SIC
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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 fet 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
SSM6N36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N36TU，LF 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6N36 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 500mA（ta） 630mohm @ 200ma，5v 1V @ 1mA 1.23nc @ 4V 46pf @ 10V 逻辑级别门，1.5V
SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P15FU，LF 0.3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6P15 MOSFET （金属 o化物） 200mw（ta） US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 100mA 12ohm @ 10mA，4V 1.7V @ 100µA - 9.1pf @ 3V -
SSM6P36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P36TU，LF 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6P36 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 330ma（ta） 1.31OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 1mA 1.2nc @ 4V 43pf @ 10V 逻辑级别门，1.5V
MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111TU，LF 0.5800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 MT3S111 800MW UFM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 12.5db 6V 100mA NPN 200 @ 30mA，5v 10GHz 0.6db〜0.85dB @ 500MHz〜1GHz
SSM3J09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J09FU，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SC-70，SOT-323 SSM3J09 MOSFET （金属 o化物） USM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 200ma（ta） 3.3V，10V 2.7OHM @ 100mA，10v 1.8V @ 100µA ±20V 22 pf @ 5 V - 150MW（TA）
TTA1713-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713-Y，LF 0.3100
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TTA1713 200兆 S-Mini 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA（ICBO） PNP 400mv @ 50mA，500mA 120 @ 100mA，1V 80MHz
TTC4116FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTC4116FU，LF 0.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 TTC4116 100兆 SC-70 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） NPN 250mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 80MHz
SSM3K122TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K122TU，LF 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 3-SMD，平坦的铅 SSM3K122 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 2A（TA） 1.5V，4V 123MOHM @ 1A，4V 1V @ 1mA 3.4 NC @ 4 V ±10V 195 pf @ 10 V - 500MW（TA）
SSM3K131TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K131TU，LF 0.5000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 3-SMD，平坦的铅 SSM3K131 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 6a（6a） 4.5V，10V 27.6mohm @ 4A，10V 2.5V @ 1mA 10.1 NC @ 10 V ±20V 450 pf @ 15 V - 500MW（TA）
SSM3K48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K48FU，LF 0.3700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SC-70，SOT-323 SSM3K48 MOSFET （金属 o化物） USM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 3.2OHM @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA ±20V 15.1 pf @ 3 V - 150MW（TA）
SSM5H16TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H16TU，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 SSM5H16 MOSFET （金属 o化物） UFV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 1.9a（ta） 1.8V，4V 133MOHM @ 1A，4V 1V @ 1mA 1.9 NC @ 4 V ±12V 123 pf @ 15 V Schottky 二极管（孤立） 500MW（TA）
SSM5H90ATU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H90ATU，LF 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 5-SMD，平坦的铅 SSM5H90 MOSFET （金属 o化物） UFV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 2.4A（TA） 2.5V，4V 65MOHM @ 1.5A，4V 1.2V @ 1mA 2.2 NC @ 4 V ±10V 200 pf @ 10 V - 500MW（TA）
SSM6K208FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K208FE，LF 0.5200
RFQ
 ECAD 2897 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6K208 MOSFET （金属 o化物） ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 n通道 30 V 1.9a（ta） 1.8V，4V 133MOHM @ 1A，4V 1V @ 1mA 1.9 NC @ 4 V ±12V 123 pf @ 15 V - 500MW（TA）
SSM6N40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N40TU，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6N40 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 1.6a（ta） 122MOHM @ 1A，10V 2.6V @ 1mA 5.1nc @ 10V 180pf @ 15V 逻辑水平门，4V驱动器
RN1707,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1707，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN1707 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 10KOHMS 47kohms
RN1709,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1709，LF 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN1709 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz 47kohms 22KOHMS
RN1710,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1710，LF 0.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN1710 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250MHz 4.7kohms -
RN1711,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1711，LF 0.3100
RFQ
 ECAD 1202 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN1711 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250MHz 10KOHMS -
RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911，LF （CT 0.2800
RFQ
 ECAD 8828 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1911 100MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250MHz 10KOHMS -
RN2909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2909，LF（ct 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2909 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 22KOHMS
RN4908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908，LF（ct 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4908 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz，250MHz 22KOHMS 47kohms
RN4985FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985FE，LF （CT 0.2400
RFQ
 ECAD 259 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4985 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 2.2kohms 47kohms
RN4988FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4988fe，lf（Ct 0.2500
RFQ
 ECAD 8319 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4988 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 22KOHMS 47kohms
RN1104MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV，L3F（ct 0.1800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1104 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 80 @ 10mA，5V 47科姆斯 47科姆斯
RN1415,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1415，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 7792 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1415 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
RN1418,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1418，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 184 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1418 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 47科姆斯 10 kohms
RN2103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103，LF（ct 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN2103 100兆 SSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
RN2113,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2113，LF（ct 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN2113 100兆 SSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200 MHz 47科姆斯
RN2303,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2303，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN2303 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
RN2406,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2406，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN2406 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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