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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
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2SC4117-gr，LF	0.2300	RFQ	7	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC4117		100兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000												120 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 1mA，10mA	200 @ 2mA，6v	100MHz
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TK17V65W，LQ	3.4300	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	4-VSFN暴露垫	TK17V65	MOSFET （金属 o化物）		4-DFN-EP（8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	650 v	17.3a（ta）	10V	210MOHM @ 8.7A，10V	3.5V @ 900µA	45 NC @ 10 V	±30V	1800 PF @ 300 V	-	156W（TC）
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TPH3R704PC，LQ	0.9900	RFQ	14	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn	TPH3R704	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	82A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 41A，10V	2.4V @ 300µA	47 NC @ 10 V	±20V	3615 PF @ 20 V	-	830MW（ta），90W（（TC）
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TPN7R006PL，L1Q	0.9100	RFQ	3	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn	TPN7R006	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	60 V	54A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 27a，10v	2.5V @ 200µA	20 nc @ 10 V	±20V	1875 PF @ 30 V	-	630MW（ta），75W（tc）
TK5R3A06PL，S4X	1.3300	RFQ	40	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK5R3A06	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	56A（TC）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 28A，10V	2.5V @ 300µA	36 NC @ 10 V	±20V	2380 pf @ 30 V	-	36W（TC）
TPCA8047-H （T2L1，VM	-	RFQ	4456	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8047	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	32a（ta）	4.5V，10V	7.3mohm @ 16a，10v	2.3V @ 500µA	43 NC @ 10 V	±20V	3365 pf @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）
TK040Z65Z，S1F	12.5400	RFQ	2107	东芝半导体和存储	dtmosvi	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-247-4	TK040Z65	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4L（t）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	264-TK040Z65ZS1F	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	650 v	57a（ta）	10V	40mohm @ 28.5a，10v	4V @ 2.85mA	105 NC @ 10 V	±30V	6250 PF @ 300 V	-	360W（TC）
TK090N65Z，S1F	6.3400	RFQ	5	东芝半导体和存储	dtmosvi	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-247-3	TK090N65	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	264-TK090N65ZS1F	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	650 v	30a（TA）	10V	90mohm @ 15a，10v	4V @ 1.27mA	47 NC @ 10 V	±30V	2780 pf @ 300 V	-	230W（TC）
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RN2102MFV，L3F（ct	0.1800	RFQ	15	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	RN2102		150兆	VESM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	8,000												50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
RN4990（TE85L，F）	0.3400	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4990		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000												50V	100mA	100NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz，200MHz	4.7kohms	-
RN2414（TE85L，F）	0.2800	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2414		200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000												50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200 MHz	1 kohms	10 kohms
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²