V +20V,-25V 2580 pf @ 10 V - 1W(ta)
TPC8126,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage tpc8126,lq(cm -
RFQ
ECAD 6338 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) TPC8126 MOSFET (金属 o化物) 8-SOP(5.5x6.0) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 11a(11a) 4.5V,10V 10mohm @ 5.5a,10v 2V @ 500µA 56 NC @ 10 V +20V,-25V 2400 pf @ 10 V - 1W(ta)
TPC8132,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage tpc8132,lq(s 0.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TPC8132 MOSFET (金属 o化物) 8-sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 40 V 7a(ta) 4.5V,10V 25mohm @ 3.5a,10v 2V @ 200µA 34 NC @ 10 V +20V,-25V 1580 pf @ 10 V - 1W(ta)
TPC8133,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage tpc8133,lq(s 1.2800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TPC8133 MOSFET (金属 o化物) 8-sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 40 V 9a(9a) 4.5V,10V 15mohm @ 4.5A,10V 2V @ 500µA 64 NC @ 10 V +20V,-25V 2900 PF @ 10 V - 1W(ta)
TPC8407,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage tpc8407,lq(s -
RFQ
ECAD 5590 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TPC8407 MOSFET (金属 o化物) 450MW 8-sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 2,500 n和p通道 30V 9a,7.4a 17mohm @ 4.5A,10V 2.3V @ 100µA 17NC @ 10V 1190pf @ 10V 逻辑级别门
TPCA8056-H,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8056-H,LQ (M -
RFQ
ECAD 5127 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn TPCA8056 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 48a(ta) 4.5V,10V 2.2MOHM @ 24A,10V 2.3V @ 1mA 74 NC @ 10 V ±20V 6200 pf @ 10 V - 1.6W(TA),63w(tc)
TPCC8009,LQ(O Toshiba Semiconductor and Storage tpcc8009,lq(o -
RFQ
ECAD 6494 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn TPCC8009 MOSFET (金属 o化物) 8-tson Advance(3.1x3.1) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 24A(24A) 7mohm @ 12a,10v 3V @ 200µA 26 NC @ 10 V 1270 pf @ 10 V - -
TPCL4201(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCL4201(TE85L,F) -
RFQ
ECAD 1167 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 4-xflga TPCL4201 MOSFET (金属 o化物) 500MW 4芯片lga(1.59x1.59) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道(半桥) - - - 1.2V @ 200µA - 720pf @ 10V -
TPCL4202(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCL4202(TE85L,F) -
RFQ
ECAD 3500 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 4-xflga TPCL4202 MOSFET (金属 o化物) 500MW 4芯片lga(1.59x1.59) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道(半桥) - - - 1.2V @ 200µA - 780pf @ 10V -
TPCL4203(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCL4203(TE85L,F) -
RFQ
ECAD 2304 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 4-xflga TPCL4203 MOSFET (金属 o化物) 500MW 4芯片lga(1.59x1.59) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道(半桥) - - - 1.2V @ 200µA - 685pf @ 10V -
TTC012(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTC012(Q) -
RFQ
ECAD 1714年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA TTC012 1.1 w PW-mold2 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TTC012Q Ear99 8541.29.0095 200 375 v 2 a 10µA(ICBO) NPN 1V @ 62.5mA,500mA 100 @ 300mA,5V -
TJ10S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ10S04M3L (T6L1,NQ 1.3300
RFQ
ECAD 8845 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 TJ10S04 MOSFET (金属 o化物) DPAK+ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 40 V 10a(10a) 6V,10V 44mohm @ 5A,10V 3V @ 1mA 19 nc @ 10 V +10V,-20V 930 PF @ 10 V - 27W(TC)
TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S04M3L (T6L1,NQ 1.4000
RFQ
ECAD 6560 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 TJ60S04 MOSFET (金属 o化物) DPAK+ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 40 V 60a(ta) 6V,10V 6.3mohm @ 30a,10v 3V @ 1mA 125 NC @ 10 V +10V,-20V 6510 PF @ 10 V - 90W(TC)
TK10A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK10A50D(sta4,Q,m) 1.9000
RFQ
ECAD 5682 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK10A50 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 10a(10a) 10V 720MOHM @ 5A,10V 4V @ 1mA 20 nc @ 10 V ±30V 1050 pf @ 25 V - 45W(TC)
TK11A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A50D(sta4,Q,m) 2.1600
RFQ
ECAD 3743 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK11A50 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 11a(11a) 10V 600MOHM @ 5.5A,10V 4V @ 1mA 24 NC @ 10 V ±30V 1200 pf @ 25 V - 45W(TC)
TK11A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A55D(sta4,Q,m) 2.5900
RFQ
ECAD 5991 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK11A55 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 550 v 11a(11a) 10V 630MOHM @ 5.5A,10V 4V @ 1mA 25 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 25 V - 45W(TC)
TK11A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A60D(sta4,Q,m) -
RFQ
ECAD 6517 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK11A60 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 11a(11a) 10V 650MOHM @ 5.5A,10V 4V @ 1mA 28 NC @ 10 V ±30V 1550 pf @ 25 V - 45W(TC)
TK12A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50D(sta4,Q,m) 2.4700
RFQ
ECAD 40 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK12A50 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 12a(12a) 10V 520MOHM @ 6A,10V 4V @ 1mA 25 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 25 V - 45W(TC)
TK16A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A55D(sta4,Q,m) -
RFQ
ECAD 3760 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK16A55 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 550 v 16A(TA) 330mohm @ 8a,10v 4V @ 1mA 45 NC @ 10 V 2600 PF @ 25 V - -
TK19A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK19A45D(sta4,Q,m) 3.6700
RFQ
ECAD 2154 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK19A45 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 450 v (19a ta) 10V 250MOHM @ 9.5A,10V 4V @ 1mA 45 NC @ 10 V ±30V 2600 PF @ 25 V - 50W(TC)
TK2A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK2A65D(sta4,Q,m) 1.4400
RFQ
ECAD 6893 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK2A65 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 2A(TA) 10V 3.26OHM @ 1A,10V 4.4V @ 1mA 9 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 25 V - 30W(TC)
TK2Q60D(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK2Q60D Q) 0.9400
RFQ
ECAD 6036 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 大部分 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3存根线,IPAK TK2Q60 MOSFET (金属 o化物) PW-mold2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) TK2Q60DQ Ear99 8541.29.0095 200 n通道 600 v 2A(TA) 10V 4.3OHM @ 1A,10V 4.4V @ 1mA 7 NC @ 10 V ±30V 280 pf @ 25 V - 60W(TC)
TK30S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK30S06K3L (T6L1,NQ -
RFQ
ECAD 1314 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 TK30S06 MOSFET (金属 o化物) DPAK+ 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 60 V 30a(TA) 6V,10V 18ohm @ 15a,10v 3V @ 1mA 28 NC @ 10 V ±20V 1350 pf @ 10 V - 58W(TC)
TK3A60DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A60DA (STA4,Q,m) 1.2100
RFQ
ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK3A60 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 2.5a(ta) 10V 2.8ohm @ 1.3a,10v 4.4V @ 1mA 9 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 25 V - 30W(TC)
TK3A65DA(STA4,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65DA (STA4,QM) 1.5200
RFQ
ECAD 4118 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK3A65 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 2.5a(ta) 10V 2.51OHM @ 1.3A,10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±30V 490 pf @ 25 V - 35W(TC)
TK3P50D,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK3P50D,RQ s 1.1700
RFQ
ECAD 6966 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 TK3P50 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 500 v 3A(3A) 10V 3ohm @ 1.5A,10V 4.4V @ 1mA 7 NC @ 10 V ±30V 280 pf @ 25 V - 60W(TC)
TK4A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A50D(sta4,Q,m) 0.9300
RFQ
ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK4A50 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 4A(ta) 10V 2ohm @ 2a,10v 4.4V @ 1mA 9 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 25 V - 30W(TC)
TK4A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A55DA(STA4,Q,m) -
RFQ
ECAD 7445 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK4A55 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 550 v 3.5A(ta) 10V 2.45OHM @ 1.8A,10V 4.4V @ 1mA 9 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 25 V - 30W(TC)
TK50E06K3A,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK50E06K3A,S1X(s -
RFQ
ECAD 5024 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 管子 过时的 - 通过洞 TO-220-3 TK50E06 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 50A(TC) 8.5mohm @ 25a,10v - 54 NC @ 10 V - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库